曝光方法技术

技术编号:14776460 阅读:80 留言:0更新日期:2017-03-09 13:07
本发明专利技术涉及一种曝光方法。该曝光方法包括如下步骤:提供基板,该基板上形成待图案化的薄膜,该薄膜包括第一区域及第二区域;提供曝光光源,设置于该基板的一侧;提供掩膜,设置于该曝光光源与基板之间,该掩膜具有图案化的开口;提供透镜模组,该透镜模组设置于该掩膜与该基板之间,用于对该掩膜的开口进行放大;控制该基板与掩膜均沿第一方向运动,使得曝光光源经由该开口、该透镜模组使该第一区域被曝光;控制该基板与该掩膜均沿第二方向运动,使得曝光光源经由该开口、该透镜模组使该第二区域被曝光,其中该基板的运动速度大于该掩膜的运动速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种曝光方法,尤其是一种应用于显示面板制程中用于形成图案化薄膜的曝光方法。
技术介绍
在各种电子装置(如显示面板)的制造过程中,曝光方法被广泛用于形成图案化薄膜,然而现有曝光方法中,当待曝光基板的尺寸较大时,可能需要针对整个基板的多个区域分别曝光才能使得整个基板完全曝光,但采用此种曝光方式可能导致相邻两个依次曝光的区域之间具有不必要的间隔区域,降低整个基板的利用率。
技术实现思路
为解决现有曝光方法的基板利用率较低的技术问题,本专利技术提供一种基板利用率较高的曝光方法。一种曝光方法,用于形成图案化薄膜,其包括如下步骤:提供基板,该基板上形成待图案化的薄膜,该薄膜包括第一区域及第二区域;提供曝光光源,设置于该基板的一侧;提供掩膜,设置于该曝光光源与基板之间,该掩膜具有图案化的开口;提供透镜模组,该透镜模组设置于该掩膜与该基板之间,用于对该掩膜的开口进行放大;控制该基板与掩膜均沿第一方向运动,使得曝光光源发出的光线依序经由该掩膜的开口、该透镜模组照射到该薄膜的第一区域上,进而该第一区域完成曝光而被图案化,其中该基板的运动速度大于该掩膜的运动速度;控制该基板与该掩膜均沿第二方向运动,使得曝光光源发出的光线依序经由该掩膜的开口、该透镜模组照射到该薄膜的第二区域上,进而该第二区域完成曝光而被图案化,其中该基板的运动速度大于该掩膜的运动速度。与现有技术相比较,本案提供的曝光方法中,通过透镜模组放大掩膜开口图案,并控制基板的运动速度大于该掩膜的运动速度,使得第一区域与该第二区域的曝光区域增大,从而可减少或消除该第一区域与该第二区域之间的间隔区域,提高基板的利用率。附图说明图1是本专利技术曝光方法第一实施方式的曝光过程示意图。图2是图1所示曝光方法的透镜模组的平面结构示意图。图3是图1所示曝光方法中第一区域曝光的各步骤流程示意图。图4是本专利技术曝光方法第二实施方式的曝光过程示意图。主要元件符号说明基板110、210薄膜115、215第一区域111、211第二区域112、212第三区域113第四区域114曝光光源120、220掩膜130、230开口131、231透镜模组140、240透镜元件141平面投影142第一方向X如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式本专利技术提供一种曝光方法,用于形成图案化薄膜,其中该曝光方法可用于在显示面板的制造过程中形成图案化的薄膜,如图案化的透明电极薄膜等。请参阅图1,图1是本专利技术曝光方法第一实施方式的曝光过程示意图,该曝光方法包括如下步骤:步骤S1,提供基板110,该基板110上形成待图案化的薄膜115,该薄膜115包括第一区域111、第二区域112、第三区域113及第四区域114。该基板110可以为透明基板,如玻璃基板,该薄膜115形成在该基板110的上表面,在变更实施方式中,该薄膜1115也可以形成在该基板110的下表面。该基板110及该薄膜115均为矩形,且尺寸可以基本相同,具体地,本实施方式中,该薄膜115的平面尺寸为1850mm*1500mm(mm为毫米)。该第一、第二、第三及第四区域111、112、113、114可以为尺寸相同的矩形区域,其中每个区域111、112、113、114的尺寸可以为925mm*750mm。具体地,本实施方式中,该第一区域111与该第二区域112及第三区域113相邻,该第四区域114与该第二区域112及该第三区域113相邻,该第一区域111与该第四区域114对角设置,该第二区域112与该第三区域113对角设置。步骤S2,提供曝光光源120,设置于该基板110的一侧。具体地,该曝光光源120优选设置于该基板110的形成有该薄膜115的表面一侧,当然,在变更实施方式中,当该基板110为透明基板,该曝光光源120也可以设置于该基板110的形成有该薄膜115的表面相反的一侧,使得曝光光源120可以经由该透明基板110对该薄膜115进行曝光。步骤S3,提供掩膜130,设置于该曝光光源120与基板110之间,该掩膜130具有图案化的开口131。可以理解,该开口131可以让曝光光源120发出的光线通过,该掩膜130除该开口以外的其他部分则阻止该曝光光源120发出的光线通过。该掩膜130的图案化开口131可以根据需求设计。本实施方式中,该掩膜130的尺寸略小于该薄膜130的每个区域111、112、113、114的尺寸,为880mm*716mm。步骤S4,提供透镜模组140,该透镜模组140设置于该掩膜130与该基板110之间,用于对该掩膜130的开口131进行放大,从而该曝光光源120的光线经由该开口131及该透镜模组140后被放大。请一并参阅图2,图2是该透镜模组140的平面结构示意图。该透镜模组140包括多个透镜元件141,该多个透镜元件141排列成第一排及第二排,其中,该第二排的透镜元件141对应第一排的相邻两个透镜元件141之间的位置设置。具体地,每个透镜元件141的平面形状可以为梯形。该透镜元件141对物体的放大倍数可依据实际需要设计,本实施方式中,该透镜元件141对开口的放大倍数为1.05倍,即该透镜元件141的平面投影142为该透镜元件141实际平面面积的1.05倍。其中,该掩膜130、该透镜模组140及该基板110可以大致平行。步骤S5,控制该基板110与掩膜130均沿第一方向X运动,使得曝光光源120发出的光线依序经由该掩膜130的开口131、该透镜模组140照射到该薄膜115的第一区域111上,进而该第一区域115完成曝光而被图案化,其中该基板110的运动速度大于该掩膜130的运动速度。优选地,该步骤S5中,该曝光光源120保持不动。请一并参阅图3,图3是该第一区域111曝光的各步骤的平面示意图。图(a)中,该掩膜130的位于该透镜元件141的左侧,且该掩膜130的右侧边与该透镜元件141的左侧对齐。该透镜元件141的平面投影142略大于该透镜元件141,该第一区域111位于该透镜元件141的平面投影的左侧,且该第一区域111的右侧边与该透镜元件141的平面投影142的左侧对齐。图(b)中,控制该掩膜130与该第一区域111同时沿该第一方向X运动,该曝光光源120发出的光线依序经由该掩膜130的开口131、该透镜模组140照射到该薄膜115的第一区域111上,使得该第一区域111的右侧部分逐渐被图案化,即该第一区域111上具有被曝光光源照射到的曝光区域,以及未被曝光光源照射的未曝光区域。其中,该第一区域111的运动速度大于该掩膜130的运动速度。图(c)中,该掩膜130与该第一区域111继续沿该第一方向X运动,该曝光光源120发出的光线依序经由该掩膜130的开口131、该透镜模组140照射到该薄膜115的第一区域111上,使得该第一区域111的左侧部分逐渐被图案化,即该第一区域111上具有被曝光光源120照射到的曝光区域,以及未被曝光光源照射的未曝光区域。其中,该第一区域111的运动速度大于该掩膜130的运动速度。图(d)中,直至该掩膜130运动至该掩膜130的左侧边与该透镜元件141的右侧边对齐,同时该第一区域111也运动至该第一区域111的左侧边与该透镜元件141的平面投影142的右侧边对齐,该第一区域第一区域1本文档来自技高网...
曝光方法

