低损耗高频介质陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低损耗高频介质陶瓷及其制备方法，其组成及摩尔百分比含量为：ｘＣａＯ－（１－ｘ）ＺｎＯ－Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］－ｙＳｎＯ↓［２］－（２－ｙ）ＴｉＯ↓［２］，其中０≤ｘ≤０．１６，０≤ｙ≤０．１。制备步骤为：（１）配料、球磨；（２）烘干、预烧、合成前驱体；（３）造粒、压制成型（４）烧成。本发明专利技术提供了一种制备工艺简单、烧结温度低（１１００℃以下）、介电损耗低、介电常数相对较高、同时保持了优异的介电性能的高频介质陶瓷，应用于电子信息材料与元器件领域。

Low loss high frequency dielectric ceramic and preparation method thereof

The invention discloses a low loss high-frequency dielectric ceramic and its preparation method, its composition and molar percentage: XCaO (1-x) ZnONb: 2 O: 5 YSnO: 2 - (2Y) TiO: 2, and 0 = x = 0 = y = 0.16. 0.1. The preparation steps are as follows: (1) batching and ball milling; (2) drying, pre burning and synthesizing precursors; (3) granulating and pressing forming (4) firing. The invention provides a simple preparation process, low sintering temperature (1100 DEG C), low dielectric loss, dielectric constant is relatively high, while maintaining a high frequency dielectric ceramics with excellent properties and application in the field of electronic information materials and components.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子信息材料与元器件领域，尤其涉及一种以ZnO-Nb20s-2Ti02为基料，以 Sn02和CaO为添加剂所制成的高频介质陶瓷。
技术介绍
随着卫星通信和电子技术的迅猛发展，对高频介质陶瓷材料及元器件的需求越来越大， 要求越来越高。目前关于高频介质陶瓷材料的研究开发主要围绕以下几个方面开展①追求 低损耗的极限，研究己有材料的低损耗化；②探索较高的相对介电常数；③追求近零的温度 系数。适用于高频介质陶瓷材料的体系很多，铌/钽酸盐系陶瓷材料以其优异的介电性能渐渐受 到了研究者的广泛关注，但国内外对ZnO-Nb205-Ti02系陶瓷材料的报道还很少见，Kim等人 首先对(l-x)ZnNb206-xTi02系的相组成及其微波介电性能进行了研究，指出在锰钽矿结构及金 红石结构共存区域Q值为10000 (其介电损耗大约为1x10—4),介电常数为34 45。张启龙等 报道Sn02掺杂的ZnO-Nb205-Ti02陶瓷材料，其最佳介电性能为Q值14892 (介电损耗大 约为0.67xl(T4)，介电常数为50.3，但烧结温度为U50。C。张迎春报道的ZnNb2G.x)TixO(6.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低损耗高频介质陶瓷，其特征在于，以ＺｎＯ－Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］－２ＴｉＯ↓［２］为基料，ＳｎＯ↓［２］和ＣａＯ为添加剂，按配方通式：ｘＣａＯ－（１－ｘ）ＺｎＯ－Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］－ｙＳｎＯ↓［２］－（２－ｙ）ＴｉＯ↓［２］配料，其中０＜ｘ≤０．１６，０＜ｙ≤０．１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲霞，廖擎玮，张平，王洪茹，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]