一种硅胶保护膜制造技术

技术编号:15167585 阅读:53 留言:0更新日期:2017-04-13 14:17
本实用新型专利技术公开了一种硅胶保护膜,包括上基材层,下基材层,其特征在于,所述上基材层外侧设置有PI层,PI层的一侧设置有第一防静电层,所述PI层的另一侧设置有第一胶黏剂层,所述第一胶黏剂层位于上基材层与PI层之间,所述上基材层与下基材层间设置有第二胶黏剂层,所述上基材层与第二胶黏剂层间设置有第二防静电层;本实用新型专利技术硅胶保护膜防静电,抗酸抗碱,机械性能好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及薄膜
,尤其涉及一种硅胶保护膜。
技术介绍
硅胶保护膜主要应用于电子产品的屏幕表面,作为电子产品的屏幕保护膜。传统硅胶保护膜包括上基材层,下基材层及位于上基材层与下基材层间的胶黏剂层。保护膜的剥离和贴合过程中积累大量静电荷,大量静电荷的积累会在保护膜的使用过程中对电子产品产生致命性的破坏风险,大量静电荷的产生也会吸附尘埃粒子,造成电子产品生产过程中的不良,而且保护膜与电子产品贴合容易产生气泡影响美观。中国技术专利说明书CN204820501U(公告日2015.12.02)公开了一种“防静电硅胶保护膜”,包括PET片材层,离型层,所述PET片材层的一侧设置防静电层,另一侧设置硅胶层,所述离型层设置在硅胶层外侧。该硅胶保护膜防静电层的表面阻抗为104-11Ω,具有优秀的抗静电性能,但是随着使用时间的延长,防静电层受到一定程度的磨损,防静电性能也随之降低。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题,本技术的目的是提供一种硅胶保护膜。为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:一种硅胶保护膜,包括上基材层,下基材层,其特征在于,所述上基材层外侧设置有PI层,PI层的一侧设置有第一防静电层,所述PI层的另一侧设置有第一胶黏剂层,所述第一胶黏剂层位于上基材层与PI层之间,所述上基材层与下基材层间设置有第二胶黏剂层,所述上基材层与第二胶黏剂层间设置有第二防静电层。优选的是,所述上基材层和下基材层均为PET层。优选的是,所述第一胶黏剂层采用的胶黏剂为聚酰胺胶黏剂。优选的是,所述第二胶黏剂层采用的胶黏剂为硅胶胶黏剂。优选的是,所述上基材层的厚度为20-50μm。优选的是,所述PI层的厚度为80-120μm。优选的是,所述第一防静电层的厚度为1-2μm。优选的是,所述第二防静电层的厚度为5-10μm。优选的是,所述下基材层的厚度为5-50μm。与现有技术相比,本技术实现的有益效果:本技术硅胶保护膜由上至下依次设置有第一防静电涂层,PI层,第一胶黏剂层,上基材层,第二防静电涂层,第二胶黏剂层和下基材层,第一防静电涂层和第二防静电涂层对硅胶保护膜进行双重保护,避免在长期使用过程中第一防静电涂层发生磨损影响防静电性能;PI层的设置增强硅胶保护膜的抗酸抗碱性能,延长硅胶保护膜的使用寿命;PI层与上基材层间设置有第一胶黏剂层,第二防静电涂层与下基材层间设置有第二胶黏剂层,第一胶黏剂层和第二胶黏剂层的设置提高了硅胶保护膜的机械性能。附图说明以下结合附图和具体实施方式来进一步详细说明本技术:图1是本技术硅胶保护膜的结构示意图。其中:上基材层1,下基材层2,PI层3,第一防静电层4,第一胶黏剂层5,第二胶黏剂层6,第二防静电层7。具体实施方式一种硅胶保护膜,包括上基材层1,下基材层2,上基材层1外侧设置有PI层3,PI层3的一侧设置有第一防静电层4,PI层3的另一侧设置有第一胶黏剂层5,第一胶黏剂层位于上基材层1与PI层3之间,上基材层1与下基材层2间设置有第二胶黏剂层6,上基材层1与第二胶黏剂层6间设置有第二防静电层7。上基材层1和下基材层2均为PET层,上基材层1的厚度为20-50μm,下基材层2的厚度为5-50μm。PI层3的厚度为80-120μmI,PI层3的设置增强硅胶保护膜的抗酸抗碱性能,延长硅胶保护膜的使用寿命。第一防静电层4的厚度为1-2μm,第二防静电层7的厚度为5-10μm,第一防静电层4和第二防静电层7对硅胶保护膜进行双重保护,避免在长期使用过程中第一防静电层4发生磨损影响防静电性能。第一胶黏剂层5采用的胶黏剂为聚酰胺胶黏剂,第二胶黏剂层6采用的胶黏剂为硅胶胶黏剂,第一胶黏剂层5和第二胶黏剂层6的设置提高了硅胶保护膜的机械性能。上述的具体实施方式只是示例性的,是为了更好地使本领域技术人员能够理解本专利,不能理解为是对本专利包括范围的限制;只要是根据本专利所揭示精神的所作的任何等同变更或修饰,均落入本专利包括的范围。本文档来自技高网...
一种硅胶保护膜

【技术保护点】
一种硅胶保护膜,包括上基材层(1),下基材层(2),其特征在于,所述上基材层(1)外侧设置有PI层(3),PI层(3)的一侧设置有第一防静电层(4),所述PI层(3)的另一侧设置有第一胶黏剂层(5),所述第一胶黏剂层(5)位于上基材层(1)与PI层(3)之间,所述上基材层(1)与下基材层(2)间设置有第二胶黏剂层(6),所述上基材层(1)与第二胶黏剂层(6)间设置有第二防静电层(7)。

【技术特征摘要】
1.一种硅胶保护膜,包括上基材层(1),下基材层(2),其特征在于,所述上基材层(1)外侧设置有PI层(3),PI层(3)的一侧设置有第一防静电层(4),所述PI层(3)的另一侧设置有第一胶黏剂层(5),所述第一胶黏剂层(5)位于上基材层(1)与PI层(3)之间,所述上基材层(1)与下基材层(2)间设置有第二胶黏剂层(6),所述上基材层(1)与第二胶黏剂层(6)间设置有第二防静电层(7)。2.如权利要求1所述的硅胶保护膜,其特征在于,所述上基材层(1)和下基材层(2)均为PET层。3.如权利要求1所述的硅胶保护膜,其特征在于,所述第一胶黏剂层(5)采用...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨龙庚
申请(专利权)人:昆山乔伟新材料有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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