MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路，该电路包括三极管Q3001、三极管Q3002、三极管Q3003、场效应管Q3004，GPIO1_PWM_40K信号由手机平台主芯片产生，经过三极管Q3001、三极管Q3002、三极管Q3003、场效应管Q3004组成的推挽、去高频后推动U3000发射器输出，DC‑DC_OUT_20V由DC‑DC Boost器件产生，本实用新型专利技术结构简单，且可以发射40KHZ的频率信号，且Vp‑p振幅在15V以上。

Circuit for driving ultrasonic frequency by PWM signal on MT6735 chip

The utility model discloses a driving ultrasonic frequency of the PWM signal circuit of MT6735 chip, the circuit comprises a triode Q3001, a triode Q3002, a triode Q3003, FET Q3004, GPIO1_PWM_40K signal generated by the mobile phone platform through the main chip, a triode Q3001, three transistor Q3002 and a triode Q3003, field effect the tube consists of Q3004, to promote U3000 after push-pull high-frequency transmitter output, DC DC_OUT_20V produced by DC DC Boost device, the utility model has the advantages of simple structure, and can transmit frequency signal of 40KHZ, Vp and P amplitude over 15V.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及手机
，尤其是涉及一种MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路。
技术介绍
基于MTK手机平台系统，设计行业需求定制机项目，有需要发射40KHZ的频率信号，且Vp-p振幅在15V以上，目前尚未相应的电路对其进行匹配。
技术实现思路
本技术的目的就是为了解决上述问题，提供一种MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路。为解决上述技术问题，本技术的实施方式提供了一种MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路，其包括：三极管Q3001、三极管Q3002、三极管Q3003、场效应管Q3004，所述场效应管Q3004的源极接地，场效应管Q3004的漏极接于发射器U3000的2脚，场效应管Q3004的漏极与发射器U3000的2脚之间连接有另一端接地的电容C3008，该场效应管Q3004的漏极通过电阻R3007而接于20V电源，且电阻R3007与20V电源之间通过线路而接于发射器U3000的1脚，且R3007与20V电源之间连接有另一端接地的电容C3007，场效应管Q3004的栅极与源极之间接有电容C1106，场效应管Q3004的栅极接于三极管Q3002和三极管Q3003的集电极，且在三极管Q3002的集电极连接有电阻R3005，三极管Q3003的发射极接地，三极管Q3003的基极接电阻R3004，该电阻R3004通过接口GPIO_PWM_40K而接于手机主控芯片，三极管Q3001的发射极通过电阻R3003而接于电阻R3004的接口GPIO_PWM_40K连接端，三极管Q3002的发射极接于4V电源，三极管Q3002的基极接于三极管Q3001的集电极，三极管Q3001的集电极与三极管Q3002的发射极之间接有电阻R3006，三极管Q3002的发射极与4V电源的连接线路上接有另一端接地的电容C3001，所述三极管Q3001的基极通过电阻R3002而接于接口GPIO_PWM_40K，且该三极管Q3001的基极通过电阻R3001而接于芯片6735，且电阻R3001的电源连接端接有另一端接地的电容C3002。与现有技术相比，本技术提供的MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路可以发射40KHZ的频率信号，且Vp-p振幅在15V以上。进一步，所述发射器U3000为超声波传感器KS-A1040H07CT-R。进一步，所述电阻R3001为0R电阻。附图说明图1为MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路原理图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本技术。