荧光体制造技术

本发明专利技术提供一种新的荧光体。荧光体的通式由aMIX·MII1‑xMIMVO4：(Re)x所示，式中，MI表示选自由K、Li、Na、Rb、Cs、Fr、Cu及Ag组成的组中且以K为必须的至少一种元素；MII表示选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Mn、Zn、Cd及Sn组成的组中的至少一种元素；MV表示选自由P、V、Nb、Ta、As、Sb及Bi组成的组中的至少一种元素；X表示以F为必须的至少一种卤素；Re为选自由稀土元素组成的组中且以Eu为必须的至少一种元素；a为0.6≤a≤1.4的范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及荧光体。
技术介绍
以往，开发出了各种红色荧光体。例如，开发出了CaAlSiN3：Eu、(Ca，Sr)AlSiN3：Eu、Ca2Si5N8：Eu这样的组成的红色荧光体(参见专利文献1～3)。现有技术文献专利文献[专利文献1]日本专利第3837588号公报[专利文献2]日本特开2008-106224号公报[专利文献3]日本特开2005-093912号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题但是，以往的红色荧光体，包括上述组成的荧光体在内，以氮化物为主流。在氮化物的荧光体的合成中，需要脱氧气氛、高温高压等特殊的环境，导致制造成本增大。此外，上述红色荧光体的激发端位于500～550nm之间。因此，为了实现白色光而将这样的红色荧光体与以其他颜色发光的荧光体一起使用时，吸收蓝色、绿色、黄色等荧光体所发出的光并转变为红色。结果，相对于荧光体的含量、涂布形式的微小变动，可产生色度大幅偏离所希望的发光颜色这样的情况，因此难以进行色彩校正。本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种新的荧光体。解决技术问题的技术手段为了解决上述课题，本专利技术的一个形态的荧光体的通式由aMIX·MII1-xMIMVO4：(Re)x所示(其中，MI表示选自由K、Li、Na、Rb、Cs、Fr、Cu及Ag组成的组中且以K为必须的至少一种元素；MII表示选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Mn、Zn、Cd及Sn组成的组中的至少一种元素；MV表示选自由P、V、Nb、Ta、As、Sb及Bi组成的组中的至少一种元素；X表示以F为必须的至少一种卤素；Re表示选自由稀土元素组成的组中且以Eu为必须的至少一种元素。a为0.6≤a≤1.4的范围)。根据该形态，能够实现不以氮元素作为必须元素的新的荧光体，不需要在脱氧气氛、高温高压等特殊的环境中制造，能够实现低成本的荧光体。激发光谱的峰波长可以为420nm以下，激发光谱的激发端可以为450nm以下。据此，难以吸收其他颜色的荧光体所发出的光，例如，在应用到通过与其他颜色的荧光体所发出的光混色而实现白色光的装置中时，能够抑制色度的偏差。上述荧光体的通式中，x可以为0.007≤x≤0.2的范围。此外，本专利技术的另一形态也为荧光体。该荧光体的发光光谱的峰波长为600～700nm的范围，激发光谱的峰波长为420nm以下，激发光谱的激发端为450nm以下。根据该形态，例如，即使在与蓝色荧光体、绿色荧光体并用而实现白色光时，对蓝色、绿色波长的光的吸收也少，色度调整变得容易。荧光体中所含有的结晶的至少一部分在使用Cu的Kα特性X射线的X射线衍射图形中，在衍射角2θ为31.0°～33.0°的范围中存在第1衍射峰、第2衍射峰及第3衍射峰，以强度最高的第1衍射峰的衍射强度为100时，第2衍射峰及第3衍射峰的衍射强度为30～50，衍射角2θ为27.0°～29.0°的范围中可以具有衍射强度为15～25的第4衍射峰。衍射角2θ为41.0°～43.0°的范围中可以具有衍射强度为15～25的第5衍射峰。衍射角2θ为29.0°～31.0°的范围中可以具有衍射强度为10～15的第6衍射峰。衍射角2θ为36.0°～39.0°的范围中可以具有衍射强度为10～15的第7衍射峰。衍射角2θ为13.0°～15.0°的范围中可以具有衍射强度为5～10的第8衍射峰。荧光体中所含有的结晶的至少一部分的结晶系为斜方晶，布拉维点阵为简单晶格，空间群可以为P21/m。此外，以上构成要素的任意组合、在制造方法、灯具或照明等装置、发光模块、光源等之间改变本专利技术的表现形式的，作为本专利技术的形态是有效的。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种新的荧光体。附图说明图1是表示实施例1所涉及的荧光体的激发光谱及发光光谱的图。图2是表示实施例1所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图3是表示实施例4所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图4是表示实施例4所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图5是表示实施例7所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图6是表示实施例7所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图7是表示实施例10所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图8是表示实施例10所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图9是表示实施例14所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图10是表示实施例14所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图11是表示实施例31所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图12是表示实施例31所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图13是表示实施例35所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图14是表示实施例35所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图15是表示实施例36所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图16是表示实施例36所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图17是表示实施例37所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图18是表示实施例37所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图19是表示实施例38所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图20是表示实施例38所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图21是表示实施例39所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图22是表示实施例39所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。图23是表示实施例40所涉及的荧光体的X射线衍射图形的图。图24是表示实施例40所涉及的荧光体的激发光谱和发光光谱的图。具体实施方式以下，在优选实施方式的基础上，参照附图对本专利技术进行说明。对于各附图中所示的相同或同等的构成要素、部件、处理，附加相同的符号，并适当省略重复的说明。此外，实施方式是例示，而并不对专利技术进行限定，实施方式中记述的全部特征、其组合不一定是专利技术的本质内容。本实施方式所涉及的荧光体是通过紫外线或短波长可见光高效激发而发光的荧光体。具体地，其是通过420nm以下的近紫外光或短波长可见光显示出强的激发，发出发光光谱的峰波长为600nm以上的红色光的荧光体。此外，本实施方式所涉及的荧光体通过在卤氧化物的母体结晶中掺杂Eu2+离子等活化剂来实现发红光。此外，本实施方式所涉及的荧光体是斯托克斯位移大(0.8～1.2eV程度)的红色荧光体。因此，蓝色、绿色、黄色等其他荧光体所发出的可见光难以被吸收。需说明的是，斯托克斯位移是指激发端波长与发光光谱的峰波长之间的能量差。这里，激发端波长表示激发光谱中长波长侧的激发强度的降低开始锐减的波长。接着，对本实施方式所涉及的荧光体进行详细说明。本实施方式所涉及的荧光体由通式aMIX·MII1-xMIMVO4：(Re)x所示(其中，MI表示选自由K、Li、Na、Rb、Cs、Fr、Cu及Ag组成的组中且以K为必须的至少一种元素；MII表示选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Mn、Zn、Cd及Sn组成的组中的至少一种元素；MV表示选自由P、V、Nb、Ta、As、Sb及Bi组成的组中的至少一种元素；X表示以F为必须的至少一种卤素；Re表示选自由稀土元素组成的组中且以Eu为必须的至少一种元素。a为0.6≤a≤1.4的范围)。以下，使用实施例进一步进行具体说明，但下述荧光体的原料、制造方法、荧光体的化学组成等记载不对本专利技术的荧光体的实施方式有任何限制。(实施例1)实施例1所涉及的荧光体为由KF·Ca0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光体，其特征在于，所述荧光体的通式由aMIX·MII1‑xMIMVO4：(Re)x所示，式中，MI表示选自由K、Li、Na、Rb、Cs、Fr、Cu及Ag组成的组中且以K为必须的至少一种元素；MII表示选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Mn、Zn、Cd及Sn组成的组中的至少一种元素；MV表示由P、V、Nb、Ta、As、Sb及Bi组成的组中的至少一种元素；X表示以F为必须的至少一种卤素；Re表示选自由稀土元素组成的组中且以Eu为必须的至少一种元素；a为0.6≤a≤1.4的范围。

