A droplet deposition apparatus, such as an ink jet printhead, is disclosed. The apparatus includes a fluid chamber array in which each chamber has a nozzle and a piezoelectric actuator element that causes the droplet to be released from the nozzle in accordance with the need in the injection direction. The chamber array extends in an array direction perpendicular to the jet direction. The device also includes a public entrance to the supply chamber array manifold, fluid, and the device can also include a common outlet manifold, which receives fluid from the chamber array; entrance manifold and (if any) two outlet manifold is elongated in the array direction, and extending the length of chamber array. The device further includes a current limiter channel that extends the length of the chamber array in the array direction. This can be: the entrance is connected to the manifold chamber array, which is in use process, fluid along the public entrance manifold length, through the limiter channel, and passes through the fluid chamber array and along the length of the public outlet manifold flow and then into the outlet manifold and the public; or, in common outlet manifold case, can be connected to the outlet chamber array manifold, which is in use process, fluid along the public entrance manifold length, through the fluid chamber array, then through the first restrictor channel and then enter the public exit manifold and along the length of the flow of public outlet manifold. A manifold connected to the manifold of the current limiter and the current limiter is formed so as to enable the cross-section of the cross section to be intercepted in the direction perpendicular to the array as a narrow long channel that connects the manifold to the chamber. The limiter channel presents sufficient impedance on the fluid flow, which is in use, the general in the array of all the rooms, room adjacent arrays on limiting fluid device within the channel is oriented substantially perpendicular to the array direction.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及微滴沉积装置。它可以在按需喷墨打印头中或更一般地在微滴沉积装置中且特别地在包括以下的微滴沉积装置中发现特别有利的应用,该微滴沉积装置包括:流体室阵列,每一个室设置有喷嘴和至少一个压电致动器元件,该至少一个压电致动器元件是可操作的,以导致流体微滴根据需要从室穿过喷嘴释放,该阵列在阵列方向上延伸;公共入口歧管,其大体上延伸所述阵列的长度并且在所述阵列方向上是长形的,用于向所述室阵列供应流体;以及公共出口歧管,其大体上延伸所述阵列的长度并且在所述阵列方向上是长形的,用于接收来自从所述室阵列的流体。本领域的技术人员将理解,各种可选的流体可以通过微滴沉积装置被沉积:墨滴可以行进到例如纸或其它介质(例如,陶瓷砖)以形成图像,如在喷墨打印应用中的情况;可选地,流体微滴可以用于构建结构,例如,电活性流体可以沉积到诸如电路板的介质上,以使实现对电设备进行原型化,或含聚合物的流体或熔融聚合物可以沉积在连续的层中,以便产生物体的原型模型(如在3D打印中)。适合于这种可选择的流体的微滴沉积装置可以设置有在构造上类似于标准喷墨打印头的模块,其中进行一些调整以处理所讨论的特定流体。此外,在现有技术中存在用于微滴沉积的多种构造,包括本申请人已经公开的多个构造。在本案中特别感兴趣是WO00/38928提供的示例,图1、图2、图3以及图4从中采用。WO00/38928提供了具有流体室阵列的微滴沉积装置的多个示例,其中每一个室与用于微滴喷射的孔口、公共流体入口歧管以及公共流体出口歧管连通,并且其中在使用过程中,流体流入入口歧管中、穿过阵列中的每一个室并进入出口歧管中。图1示出了“ ...
