本发明专利技术公开了一种植物栽培方法,特别公开了一种山药高产种植方法。该山药高产种植方法,其特殊之处在于:种植前需要种子去菌脱毒:将嘴子和健壮无病虫害的块茎段子用1%等量混合的甲托、多菌灵、灭菌星、恶霉灵液浸种,码放到室内,每棵块茎之间留出1cm通气道,每码一层放一层细软草棵;码放10-20个高,在室内点燃煤炉升温到37℃脱毒72小时。本发明专利技术的种植方法使种植的山药病虫害少、肥料利用率高,大大提高了山药的亩产量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种植物栽培方法,特别涉及一种。(二)
技术介绍
山药是薯蓣科薯蓣属中能形成地下肉质块茎的一年生或多年生缠绕性藤本植物。生产中大都是利用嘴子或山药的前1/3作种。由于山药具有明显的顶端优势,萌芽能力差异很大,有的块茎种到地后长达l一2个月出不齐苗,还有的块茎在土中烂掉。所以有的光用嘴子 作种,由于山药嘴子的细长部分细弱带菌,多数群众种出的山药炭疽 病、褐班病特别严重,种的好的产量也一直徘徊在五六千斤之间。(三)
技术实现思路
本专利技术为了弥补现有技术的不足,提供了一种避免病虫害、产量 高的。本专利技术是通过如下技术方案实现的一种,其特殊之处在于种植前需要种子去菌 脱毒将嘴子和健壮无病虫害的块茎段子用1%等量混合的甲托、多菌灵、灭菌星、恶霉灵液浸种,码放到室内,每棵块茎之间留出lcm通 气道,每码一层放一层细软草棵;码放10—20个高,在室内点燃煤 炉升温到37'C脱毒72小时。本专利技术的,其进一步改进在于将脱毒过的种 子晒种去菌催芽将脱毒过的嘴子, 一道、二道块茎分开码放,用1% 等量混合的甲托、多菌灵、灭菌星、恶霉灵液浸种晾晒,勤翻动、防 擦伤破皮;7_10天后转入催芽,把山药最下一道块茎放进能封闭的 塑料棚内,盖上草苫子,恒温25'C催芽,待块茎上露出生长点后,再 依次催上一道块茎,最后统一催芽待种,谷雨前结束催芽。本专利技术的,包括如下步骤(1) 避免跑嘴子、瞎山药立春前将嘴子的细长部分去掉;(2) 种子去菌脱毒;(3) 种子晒种去菌催芽;(4) 土壤处理和施肥配方用生物菌种改良土壤环境,杀虫剂 用毒死牌或辛硫磷,线虫地块禁种山药;用生物有机肥8—10袋/亩, 肥料配方N:P205:K20为4: 1: 5,用生物菌种拌复合肥;(5) 防水淹塌沟凡种过山药的地块,年前洇沟轧实;留出排 水沟,山药沟上铺塑料薄膜;(6) 山药种植开沟后,沟施生物菌种和毒死蜱、辛硫磷药土;(7) 追肥待山药长出30cm高时追高氮肥和生物有机肥;以后 每月一次,追施高氮高钾复合肥,每次50—100斤,共追2—3次。2007年单县种植山药几十万亩,80%的群众赔的血本无归,而使 用本专利技术的方法在亩投资省300多元的前提下大幅增产,有的产量翻 番,单县莱河镇张海、徐海、李庄村的高产地块亩产量一万七八千斤, 亩净收益在万元以上。本专利技术的种植方法使种植的山药病虫害少、肥料利用率高,大大 提高了山药的亩产量。 具体实施例方式以下为本专利技术的一种具体实施例。该实施例山药高产采用如下步骤一、 避免跑嘴子、瞎山药立春前一定将嘴子的细长部分去掉,避免养分流失,细长部分去 掉后,生长点养分输送通道大,生长点健壮、硕大,种出的山药不跑 嘴子,把带菌多的细长部分去掉也少发病。二、 种子去菌脱毒块茎连年种植,山药种子的优良性能退化。群众不懂得脱毒复壮。 将去掉嘴子细长部分的嘴子和健壮无病虫害的块茎段子用1%等量混 合的甲托、多菌灵、灭菌星、恶霉灵液浸种,码放到室内,每棵块茎之间留出lcm通气道,每码一层放一层细软草棵。码放10—20个高, 在室内点燃煤炉升温到37C脱毒72小时, 一能脱毒复壮种子;二能增加种子生长期的积温。