本技术的实施方式提供了一种MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路，参见图1，其包括：三极管Q3001(型号S9013)、三极管Q3002(型号S9012)、三极管Q3003(型号S9013)、场效应管Q3004(型号RTR020N05)，所述场效应管Q3004的源极S接地，场效应管Q3004的漏极D接于发射器U3000的2脚，该发射器U3000为超声波传感器KS-A1040H07CT-R，场效应管Q3004的漏极D与发射器U3000的2脚之间连接有另一端接地的电容C3008，该场效应管Q3004的漏极D通过电阻R3007而接于20V电源，且电阻R3007与20V电源之间通过线路而接于发射器U3000的1脚，R3007与20V电源之间连接有另一端接地的电容C3007，场效应管Q3004的栅极G与源极S之间接有电容C1106，场效应管Q3004的栅极G接于三极管Q3002和三极管Q3003的集电极C，且在三极管Q3002的集电极C连接有电阻R3005，三极管Q3003的发射极E接地，三极管Q3003的基极B接电阻R3004，该电阻R3004通过接口GPIO_PWM_40K而接于手机主控芯片，三极管Q3001的发射极E通过电阻R3003而接于电阻R3004的接口GPIO_PWM_40K连接端，三极管Q3002的发射极E接于4V电源，三极管Q3002的基极B接于三极管Q3001的集电极C，三极管Q3001的集电极C与三极管Q3002的发射极E之间接有电阻R3006，三极管Q3002的发射极E与4V电源的连接线路上接有另一端接地的电容C3001，所述三极管Q3001的基极B通过电阻R3002而接于接口GPIO_PWM_40K，且该三极管Q3001的基极B通过电阻R3001而接于芯片6735，且电阻R3001的电源连接端接有另一端接地的电容C3002。本实施方式中，相关电阻和电容的参数如下：电容C3002、电容C3001＝1uF，电阻R3001采用0R电阻，电阻R3002＝2.2K，电阻R3003、电阻R3004、电阻R3006＝1K，电阻R3005采用68R电阻，电容C1106＝1nF，电阻R3007＝10K，电容C3007＝4.7uF，电容C3008＝10pF，相关参数可参见图1所示。本实施方式所提供的电路中，GPIO1_PWM_40K信号由手机平台主芯片(主控芯片)产生，经过三极管Q3001、三极管Q3002、三极管Q3003、场效应管Q3004组成的推挽、去高频后推动U3000发射器输出，DC-DC_OUT_20V由DC-DCBoost器件产生。本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本技术的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本技术的精神和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路，其特征在于，其包括：三极管Q3001、三极管Q3002、三极管Q3003、场效应管Q3004，所述场效应管Q3004的源极接地，场效应管Q3004的漏极接于发射器U3000的2脚，场效应管Q3004的漏极与发射器U3000的2脚之间连接有另一端接地的电容C3008，该场效应管Q3004的漏极通过电阻R3007而接于20V电源，且电阻R3007与20V电源之间通过线路而接于发射器U3000的1脚，且R3007与20V电源之间连接有另一端接地的电容C3007，场效应管Q3004的栅极与源极之间接有电容C1106，场效应管Q3004的栅极接于三极管Q3002和三极管Q3003的集电极，且在三极管Q3002的集电极连接有电阻R3005，三极管Q3003的发射极接地，三极管Q3003的基极接电阻R3004，该电阻R3004通过接口GPIO_PWM_40K而接于手机主控芯片，三极管Q3001的发射极通过电阻R3003而接于电阻R3004的接口GPIO_PWM_40K连接端，三极管Q3002的发射极接于4V电源，三极管Q3002的基极接于三极管Q3001的集电极，三极管Q3001的集电极与三极管Q3002的发射极之间接有电阻R3006，三极管Q3002的发射极与4V电源的连接线路上接有另一端接地的电容C3001，所述三极管Q3001的基极通过电阻R3002而接于接口GPIO_PWM_40K，且该三极管Q3001的基极通过电阻R3001而接于芯片6735，且电阻R3001的电源连接端接有另一端接地的电容C3002。...

【技术特征摘要】
1.一种MT6735芯片上利用PWM信号驱动超声频率的电路，其特征在于，其包括：三极管Q3001、三极管Q3002、三极管Q3003、场效应管Q3004，所述场效应管Q3004的源极接地，场效应管Q3004的漏极接于发射器U3000的2脚，场效应管Q3004的漏极与发射器U3000的2脚之间连接有另一端接地的电容C3008，该场效应管Q3004的漏极通过电阻R3007而接于20V电源，且电阻R3007与20V电源之间通过线路而接于发射器U3000的1脚，且R3007与20V电源之间连接有另一端接地的电容C3007，场效应管Q3004的栅极与源极之间接有电容C1106，场效应管Q3004的栅极接于三极管Q3002和三极管Q3003的集电极，且在三极管Q3002的集电极连接有电阻R3005，三极管Q3003的发射极接地，三极管Q3003的基极接电阻R3004，该电阻R3004通过接口GPIO_PWM_40K而接于手机主...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊安华，陈德方，
申请(专利权)人：上海银沪通信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31