【技术保护点】
一种微滴沉积装置,包括:流体室阵列,每一个室设置有喷嘴和至少一个压电致动器元件,所述至少一个压电致动器元件是可操作的,以引起流体微滴根据需要在喷射方向上从所述室穿过所述喷嘴释放,所述阵列大体上垂直于所述喷射方向在阵列方向上延伸;公共入口歧管,其至少大体上延伸所述阵列的长度并且在所述阵列方向上是长形的,用于向所述室阵列供应流体;公共出口歧管,其至少大体上延伸所述阵列的长度并且在所述阵列方向上是长形的,用于接收来自从所述室阵列的流体;以及第一限流器通道,其将所述室阵列连接到所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的一个,以便分别实现:流体在所述装置的使用过程中沿所述公共入口歧管的长度、穿过所述第一限流器通道、然后穿过所述流体室阵列且然后进入所述公共出口歧管中并沿着所述公共出口歧管的长度流动;或流体在所述装置的使用过程中沿着所述公共入口歧管的长度、穿过所述流体室阵列、然后穿过所述第一限流器通道且然后进入所述公共出口歧管中并沿着所述公共出口歧管的长度流动;其中,所述第一限流器通道在所述阵列方向上大体上延伸所述阵列的长度;其中,所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述一个以及所述第一限流器通道成形 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.02 GB 1411842.61.一种微滴沉积装置,包括:流体室阵列,每一个室设置有喷嘴和至少一个压电致动器元件,所述至少一个压电致动器元件是可操作的,以引起流体微滴根据需要在喷射方向上从所述室穿过所述喷嘴释放,所述阵列大体上垂直于所述喷射方向在阵列方向上延伸;公共入口歧管,其至少大体上延伸所述阵列的长度并且在所述阵列方向上是长形的,用于向所述室阵列供应流体;公共出口歧管,其至少大体上延伸所述阵列的长度并且在所述阵列方向上是长形的,用于接收来自从所述室阵列的流体;以及第一限流器通道,其将所述室阵列连接到所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的一个,以便分别实现:流体在所述装置的使用过程中沿所述公共入口歧管的长度、穿过所述第一限流器通道、然后穿过所述流体室阵列且然后进入所述公共出口歧管中并沿着所述公共出口歧管的长度流动;或流体在所述装置的使用过程中沿着所述公共入口歧管的长度、穿过所述流体室阵列、然后穿过所述第一限流器通道且然后进入所述公共出口歧管中并沿着所述公共出口歧管的长度流动;其中,所述第一限流器通道在所述阵列方向上大体上延伸所述阵列的长度;其中,所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述一个以及所述第一限流器通道成形为使得当在垂直于所述阵列方向的横截面中观察时,所述第一限流器通道表现为分别从所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述一个引导或引导至所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述一个的窄的长形通道;且其中,所述第一限流器通道对流体流呈现足够的阻抗,使得在使用中,对于所述阵列内的大体上所有室,邻近所述室阵列的在所述第一限流器通道内的流体被导向为大致垂直于所述阵列方向。2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一限流器通道在所述喷射方向上是长形的。3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置,其中,所述公共入口歧管和所述公共出口中的所述一个和所述第一限流器通道的流体阻抗使得沿着所述第一限流器通道的长度的阻抗和沿所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述一个的长度的阻抗的比率大于1:85和/或小于4:3。4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其中,所述第一限流器通道和所述流体室阵列的流体阻抗使得沿着所述第一限流器通道的长度的压降和横跨所述流体室阵列的压降的比率大于1:450和/或小于1:15。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其中,所述第一限流器通道具有:大于175微米和/或小于700微米的宽度;和/或大于42MPa/m3s-1和/或小于716MPa/m3s-1的阻抗。6.根据任一项前述权利要求所述的装置,其中,所述流体室中的每一个在室延伸方向上是长形的,所述室延伸方向垂直于所述喷射方向且优选地垂直于所述阵列方向。7.根据任一项前述权利要求所述的装置,还包括基板构件,所述基板构件在所述阵列方向上延伸超出所述流体室阵列的两端,且当在垂直于所述阵列方向的横截面中观察时,所述基板构件在所述喷射方向上是长形的,其中,所述压电致动器构件设置在所述基板构件的边缘表面上,所述边缘表面在与所述喷射方向正交的平面中延伸。