【技术实现步骤摘要】
本专利技术创造属于硅生产领域,尤其是涉及一种硅料生产用坩埚装置。
技术介绍
直拉单晶硅的制备是在单晶炉中使用石墨加热器将硅原料熔化,采用直拉法将熔体硅生长为单晶硅的过程。为防止外界对硅料的污染,采用高纯石英坩埚作为装硅料的器具,其外部为石墨埚帮做为支撑,生产中,硅料熔点1420℃,在此高温下石墨与石英发生反应,其化学反应有:SiO2+2C=SiC+CO2↑CO2↑+C=2CO↑,部分CO会熔入硅液中随单晶硅的生长进入单晶硅中,导致单晶硅中碳含量升高,因此影响单晶硅的质量。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术创造旨在提出一种硅料生产用坩埚装置,以解决现在硅生产中CO进入硅液中影响硅的结晶质量的问题。为达到上述目的,本专利技术创造的技术方案是这样实现的:一种硅料生产用坩埚装置,包括石墨坩埚、石英坩埚和阻气环,所述石英坩埚设置在石墨坩埚内,该石英坩埚顶部高出石墨坩埚顶部,该石英坩埚锅帮和石墨坩埚锅帮间存在间隙,在该间隙内设有支撑结构,所述石墨坩埚锅帮和石英坩埚锅帮通过支撑结构连接,所述支撑结构设有和外界相通的气道,所述阻气环套装在石英坩埚顶部外侧,该阻气环和石英坩埚在连接 ...
【技术保护点】
一种硅料生产用坩埚装置,其特征在于:包括石墨坩埚(1)、石英坩埚(2)和阻气环(3),所述石英坩埚(2)设置在石墨坩埚(1)内,该石英坩埚(2)顶部高出石墨坩埚(1)顶部,该石英坩埚锅帮(21)和石墨坩埚锅帮(11)间存在间隙,在该间隙内设有支撑结构,所述石墨坩埚锅帮(11)和石英坩埚锅帮(21)通过支撑结构连接,所述支撑结构设有和外界相通的气道(4),所述阻气环(3)套装在石英坩埚(2)顶部外侧,该阻气环(3)和石英坩埚(2)在连接处密封连接,所述阻气环(3)外径大于石墨坩埚(1)顶部内径,该阻气环(3)底面和石墨坩埚(1)顶面间留有排气空间。
【技术特征摘要】
1.一种硅料生产用坩埚装置,其特征在于:包括石墨坩埚(1)、石英坩埚(2)和阻气环(3),所述石英坩埚(2)设置在石墨坩埚(1)内,该石英坩埚(2)顶部高出石墨坩埚(1)顶部,该石英坩埚锅帮(21)和石墨坩埚锅帮(11)间存在间隙,在该间隙内设有支撑结构,所述石墨坩埚锅帮(11)和石英坩埚锅帮(21)通过支撑结构连接,所述支撑结构设有和外界相通的气道(4),所述阻气环(3)套装在石英坩埚(2)顶部外侧,该阻气环(3)和石英坩埚(2)在连接处密封连接,所述阻气环(3)外径大于石墨坩埚(1)顶部内径,该阻气环(3)底面和石墨坩埚(1)顶面间留有排气空间。2.根据权利要求1所述的一种硅料生产用坩埚装置,其特征在于:石英坩埚锅帮(21)和石墨坩埚锅帮(11)间间隙为3-10mm。3.根据权利要求1所述的一种硅料生产用坩埚装置,其特征在于:所述阻气环(3)底面和石墨坩埚(1)顶面间距离为5-30mm。4.根据权利要求1所述的一种硅料生产用坩埚装置,其特征在于:所述石英坩埚锅帮(21...
【专利技术属性】
技术研发人员:王军磊,
申请(专利权)人:内蒙古中环光伏材料有限公司,
类型:新型
国别省市:内蒙古;15
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