制作CSP芯片的模注方法技术

本申请公开制作CSP芯片的模注方法，依次包括：在两面具有粘性的柔性过渡基膜的第一个面上，将倒装LED芯片按预设芯片间隔要求规则等间距排列，形成倒装LED芯片阵列；将过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上；将上腔板按照对位要求扣在下基板上的倒装LED芯片阵列上方；从上腔板的注胶孔向空腔内注入封装胶；对封装胶进行烘烤、固化，将固化后的封装胶作为倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片；将上腔板从下基板上分离，并从下基板的柔性过渡基膜上取下封装胶载体基片；对封装胶载体基片进行划切，形成划切分离后的阵列CSP芯片；将划切分离后的阵列CSP芯片翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜上。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及LED光源的光电
，具体地说，涉及一种制作CSP芯片的模注方法。
技术介绍
倒装结构LED(LightEmittingDiode，发光二极管)在热传导中避开了蓝宝石衬底引起的热阻，因此，与正装芯片相比，倒装芯片在对大电流的承载能力大大提高。倒装结构LED无基板芯片级封装(CSP)芯片的出现，又省去了光源支架进一步降低了系统热阻，降低了成本。因此，被认为是一种有更大潜在市场价值的新的封装技术。上述无基板倒装LED的芯片级封装方法，一般分晶圆级CSP封装方法和分离芯片阵列的CSP封装方法。就目前的封装产品的品质情况来看，如何保证批量化CSP芯片的色温的一致性和厚度的一致性，甚至免去后续的CSP芯片的分光分色是目前CSP制程中的一个关键性问题。晶圆级封装方法是指在一片晶圆上，芯片工艺制程完成之后尚未对各芯片进行点测，整体通过喷凃或荧光胶膜贴敷的封装方法。其主要的问题是，由于一片晶圆上的芯片波长和性能差异较大，不可能用一种荧光胶来匹配数多芯片都得到光、色最佳的光源。其次，贴膜封装所用荧光胶膜在滚压成膜时，膜内荧光粉的分布受荧光胶低温流动，尤其是基板的平整度、压膜工艺、膜与芯片共型后的荧光粉的再分布等因素，影响了CSP芯片的色度均匀性等。
技术实现思路
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种制作CSP芯片的模注方法，将倒装LED芯片阵列按设计要求排列粘贴在注胶模具的硬质下基板上，再将注胶模具的上腔板扣在下基板的上方，使得倒装LED芯片位于上腔板的空腔内，然后通过注胶的方式向空腔内注入封装胶，使封装胶与倒装LED芯片共型成膜，此种方式有利于提高CSP芯片色度的均匀性、厚度的可控性、重复性和一致性，改善了产品品质，提高了出货率，降低了成本。为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：一种制作CSP芯片的模注方法，其特征在于，依次包括：在两面具有粘性的柔性过渡基膜的第一个面上，将倒装LED芯片按预先设计的芯片间隔要求规则等间距排列，使每个所述倒装LED芯片的P接触电极和N接触电极面粘贴在所述柔性过渡基膜的第一面上，形成倒装LED芯片阵列；将粘贴有所述倒装LED芯片阵列的所述柔性过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上；将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方，使得所述上腔板位于所述下基板的上方，并与所述下基板紧密粘贴，且使得所述倒装LED芯片阵列位于所述上腔板的空腔内的中心区域；从所述上腔板的注胶孔向所述空腔内注入封装胶，待所述上腔板上的出胶孔内有封装胶且封装胶的高度高于所述空腔的高度或出胶孔中有封装胶溢出时停止注胶；将载有所述倒装LED芯片阵列的注胶模具放入烤箱内，对所述封装胶进行烘烤、固化，将固化后的封装胶作为所述倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片；将所述上腔板从所述下基板上分离，并从所述下基板的柔性过渡基膜上取下所述封装胶载体基片；去除所述封装胶载体基片上的注胶柱和非规则的胶片边，然后对所述封装胶载体基片进行划切，形成划切分离后的阵列CSP芯片；将划切分离后的阵列CSP芯片翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜上，形成倒膜后的CSP芯片阵列。优选地，其中：进一步包括：将所述上腔板的空腔内壁、注胶孔的内壁和出胶孔的内壁抛光后进行纳米处理或异质化处理。优选地，其中：对所述封装胶进行烘烤、固化时，烘烤的温度为50℃-80℃，烘烤的时间为1h，固化的温度为150℃，固化的时间为4h。优选地，其中：所述注胶模具的材质为耐高温材料，所述注胶孔、所述空腔和所述出胶孔三者连通，将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方后，所述LED芯片阵列位于所述上腔板的空腔内的中心区域；所述空腔的面积大于所述倒装LED芯片阵列的面积，所述空腔的深度为预定的封装胶的高度。优选地，其中：所述封装胶，包括：LED荧光胶，注胶时下基板，温度为50℃-80℃。与现有技术相比，本申请所述的方法，达到了如下效果：第一、本专利技术所述的制作CSP芯片的模注方法，对LED芯片的注胶、烘烤、固化等过程是在一个硬质模具腔室内完成的，然后将倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片从上腔板和下基板脱离，完成脱模、划切。