一种与DDR3和DDR3L内存兼容的电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种与DDR3和DDR3L内存兼容的电路，其包括主控芯片电路，内存条供电电路，所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。因所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。该内存供电电压反馈配置电路通过控制MOS管Q1导通，MOS管Q2，MOS管Q3截止，或者MOS管Q1截止，MOS管Q2，MOS管Q3导通方式，实现在1.5V的DDR3内存条和1.35VD的DDR3L内存条之间切换，使得主控芯片电路分别给1.5V的DDR3内存条和1.35V的DDR3L内存条供电，从而达到增强同一工业主板支持DDR3内存条和DDR3L内存条使用的兼容性的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于工业计算机兼容性方面的工业主板与内存兼容电路。
技术介绍
随着社会不断进步和发展，伴随着科技产品的要求不断向前进步，同时，也伴随着对工业电脑的功能要求越来越高。工业电脑的功能要求不同，必然引起工业电脑的配置要求不同。工业主板与内存条是工业电脑配置中必不可少主要部件。然而，市面上有1.5V供电的DDR3内存条，和1.35V供电的DDR3L内存条。但由于工业主板只能单一支持DDR3内存条或者只能单一支持DDR3L内存条，导致给终端客户在使用过程中带来极其不方便。
技术实现思路
有鉴于此，本技术要解决的技术问题是提供一种提高同一工业主板均能支持DDR3内存条和DDR3L内存条所使用兼容性的工业主板与内存兼容电路。本技术解决上述技术问题所采用一种与DDR3和DDR3L内存兼容的电路，其包括主控芯片电路，内存条供电电路，所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。依据上述主要技术特征，所述内存供电电压反馈配置电路包括MOS管Q1，MOS管Q2,MOS管Q3，电容C1；连接于MOS管Q2引脚2端与MOS管Q3引脚3端之间的电阻R4，MOS管Q3引脚2端接地，连接于MOS管Q3引脚3端上电阻R3，该电阻R3另一端接地，连接于MOS管Q3引脚3端与电阻R3之间的内存供电电压反馈配置信号端，连接于内存供电电压反馈配置信号端上的电阻R5，该电阻R5另一端接地；连接于MOS管Q1引脚3端上的电阻R2，所述MOS管Q2引脚1端与MOS管Q3引脚1端的形成的共有端，此共有端连接于MOS管Q3引脚1端与电阻R2之间，该电阻R2另一端接电压VCC3；MOS管Q3引脚2端接地；连接于MOS管Q3引脚1端上的电阻R1，该电阻R1另一端连接有主控芯片电路输出控制信号端；所述的电容C1连接于MOS管Q1引脚1端与电阻R1之间的，该电容C1另一端接地；当主控芯片电路输出控制信号端为高电平，通过电阻R1，电容C1延时，将MOS管Q1导通，MOS管Q2，MOS管Q3截止；此时电阻R3与电阻R5串联，VCC_DDR通过电阻R3，电阻R5分压得到VSET_FB信号给到电源芯片电路，电源芯片电路根据VSET_FB调整内存供电为1.5V的DDR3内存条的支持；当主控芯片电路输出控制信号端低电平，通过电阻R1，电容C1延时，将MOS管Q1截止，MOS管Q2，MOS管Q3导通，此时电阻R4与电阻R5并联，再与电阻R3串联，VCC_DDR通过电阻R3，电阻R4与电阻R5并联后分压得到VSET_FB信号给到电源芯片电路，电源芯片电路根据VSET_FB调整内存供电为1.35V的DDR3L内存条的支持。依据上述主要技术特征，所述主控芯片电路包括芯片U1，电阻R6，电容C5，电容C6；电阻R6一端与芯片U1相互连接；电容C6一端与芯片U1相互连接，电阻R6与电容C6共有一端，电容C6另一端接地；所述的电阻R6另一端与电容C5一端连接，该电容C5另一端接地。依据上述主要技术特征，所述内存条供电电路包括芯片U2，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电容C2，电容C3，电容C4，电容C7，电感L1；所述的电阻R7一端与芯片U2连接，电阻R7另一端接5VSB端，电阻R8另一端接地；所述的电阻R9一端与芯片U2连接，电阻R9另一端与电容C3一端连接，所述的电容C2另一端接地；电容C3另一端接地；电感L1一端与芯片U2连接，所述的电容C4，电容C7,电阻R10并联连接之后，与电感L1另一端连接。本技术的有益效果：因所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。该内存供电电压反馈配置电路通过控制MOS管Q1导通，MOS管Q2，MOS管Q3截止，或者MOS管Q1截止，MOS管Q2，MOS管Q3导通方式，实现在1.5V的DDR3内存条和1.35V的DDR3L内存条之间切换，使得主控芯片电路分别给1.5V的DDR3内存条和1.35V的DDR3L内存条供电，从而达到增强同一工业主板支持DDR3内存条和DDR3L内存条使用的兼容性的目的。