The utility model relates to the technical field of IBC solar cell, in particular relates to a new type of IBC solar cell back electrode, including N type silicon wafer (10), P+ (21), a heavily doped region N+ heavily doped region (22), the first passivation layer (31), second (32), a passivation layer of heavily doped P+ area (21) and N+ (22) doped regions are alternately arranged in N type silicon wafer (10) on the back; the P+ heavily doped region (21) formed in the adjacent N+ heavily doped region (22) between the groove. The utility model has good passivation effect and reduces the surface recombination of the photogenerated carrier, and the carrier drift distance of the N type silicon wafer is smaller, and the photoelectric conversion efficiency of the battery is higher.
【技术实现步骤摘要】
一种IBC太阳能电池
本技术涉及IBC太阳能电池
,特别是涉及一种新型背电极的IBC太阳能电池结构。
技术介绍
太阳能是备受青睐的可再生绿色能源,而将太阳能转换成电能的太阳能电池受到越来越多的重视。随着太阳能电池技术的发展,目前已经开发了多种结构的太阳能电池,并且已经被广泛应用于各个领域。IBC太阳能电池结构是其中一种性能优越的电池结构。现有技术中IBC太阳能电池通常采用N型硅作为衬底材料,为了进一步减小衬底中光生载流子的漂移距离,从而提高光电转换效率,现有技术中大多在硅片背面掺杂形成指状交叉的N+重掺杂区和P+重掺杂区。可是由于制造工艺的限制以及指状电极结构串联电阻的影响,指状交叉结构对于光电转换效率的提高存在一定限度。此外,常规采用的各种外延沉积技术形成的钝化层,其结构致密性较差,使得载流子在硅片表面存在较大的表面复合,从而想要更进一步提高光电转化率,现有技术中却没有更好的办法。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是:提供一种新型的IBC太阳能电池,进一步提高IBC太阳能电池的光电转换效率。本技术的具体技术方案是,一种IBC太阳能电池,包括N型硅片、P+重掺杂区、N+重掺杂区、第一钝化层、第二钝化层,P+重掺杂区和N+重掺杂区交替布置在型硅片的背面,并且重掺杂区分布位置靠近N型硅片内侧与N+重掺杂区形成凹槽;P+重掺杂区与N+重掺杂区通过N型硅片隔开;P+重掺杂区和N+重掺杂区表面上设置有第一钝化层及第二钝化层;第一钝化层为热氧化获得的二氧化硅层,第二钝化层为氮化硅层;所述P+重掺杂区形成在相邻N+重掺杂区之间的凹槽中。具体的第一钝化层是通过干氧热氧 ...
【技术保护点】
一种IBC太阳能电池,包括N型硅片(10)、P+重掺杂区(21)、N+重掺杂区(22)、第一钝化层(31)、第二钝化层(32),其特征在于:P+重掺杂区(21)和N+重掺杂区(22)交替布置在N型硅片(10)的背面并且通过N型硅片(10)隔开;P+重掺杂区(21)和N+重掺杂区(22)表面上设置有第一钝化层(31)及第二钝化层(32);所述第一钝化层(31)为二氧化硅层,所述第二钝化层(32)为氮化硅层;所述P+重掺杂区(21)形成在相邻N+重掺杂区(22)之间的凹槽中。
【技术特征摘要】
1.一种IBC太阳能电池,包括N型硅片(10)、P+重掺杂区(21)、N+重掺杂区(22)、第一钝化层(31)、第二钝化层(32),其特征在于:P+重掺杂区(21)和N+重掺杂区(22)交替布置在N型硅片(10)的背面并且通过N型硅片(10)隔开;P+重掺杂区(21)和N+重掺杂区(22)表面上设置有第一钝化层(31)及第二钝化层(32);所述第一钝化层(31)为二氧化硅层,所述第二钝化层(32)为氮化硅层;所述P+重掺杂区(21)形成在相邻N+重掺杂区(22)之间的凹槽中。2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池,其特征在于:所述第一钝化层(31)为热氧化二氧化硅层。3.根据权利要求2所述的IBC太阳能电池,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭辉,董鹏,张玉明,张晨旭,屈小勇,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,国家电投集团西安太阳能电力有限公司,
类型:新型
国别省市:陕西,61
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