实现同一内存技术设备分区挂接多种设备的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的方法和装置，以减小上层软件处理的复杂性。所述方法包括：将同一MTD分区扩展为多个子MTD分区；为所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体；将所述每个芯片描述信息体分别与需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体关联。本发明专利技术提供的方法可以使不同类型的芯片挂接在同一个父MTD分区的不同子MTD分区下，但对上层软件只体现为一个父MTD分区，能够满足为了降低上层软件的复杂性而在同一MTD分区下挂接不同类型芯片的MTD原始存储器件这一应用场景的需求，同时为产品进行芯片选型增加了灵活性，降低芯片选型的成本。

Method and device for hanging multiple devices in the same memory technology device partition

The embodiment of the invention provides a method and a device for implementing the same memory technology equipment partition to hang multiple attribute devices, so as to reduce the complexity of the upper layer software processing. The method comprises the following steps: a MTD partition extended into sub MTD partition; for the plurality of sub MTD partitions in each sub partition MTD adaptation of a corresponding description information; the description information of each chip body respectively with the need to hook up the MTD storage device manufacturers with private description a body of information association. The method provided by the invention can make different types of chip connected on the same parent MTD partition different sub MTD partitions, but to the software only for a parent can meet the MTD partition, in order to reduce the complexity of the software in the same MTD partition hooks MTD original memory chips of different types the application scenarios, at the same time as the product of chip selection increased flexibility, reduce the cost of chip selection.

