一种高压恒流开关电源制造技术

本发明专利技术公开了一种高压恒流开关电源，其特征在于，主要由控制芯片U，电流调制电路，变压器T，三极管VT2，N极与控制芯片U的IN管脚相连接、P极分别与电流调制电路和三极管VT2的集电极相连接的稳压二极管D3，N极与三极管VT2的发射极相连接、P极分别与电流调制电路和控制芯片U的RC管脚相连接的二极管D4等组成。本发明专利技术采用UC3845集成芯片与外围电路相结合，可以提高其对高压转换的效率，并且能够确保其在高压转换后输出稳定的电流，从而使本发明专利技术能够更好的为负载供电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种开关电源，具体是指一种高压恒流开关电源。
技术介绍
随着社会的发展，高压电源技术已日渐成熟，其已被广泛应用于通信、环保以及物理实验等领域；然而现有的高压电源还是存在很大的缺陷，即其在输出高压的同时无法确保输出稳定的电流，这在很大的程度上影响了用电负载的正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服传统的高压电源无法输出稳定电流的缺陷，提供一种高压恒流开关电源。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种高压恒流开关电源，主要由控制芯片U，电流调制电路，变压器T，三极管VT2，N极与控制芯片U的IN管脚相连接、P极分别与电流调制电路和三极管VT2的集电极相连接的稳压二极管D3，N极与三极管VT2的发射极相连接、P极分别与电流调制电路和控制芯片U的RC管脚相连接的二极管D4，正极与三极管VT2的基极相连接、负极则与二极管D4的P极相连接的电容C3，串接在电流调制电路和变压器T的原边电感线圈L1之间的微处理电路，串接在变压器T的原边电感线圈L2与控制芯片U之间的开关电路，以及与变压器T的副边电感线圈L3相连接的输出电路组成；所述变压器T的原边电感线圈L2的同名端分别与控制芯片U的VCC管脚和电流调制电路相连接；所述三极管VT2的基极分别与电流调制电路和控制芯片U的VR管脚相连接。所述电流调制电路由放大器P1，放大器P2，三极管VT1，串接在放大器P1的负极和输出端之间的电阻R1，N极经电阻R2后与放大器P1的输出端相连接、P极则与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的P极相连接、负极则与放大器P2的输出端相连接的电容C2，负极与放大器P2的正电极相连接、正极则与放大器P1的正极共同形成该电流调制电路的输入端的电容C1，正极与电容C1的负极相连接、负极接地的电容C4，P极与放大器P2的输出端相连接、N极则与控制芯片U的AO管脚相连接的二极管D2，以及串接在三极管VT1的集电极和控制芯片U的AO管脚之间的电阻R3组成；所述放大器P1的负极接地、其输出端则与三极管VT1的发射极相连接；所述三极管VT1的发射极与二极管D4的P极相连接、其基极则分别与三极管VT2的集电极和稳压二极管D3的P极相连接；所述放大器P2的负电极接地、其负极则与三极管VT2的基极相连接、其正极则与微处理电路相连接；所述电容C4的负极还分别与控制芯片U的VCC管脚和变压器T的副边电感线圈L2的同名端相连接；所述控制芯片U的GND管脚与三极管VT1的发射极相连接的同时接地。所述微处理电路由正极与放大器P2的正极相连接、负极则经稳压二极管D5后与变压器T的原边电感线圈L1的同名端相连接的电容C5，正极与电容C5的正极相连接、负极则与变压器T的原边电感线圈L1的非同名端相连接的电容C6，以及串接在电容C5的负极和电容C6的负极之间的电阻R4组成。所述开关电路由三极管VT3，场效应管MOS，P极与控制芯片U的OUT管脚相连接、N极则与三极管VT3的基相连接的稳压二极管D6，串接在三极管VT3的集电极和控制芯片U的GND管脚之间的电阻R5，正极与三极管VT3的发射极相连接、负极则与场效应管MOS的栅极相连接的电容C7，以及正极与场效应管MOS的漏极相连接、负极则与控制芯片U的GND管脚相连接的电容C8组成；所述三极管VT3的集电极还与控制芯片U的I管脚相连接；所述场效应管MOS的源极则与变压器T的原边电感线圈L2的非同名端相连接。所述输出电路由稳压二极管D7和电容C9组成；所述稳压二极管D7的P极与变压器T的副边电感线圈L3的非同名端相连接、其N极则与电容C9的负极共同形成该输出电路的输出端；所述电容C9的正极则与变压器T的副边电感线圈L3的同名端相连接。所述控制芯片U为UC3845集成芯片。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本专利技术采用UC3845集成芯片与外围电路相结合，可以提高其对高压转换的效率，并且能够确保其在高压转换后输出稳定的电流，从而使本专利技术能够更好的为负载供电。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由控制芯片U，电流调制电路，变压器T，三极管VT2，N极与控制芯片U的IN管脚相连接、P极分别与电流调制电路和三极管VT2的集电极相连接的稳压二极管D3，N极与三极管VT2的发射极相连接、P极分别与电流调制电路和控制芯片U的RC管脚相连接的二极管D4，正极与三极管VT2的基极相连接、负极则与二极管D4的P极相连接的电容C3，串接在电流调制电路和变压器T的原边电感线圈L1之间的微处理电路，串接在变压器T的原边电感线圈L2与控制芯片U之间的开关电路，以及与变压器T的副边电感线圈L3相连接的输出电路组成。