【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电能质量管理领域,具体涉及一种基于下垂法的直流微电网及其控制方法。
技术介绍
随着全球化石能源的减少和环境污染问题日益严峻,分布式电源得到了各国的重视和发展,传统的电网均为交流形式,所以最早出现的微电网也为交流微电网。相对于交流微电网,之后出现的直流微电网在相位、频率等方面更具有优势,获得了越来越多的关注。光伏电池和蓄电池组成最简单的直流微电网之一,适合在居民住宅区使用,它们组成一个基本的直流电压源。在直流微电网中,直流电压源多为并联运行,为了实现功率均衡输出,主要的控制方法就是主从控制法和下垂控制法。主从控制法依赖高速通信和主机,一旦这两者之一出现故障,即会影响整个微电网的运行。下垂法易实现系统的冗余控制,成本低,非常适合多个直流电压源并联接入微网。传统下垂法利用控制方法产生虚拟阻抗,即下垂系数,系数过大的话造成母线电压下降过大,系数小的话在并联变换器之间产生较大的电流差值,形成环流。因此,直流母线电压下降和并联变换器存在环流是传统下垂法两个主要局限。为了克服传统下垂法存在的缺陷,学术界提出了各种改进的下垂控制法。有学者提出将主从控制法中的通信引 ...
【技术保护点】
一种基于下垂法的直流微电网,其特征在于,包括第一直流电压源(1)、第一Boost变换器(2)、第二直流电压源(3)、第二Boost变换器(4)和变换器负载(5);所述第一直流电压源(1)包括直流电压源U1;所述第二直流电压源(3)包括直流电压源U2;所述第一Boost变换器(2)包括滤波电容C1、续流电感L1、N沟道MOSFET开关管Q1、二极管D1和滤波电容C2;所述滤波电容C1的两端分别连接所述续流电感L1一端和所述N沟道MOSFET开关管Q1的源极S;所述续流电感L1的另一端连接所述N沟道MOSFET开关管Q1的漏极和所述二极管D1的正极;所述滤波电容C2的两端分别连 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于下垂法的直流微电网,其特征在于,包括第一直流电压源(1)、第一Boost变换器(2)、第二直流电压源(3)、第二Boost变换器(4)和变换器负载(5);所述第一直流电压源(1)包括直流电压源U1;所述第二直流电压源(3)包括直流电压源U2;所述第一Boost变换器(2)包括滤波电容C1、续流电感L1、N沟道MOSFET开关管Q1、二极管D1和滤波电容C2;所述滤波电容C1的两端分别连接所述续流电感L1一端和所述N沟道MOSFET开关管Q1的源极S;所述续流电感L1的另一端连接所述N沟道MOSFET开关管Q1的漏极和所述二极管D1的正极;所述滤波电容C2的两端分别连接所述二极管D1的负极和所述所述N沟道MOSFET开关管Q1的源极;所述第二Boost变换器(4)包括滤波电容C3、续流电感L2、N沟道MOSFET开关管Q2、二极管D2和滤波电容C4;所述滤波电容C3的两端分别连接所述续流电感L2一端和所述N沟道MOSFET开关管Q2的源极;所述续流电感L2的另一端连接所述N沟道MOSFET开关管Q2漏极和所述二极管D2的正极;所述滤波电容C4的两端分别连接所述二极管D2的负极和所述N沟道MOSFET开关管Q2的源极;所述变换器负载(5)包括单独负载R1、单独负载R2和公共负载R,所述单独负载R1的一端、单独负载R2的一端和公共负载R的一端均连接;所述单独负载R1的另一端连接所述二极管D1的负极,所述单独负载R2的另一端连接所述二极管D2的负极,所述公共负载R的另一端连接所述N沟道MOSFET开关管Q1的源极和所述N沟道MOSFET开关管Q2的源极;所述直流电压源U1的正极和负极分别连接所述滤波电容C1的两端;所述直流电压源U2的正极和负极分别连接所述滤波电容C2的两端。2.根据权利要求1所述的基于下垂法的直流微电网,其特征在于,所述直流电压源U1的负极连接所述N沟道MOSFET开关管Q1的源...
【专利技术属性】
技术研发人员:马爱华,李磊,师贺,管月,郭伟,龚坤珊,
申请(专利权)人:南京理工大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。