【技术实现步骤摘要】
实现同一内存技术设备分区挂接多种设备的方法和装置
本专利技术涉及数据存储领域，尤其涉及实现同一内存技术设备分区挂接多种设备的方法和装置。
技术介绍
内存技术设备（MemowTechnologyDevice，MTD）是用于访问内存设备的Linux的子系统。MTD的主要目的是为了使新的内存设备的驱动更加简单，为此它在硬件和上层之间提供了一个抽象的接口。每个MTD原始存储器件有一个mtd_info结构体即structmtd_infomtd，每种芯片也有用于描述每个Flash芯片专有信息的结构体，例如，描述NAND芯片的结构体为structnand_chipchip，而描述MTD原始存储器件的结构体与描述芯片专有信息的结构体一一对应，例如，structmtd_infomtd和structnand_chipchip一一对应。由于存在上述MTD原始存储器件的结构体与描述芯片专有信息的结构体一一对应的关系，即，一个MTD分区的原始存储器件必须是同一属性的，因此，同一个MTD分区下全部挂接同种类型芯片，不同属性的原始存储器件（对应于不同类型芯片）不能挂接在同一MTD分区下。例如，假设MTD1分区已经挂接了NANDFlash，则MTD1分区下只能挂接NANDFlash，不能挂接其他类型的芯片，例如NORFlash或NVRAMFlash，要挂接NORFlash或NVRAMFlash，只能在另一MTD分区下挂接。按照现有的上述同种类型芯片的MTD原始存储器件只能挂接在同一MTD分区下或者由于不同类型芯片的MTD原始存储器件只能分别挂接到不同的MTD分区下这一架构，当为了降低上层软件的复杂性（例如，减少对MTD分区的管理），需要在同一MTD分区下挂接不同类型芯片的MTD原始存储器件时，现有技术的架构就无法实现这一需求。
技术实现思路
本专利技术实施例提供实现同一内存技术设备分区挂接多种设备的方法和装置，以增加同一MTD分区的应用场景。本专利技术实施例提供一种实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的方法，所述方法包括：将同一内存技术设备MTD分区扩展为多个子MTD分区；为所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体；将所述每个芯片描述信息体分别与需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体关联。可选地，所述芯片描述信息体为描述芯片属性的结构体，所述MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体为MTD存储器件厂商所提供的代码私有数据结构体。可选地，所述为所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体包括：构造分别与所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区相应的芯片属性的结构体；将同一内存技术设备MTD分区相应的结构体指向所述构造的多个芯片属性的结构体。可选地，所述为所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体包括：构造分别与所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区相应的芯片属性的结构体；将同一内存技术设备MTD分区相应的结构体指向所述构造的多个芯片属性的结构体；所述将所述每个芯片描述信息体分别与需要挂接的MTD原始设备的厂商代码私有描述信息体关联包括：将所述构造的多个芯片属性的结构体中的每一个结构体分别指向所述需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的代码私有数据结构体。本专利技术实施例提供一种实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的装置，所述装置包括：分区扩展模块，用于将同一内存技术设备MTD分区扩展为多个子MTD分区；适配模块，用于为所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体；关联模块，用于将所述每个芯片描述信息体分别与需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体关联。可选地，所述芯片描述信息体为描述芯片属性的结构体，所述MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体为MTD存储器件厂商所提供的代码私有数据结构体。可选地，所述适配模块包括：结构体构造单元，用于构造分别与所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区相应的芯片属性的结构体；第一建链单元，用于将同一内存技术设备MTD分区相应的结构体指向所述构造的多个芯片属性的结构体。可选地，所述关联模块包括：第二建链单元，用于将所述构造的多个芯片属性的结构体中的每一个结构体分别指向所述需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的代码私有数据结构体。从上述本专利技术实施例可知，由于同一MTD分区被扩展成为多个子MTD分区，如此，同一MTD分区可以容纳不同属性的MTD存储器件，而每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体，并分别与需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体关联。因此，本专利技术实施例提供的方法可以使不同类型的芯片挂接在同一个父MTD分区的不同子MTD分区下，但对上层软件仍然只体现为一个父MTD分区，能够满足为了降低上层软件的复杂性而在同一MTD分区下挂接不同类型芯片的MTD原始存储器件这一应用场景的需求，同时也为产品进行芯片选型增加了灵活性，可以降低芯片选型的成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对现有技术或实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，还可以如这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的方法流程示意图；图2是本专利技术实施例提供的将同一同一内存技术设备MTD分区扩展为多个子MTD分区示意图；图3是本专利技术实施例提供的各个结构体的指向关系示意图；图4是本专利技术实施例提供的实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的装置结构示意图；图5是本专利技术另一实施例提供的实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的装置结构示意图；图6（a）是本专利技术另一实施例提供的实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的装置结构示意图；图6（b）是本专利技术另一实施例提供的实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的装置结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅附图1，是本专利技术实施例提供的实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的方法流程示意图，主要包括步骤S101、步骤S102和步骤S103：S101，将同一内存技术设备MTD分区扩展为多个子MTD分区。在本专利技术实施例中，不再是以一个MTD分区为最小操作单位，而是将一个MTD分区拆分为若干个子MTD分区，如此，可以以子MTD分区为最小颗粒对多个子MTD分区进行操作。将同一内存技术设备MTD分区扩展为多个子MTD分区后，扩展所得的多个子MTD分区和被扩展的MTD分区是隶属关系。如图2所示，扩展所得的n个子MTD分区隶属于同一MTD分区即父MTD分区。需要说明的是，尽管同一内存技术设备MTD分区扩展为多个子MTD分区，但内核对上层的接口层仍然是父MTD分区所属层，对上层体现为一个相应的结构体，例如，structmtd_infomtd；上层对MTD分区的操作仍然是先调用该父MTD分区所属层提供的接口来实现。S102，为所述多个子MTD分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的方法，其特征在于，所述方法包括：将同一内存技术设备MTD分区扩展为多个子MTD分区；为所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体；将所述每个芯片描述信息体分别与需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体关联。

【技术特征摘要】
1.一种实现同一内存技术设备分区挂接多属性设备的方法，其特征在于，所述方法包括：将同一内存技术设备MTD分区扩展为多个子MTD分区；为所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体；将所述每个芯片描述信息体分别与需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体关联。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片描述信息体为描述芯片属性的结构体，所述MTD存储器件厂商所提供的私有描述信息体为MTD存储器件厂商所提供的代码私有数据结构体。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述为所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区适配一个相应的芯片描述信息体包括：构造分别与所述多个子MTD分区中每一个子MTD分区相应的芯片属性的结构体；将同一内存技术设备MTD分区相应的结构体指向所述构造的多个芯片属性的结构体。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述每个芯片描述信息体分别与需要挂接的MTD原始设备的厂商代码私有描述信息体关联包括：将所述构造的多个芯片属性的结构体中的每一个结构体分别指向所述需要挂接的MTD存储器件厂商所提供的代码...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗晓雁，陈慈沼，周博，陈凡，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44