此项技术可增产20%以上产量。三、 种子晒种去菌催芽将脱毒过的嘴子, 一道、二道块茎分开码放,用1%等量混合的甲 托、多菌灵、灭菌星、恶霉灵液浸种晾晒,勤翻动、防擦伤破皮。7一10天后转入催芽,在室外栽2m高的四棵柱子,拉上铁丝、罩一个能封闭的塑料棚,把山药最下一道块茎放进棚内,盖上草苫子,恒温25。C催芽,待块茎上露出生长点后,再依次催上一道块茎,最后统一 催芽待种,谷雨前结束催芽,此项技术在2007—2008年己让群众增 产30%—100%。四、 土壤处理技术和施肥配方现在山药区的土壤环境很差,广谱杀菌剂在杀害菌的同时也杀灭 了土壤有益菌,建议改用生物菌种改良土壤环境,杀虫剂用毒死牌或 辛硫磷,线虫地块禁种山药。现在的畜禽大量喂食盐、激素。山药是忌激素、食盐作物,况且 动物粪便菌虫量大,烧过了不壮,烧不好不如不上,建议禁用动物粪 便改用生物有机肥8—10袋/亩;因豆子、饼粕很易烧坏生长点,建议禁用。肥料配方N:P205:K20为4: 1: 5,群众在实际生产中严重违反了需肥规律,普通缺氮、钾。因尿素、二铵有很大副作用,建议改 用生物菌种拌复合肥。以提高肥料利用率。五、 防水淹塌沟凡种过山药的地块,年前一定洇沟轧实。年后不再提倡洇沟。一 定留出排水沟,建议山药沟上铺塑料薄膜。 一防水淹塌沟,二能提高 地温。六、 山药种植开沟后,推荐沟施生物菌种和毒死蜱、辛硫磷药土。禁用化肥、 豆子、饼粕等沟施,避免山药生长点烧坏。七、 追肥技术山药前期生长靠自身养分,待山药长出30cm高时,山药生长点 靠自身养分已不能满足需要,此时应追高氮肥十生物有机肥,以满足 生长点发粗和促进山药秧快长的需要,以后每月一次,参照山药的需肥规律追施高氮高钾复合肥,每次50—100斤,共追2—3次。八、 病虫害防治技术山药秧前促后控。严禁激素药控秧,严禁使用高毒农药杀虫,主 要防治山药炭疽病和褐斑病,提倡交替使用绿色环保的保护剂和治疗 剂杀菌。九、 注意旱浇涝排山药较耐旱,特别是种下时易发生旱情,此时应注意喷水抗旱, 满足山药对水的需要。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种山药高产种植方法,其特征在于:种植前需要种子去菌脱毒:将嘴子和健壮无病虫害的块茎段子用1%等量混合的甲托、多菌灵、灭菌星、恶霉灵液浸种,码放到室内,每棵块茎之间留出1cm通气道,每码一层放一层细软草棵;码放10-20个高,在室内点燃煤炉升温到37℃脱毒72小时。
【技术特征摘要】
1. 一种山药高产种植方法,其特征在于种植前需要种子去菌脱毒将嘴子和健壮无病虫害的块茎段子用1%等量混合的甲托、多菌灵、灭菌星、恶霉灵液浸种,码放到室内,每棵块茎之间留出1cm通气道,每码一层放一层细软草棵;码放10—20个高,在室内点燃煤炉升温到37℃脱毒72小时。2. 根据权利要求1所述的山药高产种植方法,其特征在于将脱毒 过的种子晒种去菌催芽将脱毒过的嘴子, 一道、二道块茎分开 码放,用1%等量混合的甲托、多菌灵、灭菌星、恶霉灵液浸种晾 晒,勤翻动、防擦伤破皮;7—10天后转入催芽,把山药最下一道 块茎放进能封闭的塑料棚内,盖上草苫子,恒温25'C催芽,待块 茎上露出生长点后,再依次催上一道块茎,最后统一催芽待种, 谷雨...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱启阁,
申请(专利权)人:朱启阁,
类型:发明
国别省市:37[中国|山东]
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