8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述基板构件包括在所述阵列方向和所述喷射方向上延伸的第一侧表面。9.根据权利要求8所述的装置,还包括设置在所述第一侧表面上的电互连器阵列,所述电互连器至少部分地提供驱动电路和所述压电致动器元件之间的电连接。10.根据权利要求9所述的装置,其中,所述驱动电路设置在所述第一侧表面上。11.根据权利要求7至10中任一项所述的装置,其中,所述第一侧表面限定所述第一限流器通道的一部分。12.根据权利要求7至11中任一项所述的装置,其中,所述公共入口歧管和所述公共出口歧管相对于所述阵列方向布置在所述基板构件的任一侧上。13.根据任一项前述权利要求所述的装置,其中,所述压电致动器构件中的每一个包括壁,所述壁包括压电材料,所述壁分离所述阵列内的相邻的室。14.根据任一项前述权利要求所述的装置,还包括主体,所述主体包括压电材料,所述主体在所述阵列方向上延伸至少所述流体室阵列的长度;其中,包括压电材料的所述主体:设置在所述基板构件的所述边缘表面上;且包括顶部表面,所述顶部表面在与所述喷射方向正交的平面中延伸,所述流体室中的每一个至少部分地由在所述顶部表面中并排形成的长形通路的阵列中的对应的一个提供;优选地,其中,所述主体大体上由压电材料形成。15.根据权利要求1至13中任一项所述的装置,其中,所述压电致动器构件中的每一个包括压电材料的主体,所述压电材料的主体安装在限定所述流体室中的对应的一个的一部分的隔膜构件上,所述压电材料的主体是可致动的,以导致所述隔膜构件变形,以便改变所述流体室中的所述对应的一个的容积。16.根据任一项前述权利要求所述的装置,还包括第二限流器通道,所述第二限流器通道将所述室阵列连接至所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的另一个,以便实现在所述装置的使用过程中使流体沿着所述公共入口歧管的长度、穿过所述第一限流器通道和所述第二限流器通道中的一个、然后通过所述流体室阵列、然后穿过所述第一限流器通道和所述第二限流器通道中的另一个且然后进入所述公共出口歧管中并沿着所述公共出口歧管的长度流动;其中,所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述另一个以及所述第二限流器通道成形为使得当在垂直于所述阵列方向的横截面中观察时,所述第二限流器通道表现为分别从所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述另一个引导或引导至所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述另一个的窄的长形通道;且其中,所述第二限流器对流体流呈现足够的阻抗,使得在使用中,对于所述阵列内的大体上所有室,邻近所述室阵列的在所述第二限流器内的流体被导向成大致垂直于所述阵列方向。17.根据权利要求16所述的装置,其中,所述第二限流器通道在所述喷射方向上是长形的。18.根据权利要求16或权利要求17所述的装置,其中,所述公共入口歧管和所述公共出口中的所述另一个和所述第二限流器通道的流体阻抗使得沿着所述第一限流器通道的长度的阻抗和沿所述公共入口歧管和所述公共出口歧管中的所述一个的长度的阻抗的比率大于1:85和/或小于4:3。19.根据权利要求16至18中任一项所述的装置,其中,所述第二限流器通道和所述流体室阵列的流体阻抗使得沿着所述第二限流器通道的长度的压降和横跨所述流体室阵列的压降的比率大于1:450和/或小于1:15。20.根据权利要求16至19中任一项所述的装置,其中,所述第二限流器通道具有:大于175微米和/或小于700微米的宽度;和/或大于42MPa/m3s-1和/或小于716MPa/m3s-1的阻抗。21.根据当从属于权利要求9至13中任一项时的权利要求16至20中任一项所述的装置,其中,包括压电材料的所述主体还包括与所述第一侧表面相对的第二侧表面,且其中,所述第二侧表面限定所述第二限流器通道的一部分。22.根据任一项前述权利要求所述的装置,还包括盖构件,所述喷嘴形成在所述盖构件中,所述盖构件大体上是平面的,且在与所述喷射方向正交的平面中延伸。23.根据权利要求22所述的装置,其中,所述盖构件限定所述第一限流器通道的一部分。24.根据权利要求23所述的装置,其中,所述第一限流器通道的由所述盖构件限定的所述部分是所述第一限流器通道的邻近所述流体室阵列定位的端部部分。25.根据当从属于权利要求14至19中任一项时的权利要求24所述的装置,其中,所述盖构件限定所述第二限流器通道的一部分。26.根据权利要求25所...
【专利技术属性】
技术研发人员:西蒙·詹姆斯·哈伯德,克里斯多佛·詹姆斯·戈斯林,
申请(专利权)人:萨尔技术有限公司,
类型:发明
国别省市:英国;GB
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