所述变压器T的原边电感线圈L2的同名端分别与控制芯片U的VCC管脚和电流调制电路相连接；所述三极管VT2的基极分别与电流调制电路和控制芯片U的VR管脚相连接。为了更好的实施本专利技术，所述控制芯片U优选UC3845集成芯片来实现。其中，该电流调制电路由放大器P1，放大器P2，三极管VT1，电阻R1，电阻R2，电阻R3，二极管D1，二极管D2，电容C1，电容C2以及电容C4组成。连接时，电阻R1串接在放大器P1的负极和输出端之间。二极管D1的N极经电阻R2后与放大器P1的输出端相连接、其P极则与三极管VT1的集电极相连接。电容C2的正极与二极管D1的P极相连接、其负极则与放大器P2的输出端相连接。电容C1的负极与放大器P2的正电极相连接、其正极则与放大器P1的正极共同形成该电流调制电路的输入端并接电源。电容C4的正极与电容C1的负极相连接、其负极接地。二极管D2的P极与放大器P2的输出端相连接、其N极则与控制芯片U的AO管脚相连接。电阻R3串接在三极管VT1的集电极和控制芯片U的AO管脚之间。同时，所述放大器P1的负极接地、其输出端则与三极管VT1的发射极相连接。所述三极管VT1的发射极与二极管D4的P极相连接、其基极则分别与三极管VT2的集电极和稳压二极管D3的P极相连接。所述放大器P2的负电极接地、其负极则与三极管VT2的基极相连接、其正极则与微处理电路相连接。所述电容C4的负极还分别与控制芯片U的VCC管脚和变压器T的副边电感线圈L2的同名端相连接。所述控制芯片U的GND管脚与三极管VT1的发射极相连接的同时接地。该微处理电路由电容C5，电容C6，电阻R4以及稳压二极管D5组成。其中，电容C5的正极与放大器P2的正极相连接、其负极则与稳压二极管D5的P极相连接。所述稳压二极管D5的N极则与变压器T的原边电感线圈L1的同名端相连接。电容C6的正极与电容C5的正极相连接、其负极则与变压器T的原边电感线圈L1的非同名端相连接。以及串接在电容C5的负极和电容C6的负极之间的电阻R4组成。另外，该开关电路由三极管VT3，场效应管MOS，电阻R5，稳压二极管D6，电容C7以及电容C8组成。连接时，稳压二极管D6的P极与控制芯片U的OUT管脚相连接、其N极则与三极管VT3的基相连接。电阻R5的串接在三极管VT3的集电极和控制芯片U的GND管脚之间。电容C7的正极与三极管V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压恒流开关电源，其特征在于，主要由控制芯片U，电流调制电路，变压器T，三极管VT2，N极与控制芯片U的IN管脚相连接、P极分别与电流调制电路和三极管VT2的集电极相连接的稳压二极管D3，N极与三极管VT2的发射极相连接、P极分别与电流调制电路和控制芯片U的RC管脚相连接的二极管D4，正极与三极管VT2的基极相连接、负极则与二极管D4的P极相连接的电容C3，串接在电流调制电路和变压器T的原边电感线圈L1之间的微处理电路，串接在变压器T的原边电感线圈L2与控制芯片U之间的开关电路，以及与变压器T的副边电感线圈L3相连接的输出电路组成；所述变压器T的原边电感线圈L2的同名端分别与控制芯片U的VCC管脚和电流调制电路相连接；所述三极管VT2的基极分别与电流调制电路和控制芯片U的VR管脚相连接。

【技术特征摘要】
1.一种高压恒流开关电源，其特征在于，主要由控制芯片U，电流调制电路，变压器T，三极管VT2，N极与控制芯片U的IN管脚相连接、P极分别与电流调制电路和三极管VT2的集电极相连接的稳压二极管D3，N极与三极管VT2的发射极相连接、P极分别与电流调制电路和控制芯片U的RC管脚相连接的二极管D4，正极与三极管VT2的基极相连接、负极则与二极管D4的P极相连接的电容C3，串接在电流调制电路和变压器T的原边电感线圈L1之间的微处理电路，串接在变压器T的原边电感线圈L2与控制芯片U之间的开关电路，以及与变压器T的副边电感线圈L3相连接的输出电路组成；所述变压器T的原边电感线圈L2的同名端分别与控制芯片U的VCC管脚和电流调制电路相连接；所述三极管VT2的基极分别与电流调制电路和控制芯片U的VR管脚相连接。2.根据权利要求1所述的一种高压恒流开关电源，其特征在于，所述电流调制电路由放大器P1，放大器P2，三极管VT1，串接在放大器P1的负极和输出端之间的电阻R1，N极经电阻R2后与放大器P1的输出端相连接、P极则与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的P极相连接、负极则与放大器P2的输出端相连接的电容C2，负极与放大器P2的正电极相连接、正极则与放大器P1的正极共同形成该电流调制电路的输入端的电容C1，正极与电容C1的负极相连接、负极接地的电容C4，P极与放大器P2的输出端相连接、N极则与控制芯片U的AO管脚相连接的二极管D2，以及串接在三极管VT1的集电极和控制芯片U的AO管脚之间的电阻R3组成；所述放大器P1的负极接地、其输出端则与三极管VT1的发射极相连接；所述三极管VT1的发射极与二极管D4的P极相连接、其基极则分别与三极管VT2的集电极和稳压二极管D3的P极相连接；所述放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洪军，
申请(专利权)人：成都尼奥尔电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51