一种晶体硅太阳能电池组件制造技术

本发明专利技术涉及一种晶体硅太阳能电池组件，所述晶体硅太阳能组件采用聚烯烃材料封装，电池片采用聚光太阳能电池，本发明专利技术在现有晶体硅组件技术的基础上，采用聚烯烃材料作为封装材料，增加了组件的可靠性，抗电势诱导衰减效果非常明显，从而扩展了晶体硅组件的应用范围，在一些较潮湿恶劣的环境下，组件均无功率衰减。本发明专利技术采用聚烯烃作为封装材料，降低水汽透过率，增加组件的抗电势诱导衰减性能，增加后期系统的发电量，投资回报利益最大，并采用聚光太阳能电池有效提高了组件的发电效率。

Crystalline silicon solar cell assembly

The invention relates to a crystalline silicon solar cell components, the crystal silicon solar modules made of polyolefin packaging materials, the solar cell, the invention based on the existing components of crystalline silicon technology, using polyolefin materials as packaging material, increase the reliability of components, anti EMF induced attenuation effect is very obvious, so as to expand the application range of crystal silicon components, in some of the more humid environment, no power attenuation component. The invention adopts polyolefin as packaging material, reduce the water vapor transmission rate, increase the potential anti component induced attenuation performance, increase the generating capacity of post system, and the maximum benefit of investment return, solar power generation efficiency can effectively improve the assembly.