下面结合附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1是本技术的工业主板与内存兼容电路的方框示意图；图2是本技术中主控芯片电路的电路示意图；图3是本技术中内存供电电压反馈配置电路的电路示意图；图4是本技术中内存条供电电路的电路示意图。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参考图1至图4所示，下面结合实施例说明一种与DDR3和DDR3L内存兼容的电路，其包括主控芯片电路，内存条供电电路，内存供电电压反馈配置电路；内存条供电电路的一端与主控芯片电路相互连接，而内存条供电电路的另一端与内存供电电压反馈配置电路。所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。所述内存供电电压反馈配置电路包括MOS管Q1，MOS管Q2,MOS管Q3，电容C1；连接于MOS管Q2引脚2端与MOS管Q3引脚3端之间的电阻R4，MOS管Q3引脚2端接地，连接于MOS管Q3引脚3端上电阻R3，该电阻R3另一端接地，连接于MOS管Q3引脚3端与电阻R3之间的内存供电电压反馈配置信号端，连接于内存供电电压反馈配置信号端上的电阻R5，该电阻R5另一端接地；连接于MOS管Q1引脚3端上的电阻R2，所述MOS管Q2引脚1端与MOS管Q3引脚1端的形成的共有端，此共有端连接于MOS管Q3引脚1端与电阻R2之间，该电阻R2另一端接电压VCC3；MOS管Q3引脚2端接地；连接于MOS管Q3引脚1端上的电阻R1，该电阻R1另一端连接有主控芯片电路输出控制信号端；所述的电容C1连接于MOS管Q1引脚1端与电阻R1之间的，该电容C1另一端接地。所述主控芯片电路包括芯片U1，电阻R6，电容C5，电容C6；电阻R6一端与芯片U1相互连接；电容C6一端与芯片U1相互连接，电阻R6与电容C6共有一端，电容C6另一端接地；所述的电阻R6另一端与电容C5一端连接，该电容C5另一端接地。所述内存条供电电路包括芯片U2，电阻R7，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电容C2，电容C3，电容C4，电容C7，电感L1；所述的电阻R7一端与芯片U2连接，电阻R7另一端接5VSB端，电阻R8另一端接地；所述的电阻R9一端与芯片U2连接，电阻R9另一端与电容C3一端连接，所述的电容C2另一端接地；电容C3另一端接地；电感L1一端与芯片U2连接，所述的电容C4，电容C7,电阻R10并联连接之后，与电感L1另一端连接。当主控芯片电路输出控制信号端为高电平，通过电阻R1，电容C1延时，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种与DDR3和DDR3L内存兼容的电路，其包括主控芯片电路，内存条供电电路，其特征在于：所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。

【技术特征摘要】
1.一种与DDR3和DDR3L内存兼容的电路，其包括主控芯片电路，内存条供电电路，其特征在于：所述的主控芯片电路与内存条供电电路之间设置有用于将1.5V内存条与1.35V内存条之间切换的内存供电电压反馈配置电路。
2.根据权利要求1所述的一种与DDR3和DDR3L内存兼容的电路，其特征在于，所述内存供电电压反馈配置电路包括MOS管Q1，MOS管Q2,MOS管Q3，电容C1；连接于MOS管Q2引脚2端与MOS管Q3引脚3端之间的电阻R4，MOS管Q3引脚2端接地，连接于MOS管Q3引脚3端上电阻R3，该电阻R3另一端接地，连接于MOS管Q3引脚3端与电阻R3之间的内存供电电压反馈配置信号端，连接于内存供电电压反馈配置信号端上的电阻R5，该电阻R5另一端接地；连接于MOS管Q1引脚3端上的电阻R2，所述MOS管Q2引脚1端与MOS管Q3引脚1端的形成的共有端，此共有端连接于MOS管Q3引脚1端与电阻R2之间，该电阻R2另一端接电压VCC3；MOS管Q3引脚2端接地；连接于MOS管Q3引脚1端上的电阻R1，该电阻R1另一端连接有主控芯片电路输出控制信号端；所述的电容C1连接于MOS管Q1引脚1端与电阻R1之间的，该电容C1另一端接地；当主控芯片电路输出控制信号端为高电平，通过电阻R1，电容C1延时，将MOS管Q1导通，MOS管Q2，MOS管Q3截止；此时电阻R3与电阻R5串联，VCC_DDR通过电阻R3，电阻R5分压得到VSET_FB信号给到电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：王青国，秦伟，张冰，
申请(专利权)人：深圳华北工控股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44