【技术保护点】
一种曝光方法,用于形成图案化薄膜,其包括如下步骤:提供基板,该基板上形成待图案化的薄膜,该薄膜包括第一区域及第二区域;提供曝光光源,设置于该基板的一侧;提供掩膜,设置于该曝光光源与基板之间,该掩膜具有图案化的开口;提供透镜模组,该透镜模组设置于该掩膜与该基板之间,用于对该掩膜的开口进行放大;控制该基板与掩膜均沿第一方向运动,使得曝光光源发出的光线依序经由该掩膜的开口、该透镜模组照射到该薄膜的第一区域上,进而该第一区域完成曝光而被图案化,其中该基板的运动速度大于该掩膜的运动速度;控制该基板与该掩膜均沿第二方向运动,使得曝光光源发出的光线依序经由该掩膜的开口、该透镜模组照射到该薄膜的第二区域上,进而该第二区域完成曝光而被图案化,其中该基板的运动速度大于该掩膜的运动速度。

【技术特征摘要】
1.一种曝光方法,用于形成图案化薄膜,其包括如下步骤:提供基板,该基板上形成待图案化的薄膜,该薄膜包括第一区域及第二区域;提供曝光光源,设置于该基板的一侧;提供掩膜,设置于该曝光光源与基板之间,该掩膜具有图案化的开口;提供透镜模组,该透镜模组设置于该掩膜与该基板之间,用于对该掩膜的开口进行放大;控制该基板与掩膜均沿第一方向运动,使得曝光光源发出的光线依序经由该掩膜的开口、该透镜模组照射到该薄膜的第一区域上,进而该第一区域完成曝光而被图案化,其中该基板的运动速度大于该掩膜的运动速度;控制该基板与该掩膜均沿第二方向运动,使得曝光光源发出的光线依序经由该掩膜的开口、该透镜模组照射到该薄膜的第二区域上,进而该第二区域完成曝光而被图案化,其中该基板的运动速度大于该掩膜的运动速度。2.如权利要求1所述的曝光方法,其特征在于,该第一方向与该第二方向相同。3.如权利要求1所述的曝光方法,其特征在于,该薄膜还包括第三区域及第四区域,该曝光方法还包括如下步骤:控制该基板与该掩膜均沿第三方向运动,使得曝光光源发出的光线依序经由该掩膜的开口、该透镜模组照射到该薄膜的第三区域上,进而该第三区域完成曝光而被图案化,其中该基板的运动速度大于该掩膜的运动速度;控制该基板与该掩膜均沿第四方向运动,使得曝光光源发出的光线依序经由该掩膜的开口、该透镜模组照射到该薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄正邦李春阳黄建智
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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