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅太阳能电池组件
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池组件。
技术介绍
存在于晶体硅光伏组件中的电路及其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的衰减，称这种衰减为电势诱导衰减即PID。一般认为电池经过封装材料和组件边框所形成的路径所导致的漏电流是引起电势诱导衰减现象的主要原因，这就决定了封装材料和电池片在电势诱导衰减中起着关键性的作用。目前传统的晶体硅光伏组件大都用EVA封装，一般不具有抗PID性能，即使有部分抗PID作用，但是效果也都不明显；对于电池片的制备一直以来也只关注效率的提高，很少考虑电池片的抗PID性能。在实际电站应用中，用EVA和普通电池片封装的组件，其实际运行性能往往因为PID的影响而难以让人满意，现有技术中对此进行了多次技术改进都没有取得明显的效果；因此开发一款比较优异的抗PID的电池组件非常必要，以满足现实迫切的需要。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种克服上述问题的抗电势诱导衰减晶体硅太阳能电池组件。为了解决上述问题，本专利技术采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池组件，所述晶体硅太阳能组件从上到下依次为：前板、紫外线透过型热塑性聚烯烃、电池片、紫外线截止型热塑型聚烯烃、背板以及安装在背板下面的接线盒，所述电池片为聚光太阳能电池片，所述聚光太阳能电池片的正面细栅线对应部分为有效受光区域，所述聚光太阳能电池片的正面两边为主栅线，射入到有效受光区域的光能有效倍转换为电能，光电转换的电流通过正面细栅线进行收集后传至两边的主栅线上，在所述主栅线上沿其长度方向均匀分布有若干具有导电功能的导流柱，所述导流柱贯穿聚光太阳能电池片的晶体硅基体且与聚光太阳能电池片的背面电极A相连，所述导流柱将正面细栅线收集的电流传导至背面电极A上，作为聚光太阳能电池片的一极，所述聚光太阳能电池片背面、有效受光区域对应的背面电极B作为聚光太阳能电池片的另外一极。作为优选，所述聚烯烃封装厚度0.6±0.05mm。该组件抗电势诱导衰减性能在(湿度85％温度85度加压-1000伏)条件下1000h小时衰减小于5％，而传统组件同样的条件下96h就衰减大于30％，更有甚着达到80％-90％。作为优选，所述晶体硅太阳能电池组件的电池片为具有抗电势诱导衰减介质层的电池片，以代替普通电池片以增加抗电势诱导衰减的效果。作为优选，所述晶体硅太阳能电池组件的前板为超白低铁钢化玻璃，其光的透过率达到92％-94％，提高光能的利用效率。作为优选，所述超白低铁钢化玻璃接触空气的一面设置有增透膜，进一步提高光能转换效率。作为优选，所述晶体硅太阳能电池组件的背板为高分子材料，以提高使用寿命和可控性，降低整体使用分摊成本。作为优选，所述背面电极A与背面电极B之间设置有隔离区，所述有效受光区域的四周边缘为钝化区，以提高电池片的转换效率。该晶体硅太阳能电池组件具有可靠性高、价格低廉、封装性能高、电势诱导衰减现象大大降低等优点。附图说明图1为本专利技术所述一种晶体硅太阳能电池组件的结构示意图。图2为本专利技术中所述聚光太阳能电池片的结构示意图。图3是图2的主视图。图4是图2的后视图。具体实施方式下面结合具体实施例和附图对本专利技术作进一步的详细描述。如图1-4所示，一种晶体硅太阳能电池组件，所述晶体硅太阳能组件从上到下依次为：前板1、紫外线透过型热塑性聚烯烃2、电池片3、紫外线截止型热塑型聚烯烃4、背板5以及安装在背板下面的接线盒6，所述电池片3为聚光太阳能电池片，所述聚光太阳能电池片的正面细栅线32对应部分为有效受光区域33，所述聚光太阳能电池片的正面两边为主栅线34，射入到有效受光区域33的光能有效倍转换为电能，光电转换的电流通过正面细栅线32进行收集后传至两边的主栅线34上，在所述主栅线34上沿其长度方向均匀分布有若干具有导电功能的导流柱35，所述导流柱35贯穿聚光太阳能电池片的晶体硅基体31且与聚光太阳能电池片的背面电极A36相连，所述导流柱35将正面细栅线32收集的电流传导至背面电极A36上，作为聚光太阳能电池片的一极，所述聚光太阳能电池片背面、有效受光区域33对应的背面电极B37作为聚光太阳能电池片的另外一极，所述背面电极A36与背面电极B37之间设置有隔离区38，所述有效受光区域33的四周边缘为钝化区39，以提高电池片的转换效率。在现有晶体硅组件技术的基础上，采用聚烯烃材料作为封装材料，增加了组件的可靠性，抗电势诱导衰减效果非常明显，从而扩展了晶体硅组件的应用范围，在一些较潮湿恶劣的环境下，组件均无功率衰减，降低水汽透过率，增加组件的抗电势诱导衰减性能，增加后期系统的发电量，投资回报利益最大。在实际应用中，所述聚烯烃封装厚度0.6±0.05mm。该组件抗电势诱导衰减性能在(湿度85％温度85度加压-1000伏)条件下1000h小时衰减小于5％，而传统组件同样的条件下96h就衰减大于30％，更有甚着达到80％-90％。在一些实施例中，所述晶体硅太阳能电池组件的电池片为具有抗电势诱导衰减介质层的电池片，以代替普通电池片以增加抗电势诱导衰减的效果。在一些实施例中，所述晶体硅太阳能电池组件的前板为超白低铁钢化玻璃，其光的透过率达到92％-94％，提高光能的利用效率。在一些实施例中，，所述超白低铁钢化玻璃接触空气的一面设置有增透膜，进一步提高光能转换效率。在一些实施例中，所述晶体硅太阳能电池组件的背板为高分子材料，以提高使用寿命和可控性，降低整体使用分摊成本。以上所述是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述晶体硅太阳能组件从上到下依次为：前板、紫外线透过型热塑性聚烯烃、电池片、紫外线截止型热塑型聚烯烃、背板以及安装在背板下面的接线盒，所述电池片为聚光太阳能电池片，所述聚光太阳能电池片的正面细栅线对应部分为有效受光区域，所述聚光太阳能电池片的正面两边为主栅线，射入到有效受光区域的光能有效倍转换为电能，光电转换的电流通过正面细栅线进行收集后传至两边的主栅线上，在所述主栅线上沿其长度方向均匀分布有若干具有导电功能的导流柱，所述导流柱贯穿聚光太阳能电池片的晶体硅基体且与聚光太阳能电池片的背面电极A相连，所述导流柱将正面细栅线收集的电流传导至背面电极A上，作为聚光太阳能电池片的一极，所述聚光太阳能电池片背面、有效受光区域对应的背面电极B作为聚光太阳能电池片的另外一极。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述晶体硅太阳能组件从上到下依次为：前板、紫外线透过型热塑性聚烯烃、电池片、紫外线截止型热塑型聚烯烃、背板以及安装在背板下面的接线盒，所述电池片为聚光太阳能电池片，所述聚光太阳能电池片的正面细栅线对应部分为有效受光区域，所述聚光太阳能电池片的正面两边为主栅线，射入到有效受光区域的光能有效倍转换为电能，光电转换的电流通过正面细栅线进行收集后传至两边的主栅线上，在所述主栅线上沿其长度方向均匀分布有若干具有导电功能的导流柱，所述导流柱贯穿聚光太阳能电池片的晶体硅基体且与聚光太阳能电池片的背面电极A相连，所述导流柱将正面细栅线收集的电流传导至背面电极A上，作为聚光太阳能电池片的一极，所述聚光太阳能电池片背面、有效受光区域对应的背面电极B作为聚光太阳能电池片的另外一极。...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁结平，
申请(专利权)人：梁结平，
类型：发明
国别省市：广东,44