本发明专利技术公开了一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。本发明专利技术能够保证后续模块的运算时间，从而使得后续模块作出精确判断，从而提高了系统的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种利用多次充电以控制软启动时间的方法。
技术介绍
随着现代电子信息产业的蓬勃发现，电子产品向多元化发展。没有充电或只有一次充电的软启动装置在系统设计中缺少了设计的灵活性和资源的有效利用，在现代新型电子系统的设计中就体现了很大的局限性。因软启动装置是为后续模块提供足够时间来作判断，即相当于一个延时装置，那么没有充电或只有一次充电的软启动装置，因为无法保证后续模块的运算时间，从而无法作出精确判断，从而降低了系统的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种利用多次充电以控制软启动时间的方法。本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。具体地，所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的斜坡信号输出端与所述斜坡信号整形电路的斜坡信号输入端连接，所述反馈控制电路的反馈信号端与所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的反馈信号端连接，所述斜坡信号整形电路的信号输出端与所述软启动控制信号发生电路的信号输入端连接，所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的信号输入端接入复位信号，所述软启动控制信号发生电路的信号输出端作为整个电路模块的输出控制信号端。更具体地，所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路包括三个N型场效应管和两个P型场效应管，第一所述N型场效应管的漏极同时与第一所述P型场效应管的源极、第二所述P型场效应管的漏极和第二所述N型场效应管的漏极连接，第一所述N型场效应管的源极同时与第一所述P型场效应管的漏极和第三所述N型场效应管的栅极连接，第二所述P型场效应管的源极与第三所述P型场效应管的漏极连接，第三所述P型场效应管的源极、第三所述P型场效应管的衬底极、第二所述P型场效应管的衬底极和第一所述P型场效应管的衬底极均接入电源，第一所述N型场效应管的衬底极、第三所述N型场效应管的源极、第三所述N型场效应管的漏极、第三所述N型场效应管的衬底极、第二所述N型场效应管的源极和第二所述N型场效应管的衬底极均接地。更具体地，所述斜坡信号整形电路包括四个反相器Ⅰ和一个与非门Ⅰ，第一所述反相器Ⅰ和第二所述反相器Ⅰ分别接在所述与非门Ⅰ的两个输入端上，第三所述反相器Ⅰ和第四所述反相器Ⅰ串联后接在所述与非门Ⅰ的输出端上，第一所述反相器Ⅰ和第二所述反相器Ⅰ均由一个NMOS管和多个串联的PMOS管组成。更具体地，所述软启动控制信号发生电路包括三个反相器Ⅱ、一个D触发器、一个反相器链、一个或非门Ⅰ和一个与非门Ⅱ，第一所述反相器Ⅱ接在所述D触发器的触发端，所述D触发器的输出端同时与所述反相器链的输入端和所述或非门Ⅰ的第一输入端连接，所述反相器链的输出端与所述或非门Ⅰ的第二输入端连接，所述或非门Ⅰ的输出端与第二所述反相器Ⅱ的输入端连接，第二所述反相器Ⅱ的输出端接在所述与非门Ⅱ的其中一个输入端上，所述第三反相器Ⅱ接在所述与非门Ⅱ的输出端上，所述反相器链由多个反相器串联而成。更具体地，所述反馈控制电路包括五个反相器Ⅲ和一个或非门Ⅱ，所述第一反相器Ⅲ接在所述或非门Ⅱ的第一输入端，所述第二反相器Ⅲ、所述第三反相器Ⅲ和所述第四反相器Ⅲ依次串联并接在所述或非门Ⅱ的第二输入端，所述第二反相器Ⅲ由一个PMOS管和多个串联的NMOS管组成，所述第五反相器Ⅲ接在所述或非门Ⅱ的输出端。本专利技术的有益效果在于：本专利技术能够保证后续模块的运算时间，从而使得后续模块作出精确判断，从而提高了系统的可靠性，且所涉及到的硬件结构简单，可以节约控制端口以降低系统设计的成本。附图说明图1是本专利技术的逻辑框图；图2是本专利技术的对MOS电容充电的斜坡信号发生电路；图3是本专利技术的斜坡信号整形电路；图4是本专利技术的软启动控制信号发生电路；图5是本专利技术的反馈控制电路。