采用这种方法制得的CSP芯片的色度和厚度一致性更好，批次生产的重复性和可控性更好，封装制程更加简单。第二、本专利技术所述的制作CSP芯片的模注方法，由于倒装LED芯片粘贴在柔性过渡基膜上后，再将柔性过渡基膜粘贴在硬质下基板上，因此不存在柔性过渡基膜在升温过程中起皱形变而导致的荧光粉在封装胶中的再分布，而导致的色度的不均匀。第三、本专利技术所述的制作CSP芯片的模注方法，注胶模具的上腔板中的内槽的深度决定了CSP芯片的最终厚度，因此，由于槽深不受温度的影响，CSP芯片的厚度的一致性也得到了保证。第四、本专利技术所述的制作CSP芯片的模注方法，注胶模具上腔板中的空腔内壁、注胶孔内壁和出胶孔内壁进行了纳米处理或异质化处理，有效保证了封装胶载体基片从上腔板空腔脱离的过程更加顺利，也使得整个制程能够顺利进行。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1为本专利技术制作CSP芯片的模注方法的流程图；图2为本专利技术倒装LEDCSP芯片的结构图；图3为本专利技术将倒装LED芯片排列再柔性过渡基膜上形成倒装LED芯片阵列的示意图；图4为本专利技术将粘贴有倒装LED芯片阵列的所述柔性过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上的示意图；图5为本专利技术将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方的示意图；图6为本专利技术从上腔板的注胶孔内注入封装胶的示意图；图7为本专利技术将封装胶载体基片脱模和划切的示意图；图8为本专利技术将划切分离后的阵列CSP芯片翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜上的示意图；图9-1为本专利技术注胶模具中上腔板的主视图；图9-2为本专利技术注胶模具中上腔板的俯视图；图10-1为本专利技术注胶模具中下基板的主视图；图10-2为本专利技术注胶模具中下基板的俯视图。具体实施方式如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。实施例1如图2所示为本专利技术公开的一种CSP芯片10的结构图，图1为本实施例中制作CSP芯片10的模注方法，依次包括以下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作CSP芯片的模注方法，其特征在于，依次包括：在两面具有粘性的柔性过渡基膜的第一个面上，将倒装LED芯片按预先设计的芯片间隔要求规则等间距排列，使每个所述倒装LED芯片的P接触电极和N接触电极面粘贴在所述柔性过渡基膜的第一面上，形成倒装LED芯片阵列；将粘贴有所述倒装LED芯片阵列的所述柔性过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上；将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方，使得所述上腔板位于所述下基板的上方，并与所述下基板紧密粘贴，且使得所述倒装LED芯片阵列位于所述上腔板的空腔内的中心区域；从所述上腔板的注胶孔向所述空腔内注入封装胶，待所述上腔板上的出胶孔内有封装胶且封装胶的高度高于所述空腔的高度或出胶孔中有封装胶溢出时停止注胶；将载有所述倒装LED芯片阵列的注胶模具放入烤箱内，对所述封装胶进行烘烤、固化，将固化后的封装胶作为所述倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片；将所述上腔板从所述下基板上分离，并从所述下基板的柔性过渡基膜上取下所述封装胶载体基片；去除所述封装胶载体基片上的注胶柱和非规则的胶片边，然后对所述封装胶载体基片进行划切，形成划切分离后的阵列CSP芯片；将划切分离后的阵列CSP芯片翻膜粘贴在另一张具有粘性的柔性过渡基膜上，形成倒膜后的CSP芯片阵列。...

【技术特征摘要】
1.一种制作CSP芯片的模注方法，其特征在于，依次包括：在两面具有粘性的柔性过渡基膜的第一个面上，将倒装LED芯片按预先设计的芯片间隔要求规则等间距排列，使每个所述倒装LED芯片的P接触电极和N接触电极面粘贴在所述柔性过渡基膜的第一面上，形成倒装LED芯片阵列；将粘贴有所述倒装LED芯片阵列的所述柔性过渡基膜的第二面粘贴在注胶模具的下基板的一个平面上；将注胶模具的上腔板按照对位要求扣在所述下基板上的所述倒装LED芯片阵列上方，使得所述上腔板位于所述下基板的上方，并与所述下基板紧密粘贴，且使得所述倒装LED芯片阵列位于所述上腔板的空腔内的中心区域；从所述上腔板的注胶孔向所述空腔内注入封装胶，待所述上腔板上的出胶孔内有封装胶且封装胶的高度高于所述空腔的高度或出胶孔中有封装胶溢出时停止注胶；将载有所述倒装LED芯片阵列的注胶模具放入烤箱内，对所述封装胶进行烘烤、固化，将固化后的封装胶作为所述倒装LED芯片阵列的封装胶载体基片；将所述上腔板从所述下基板上分离，并从所述下基板的柔性过渡基膜上取下所述封装胶载体基片；去除所述封装胶载体基片上的注胶柱和非规则的胶片边，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王良臣，周智斌，汪延明，苗振林，季辉，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43