【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种固态成像装置及其制造方法。
技术介绍
一直以来，在数码照相机或数码摄像机等具备成像功能的电子设备中，例如，可使用CCD(ChargeCoupledDevice：电荷耦合装置)或CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器等固态成像装置。例如COMS图像传感器可采用如下结构，即，将来自包含受光元件(光电二极管)的像素的电荷传送至浮置扩散层(floatingdiffusionlayer)，并且利用源极跟随器电路来读取浮置扩散层的电位的结构。例如，在专利文献1中记载了通过设置杂质浓度相对于P阱而足够低的P-型杂质层，从而使因PN结而产生的耗尽层的厚度增大，进而使浮置扩散层的电容减小。而且，在专利文献1中记载了如下的内容，即，通过减小浮置扩散层的电容，从而使浮置扩散层的电位变动增大，进而使电荷检测灵敏度提高。在将光电二极管和浮置扩散层形成在同一基板中的固态成像装置...
【技术保护点】
一种固态成像装置，包括：第一导电型阱；第一的第二导电型扩散层，其被设置于所述第一导电型阱中，并通过被照射光而产生载流子；第二的第二导电型扩散层，其被设置于所述第一导电型阱中，在所述第一的第二导电型扩散层中所产生的载流子向所述第二的第二导电型扩散层被传送并被蓄积在该第二的第二导电型扩散层中；第一的第一导电型扩散层，其被设置于所述第二的第二导电型扩散层之下，所述第二的第二导电型扩散层的杂质浓度高于所述第一的第二导电型扩散层的杂质浓度，所述第一的第一导电型扩散层的杂质浓度低于所述第一导电型阱的杂质浓度。
【技术特征摘要】
2014.11.25 JP 2014-2377751.一种固态成像装置，包括：
第一导电型阱；
第一的第二导电型扩散层，其被设置于所述第一导电型阱中，并通过被
照射光而产生载流子；
第二的第二导电型扩散层，其被设置于所述第一导电型阱中，在所述第
一的第二导电型扩散层中所产生的载流子向所述第二的第二导电型扩散层被
传送并被蓄积在该第二的第二导电型扩散层中；
第一的第一导电型扩散层，其被设置于所述第二的第二导电型扩散层之
下，
所述第二的第二导电型扩散层的杂质浓度高于所述第一的第二导电型扩
散层的杂质浓度，
所述第一的第一导电型扩散层的杂质浓度低于所述第一导电型阱的杂质
浓度。
2.如权利要求1所述的固态成像装置，其中，
包括第一导电型元件分离区域和第二的第一导电型扩散层，
所述第一导电型元件分离区域被设置于所述第一的第二导电型扩散层以
及所述第二的第二导电型扩散层的周围，
所述第二的第一导电型扩散层被设置于所述第一导电型元件分离区域与
所述第二的第二导电型扩散层之间，
所述第一导电型元件分离区域的杂质浓度高于所述第一导电型阱的杂质
浓度，
所述第二的第一导电型扩散层的杂质浓度低于所述第一导电型阱的杂质
浓度。
3.如权利要求2所述的固态成像装置，其中，
在俯视观察时，所述第一的第一导电型扩散层与所述第二的第二导电型
扩散层以及所述第二的第一导电型扩散层重叠。
4.如权利要求1至3中任一项所述的固态成像装置，其中，
包括第三的第二导电型扩散层，所述第三的第二导电型扩散层被设置于
\t所述第一导电型阱中，且位于所述第一的第二导电型扩散层与所述第二的第
二导电型扩散层之间，在所述第一的第二导电型扩散层中所产生的载流子向
所述第三的第二导电型扩散层被传送并被蓄积在该第三的第二导电型扩散层
中，
所述第三的第二导电型扩散层的杂质浓度高于所述第一的第二导电型扩
散层的杂质浓度且低于所述第二的第二导电型扩散层的杂质浓度，
在所述第一的第二导电型扩散层中所产生的载流子经由所述第三的第二
导电型扩散层而向所述第二的第二导电型扩散层被传送。
5.如权利要求1至4中任一项所述的固态成像装置，其中，
包括第一绝缘层和第一电极，
所述第一绝缘层被设置于所述第一的...
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