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步说明：如图1所示，本专利技术通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的斜坡信号输出端与斜坡信号整形电路的斜坡信号输入端连接，反馈控制电路的反馈信号端与对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的反馈信号端连接，斜坡信号整形电路的信号输出端与软启动控制信号发生电路的信号输入端连接，对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的信号输入端接入复位信号，软启动控制信号发生电路的信号输出端作为整个电路模块的输出控制信号端。如图2所示，对MOS电容充电的斜坡信号发生电路包括三个N型场效应管和两个P型场效应管，第一N型场效应管的漏极同时与第一P型场效应管的源极、第二P型场效应管的漏极和第二N型场效应管的漏极连接，第一N型场效应管的源极同时与第一P型场效应管的漏极和第三N型场效应管的栅极连接，第二P型场效应管的源极与第三P型场效应管的漏极连接，第三P型场效应管的源极、第三P型场效应管的衬底极、第二P型场效应管的衬底极和第一P型场效应管的衬底极均接入电源，第一N型场效应管的衬底极、第三N型场效应管的源极、第三N型场效应管的漏极、第三N型场效应管的衬底极、第二N型场效应管的源极和第二N型场效应管的衬底极均接地。对MOS电容充电的斜坡信号发生电路，主要是通过对MOS电容进行充电，产生斜坡信号，并通过相应控制信号控制初始信号的电平值，达到多次充电的目的。如图3所示，斜坡信号整形电路包括四个反相器Ⅰ和一个与非门Ⅰ，第一反相器Ⅰ和第二反相器Ⅰ分别接在与非门Ⅰ的两个输入端上，第三反相器Ⅰ和第四反相器Ⅰ串联后接在与非门Ⅰ的输出端上，第一反相器Ⅰ和第二反相器Ⅰ均由一个NMOS管和多个串联的PMOS管组成。斜坡信号整形电路是通过一个逻辑电路(等效为或运算)对初始信号进行整形，产生的输出信号作为软启动控制信号发生电路的控制信号。如图4所示，软启动控制信号发生电路包括三个反相器Ⅱ、一个D触发器、一个反相器链、一个或非门Ⅰ和一个与非门Ⅱ，第一反相器Ⅱ接在D触发器的触发端，D触发器的输出端同时与反相器链的输入端和或非门Ⅰ的第一输入端连接，反相器链的输出端与或非门Ⅰ的第二输入端连接，或非门Ⅰ的输出端与第二反相器Ⅱ的输入端连接，第二反相器Ⅱ的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。
【技术特征摘要】
1.一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：通过对MOS
电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路
及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。
2.根据权利要求1所述的利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征
在于：所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的斜坡信号输出端与所述斜坡
信号整形电路的斜坡信号输入端连接，所述反馈控制电路的反馈信号端与所述
对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的反馈信号端连接，所述斜坡信号整形电
路的信号输出端与所述软启动控制信号发生电路的信号输入端连接，所述对MOS
电容充电的斜坡信号发生电路的信号输入端接入复位信号，所述软启动控制信
号发生电路的信号输出端作为整个电路模块的输出控制信号端。
3.根据权利要求2所述的利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征
在于：所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路包括三个N型场效应管和两个P
型场效应管，第一所述N型场效应管的漏极同时与第一所述P型场效应管的源
极、第二所述P型场效应管的漏极和第二所述N型场效应管的漏极连接，第一
所述N型场效应管的源极同时与第一所述P型场效应管的漏极和第三所述N型
场效应管的栅极连接，第二所述P型场效应管的源极与第三所述P型场效应管
的漏极连接，第三所述P型场效应管的源极、第三所述P型场效应管的衬底极、
第二所述P型场效应管的衬底极和第一所述P型场效应管的衬底极均接入电源，
第一所述N型场效应管的衬底极、第三所述N型场效应管的源极、第三所述N
型场效应管的漏极、第三所述N型场效应管的衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓云，
申请(专利权)人：成都默一科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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