一种电压信号采集系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种电压信号采集系统，包括电阻R1、光耦U1、电阻R6、电容C1、二极管D1、单向可控硅VS和二极管D2，所述电阻R6一端连接电压采集端Vi，电阻R6另一端分别连接电阻R5、电阻R7和单向可控硅VS的G极，电阻R5另一端连接电容C3，电阻R7另一端连接单向可控硅VS的A极并接地，单向可控硅VS的K极分别连接电容C3另一端、电阻R4和光耦U1内发光二极管负极，电阻R4另一端分别连接电源VCC2、电阻R3和电阻R1。本实用新型专利技术电压信号采集系统采用单向可控硅进行电压信号的采集处理，配合光耦进行信号隔离控制，抗电磁干扰能力强，稳定性高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种采集系统，具体是一种电压信号采集系统。
技术介绍
DC/DC模块电源是电子产品设计中广泛使用的二次电源，它将一次电源单一的输出电压进行二次变换，变成各种需要的电压，提供给芯片。由于模块体积小，所以功率密度要求高，同时工作环境较为恶劣，可靠性要求高；模块电源一般要求工作温度为-20～55℃,MTBF(平均无故障时间)要求在20万小时以上。目前很多DC/DC模块电源都通过对输出端电压信号进行采集、反馈来进行稳压，很多DC/DC模块电源的处理方式都是采用运放对输出端电压信号进行采样后送处理芯片处理，这样虽然处理方式简单，但是抗电磁干扰能力弱。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电压信号采集系统，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种电压信号采集系统，包括电阻R1、光耦U1、电阻R6、电容C1、二极管D1、单向可控硅VS和二极管D2，所述电阻R6一端连接电压采集端Vi，电阻R6另一端分别连接电阻R5、电阻R7和单向可控硅VS的G极，电阻R5另一端连接电容C3，电阻R7另一端连接单向可控硅VS的A极并接地，单向可控硅VS的K极分别连接电容C3另一端、电阻R4和光耦U1内发光二极管负极，电阻R4另一端分别连接电源VCC2、电阻R3和电阻R1，电阻R3另一端连接光耦U1内发光二极管正极，电阻R1另一端连接光耦U1内光敏三极管集电极，光耦U1内光敏三极管发射极分别连接电阻R2、电容C1、电容C2、二极管D2负极、二极管D1正极和输出端V1，二极管D2正极分别连接电容C1另一端、电容C2另一端和电阻R2另一端并接地，二极管D1负极连接电源VCC1。作为本技术进一步的方案：所述电源VCC2电压为15V。作为本技术再进一步的方案：所述单向可控硅VS采用TL431。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术电压信号采集系统采用单向可控硅进行电压信号的采集处理，配合光耦进行信号隔离控制，抗电磁干扰能力强，稳定性高。附图说明图1为电压信号采集系统的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种电压信号采集系统，包括电阻R1、光耦U1、电阻R6、电容C1、二极管D1、单向可控硅VS和二极管D2，所述电阻R6一端连接电压采集端Vi，电阻R6另一端分别连接电阻R5、电阻R7和单向可控硅VS的G极，电阻R5另一端连接电容C3，电阻R7另一端连接单向可控硅VS的A极并接地，单向可控硅VS的K极分别连接电容C3另一端、电阻R4和光耦U1内发光二极管负极，电阻R4另一端分别连接电源VCC2、电阻R3和电阻R1，电阻R3另一端连接光耦U1内发光二极管正极，电阻R1另一端连接光耦U1内光敏三极管集电极，光耦U1内光敏三极管发射极分别连接电阻R2、电容C1、电容C2、二极管D2负极、二极管D1正极和输出端V1，二极管D2正极分别连接电容C1另一端、电容C2另一端和电阻R2另一端并接地，二极管D1负极连接电源VCC1；所述电源VCC2电压为15V；所述单向可控硅VS采用TL431。本技术的工作原理是：请参阅图1，电压信号从Vi获得，R6、R7为输出电压采样电阻，当Vi电压高于设定值时，VS导通，U1导通，输出端V1和Vo输出稳定的直流电压，C1和C2起滤波作用，可以将系统不需要的高频和低频噪声滤除掉，提高系统信号处理的精度和稳定性，另外采用稳压二极管D2限制输入电压幅值，同时输入电压V1还通过二极管与电源VCC1相连，以吸收瞬间的电压尖峰。当电压超过稳压二极管D2的阈值时，二极管D2导通，电压尖峰的能量被与电源并联的滤波电容C1和去耦电容C2吸收。并联电阻R4的目的是给TL431提供偏置电流，保证TL431至少有1mA的电流流过。C3和R3作为反馈网络的补偿元件，用以优化系统的频率特性。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压信号采集系统，包括电阻R1、光耦U1、电阻R6、电容C1、二极管D1、单向可控硅VS和二极管D2，其特征在于，所述电阻R6一端连接电压采集端Vi，电阻R6另一端分别连接电阻R5、电阻R7和单向可控硅VS的G极，电阻R5另一端连接电容C3，电阻R7另一端连接单向可控硅VS的A极并接地，单向可控硅VS的K极分别连接电容C3另一端、电阻R4和光耦U1内发光二极管负极，电阻R4另一端分别连接电源VCC2、电阻R3和电阻R1，电阻R3另一端连接光耦U1内发光二极管正极，电阻R1另一端连接光耦U1内光敏三极管集电极，光耦U1内光敏三极管发射极分别连接电阻R2、电容C1、电容C2、二极管D2负极、二极管D1正极和输出端V1，二极管D2正极分别连接电容C1另一端、电容C2另一端和电阻R2另一端并接地，二极管D1负极连接电源VCC1。

【技术特征摘要】
1.一种电压信号采集系统，包括电阻R1、光耦U1、电阻R6、电容C1、二极管D1、单
向可控硅VS和二极管D2，其特征在于，所述电阻R6一端连接电压采集端Vi，电阻R6另
一端分别连接电阻R5、电阻R7和单向可控硅VS的G极，电阻R5另一端连接电容C3，电
阻R7另一端连接单向可控硅VS的A极并接地，单向可控硅VS的K极分别连接电容C3另
一端、电阻R4和光耦U1内发光二极管负极，电阻R4另一端分别连接电源VCC2、电阻R3
和电阻R1，电阻R3另一端连接光耦U1内发...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈朋，
申请(专利权)人：北京创新纪技术开发有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11