【技术特征摘要】
2015.08.28 JP 2015-169258;2016.08.10 JP 2016-158091.一种荧光体，其特征在于，所述荧光体的通式由aMIX·MII1-xMIMVO4：(Re)x所示，式中，MI表示选自由K、Li、Na、Rb、Cs、Fr、Cu及Ag组成的组中且以K为必须的至少一种元素；MII表示选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Mn、Zn、Cd及Sn组成的组中的至少一种元素；MV表示由P、V、Nb、Ta、As、Sb及Bi组成的组中的至少一种元素；X表示以F为必须的至少一种卤素；Re表示选自由稀土元素组成的组中且以Eu为必须的至少一种元素；a为0.6≤a≤1.4的范围。2.根据权利要求1所述的荧光体，其特征在于，其激发光谱的峰波长为420nm以下，激发光谱的激发端为450nm以下。3.根据权利要求1所述的荧光体，其特征在于，所述通式中，x为0.007≤x≤0.2的范围。4.一种荧光体，其特征在于，所述荧光体的发光光谱的峰波长为600～700nm的范围，激发光谱的峰波长为420nm以下，激发光谱的激发端为450nm以下。5.根据权利要求1～4中...

【专利技术属性】
技术研发人员：大长久芳，四宫裕，榎本公典，细野秀雄，松石聪，泽博，中埜彰俊，
申请(专利权)人：株式会社小糸制作所，国立大学法人东京工业大学，国立大学法人名古屋大学，
类型：发明
国别省市：日本;JP