【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成系统的芯片领域,具体涉及一种用于集成系统的芯片的制作方法。
技术介绍
现有集成系统的芯片,都是采用干法模压成型的工艺制备,但是干法模压成型工艺制备的芯片容易产生应力集中或气孔集中等情况,这些缺陷对芯片性能的影响极其不利,在使用过程中的性能劣化甚至破坏往往都是从这些缺陷处开始,不利于更好的发挥其抑制浪涌电流的作用。
技术实现思路
综上所述,为了克服现有技术的不足,本专利技术所要解决的技术问题是提供一种用于集成系统的芯片的制作方法。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种用于集成系统的芯片,由如下重量份数的组分制成:Mn3O45-10份、Co2O34-10份、NiO8-12份、Fe2O34-8份、MnO25-9份、CuO6-8份、SiO25-9份和聚甲基丙烯酸甲酯3-7份。一种用于集成系统的芯片的制作方法,包括如下的步骤:(1)分别称取如下重量份数的各组分:Mn3O45-10份、Co2O34-10份、NiO8-12份、Fe2O34-8份、MnO25-9份、CuO6-8份、SiO25-9份和聚甲基丙烯酸甲酯3-7份;(2)将步骤(1)称取的材料混合、球磨、焙烧脱水,得到干燥的球磨原料;(3)将所述干燥的球磨原料与粘合剂混合均匀,得到芯片浆料;(4)将所述芯片浆料压制成薄片,对所述薄片进行焙烧,然后对焙烧处理后的所述薄片进行两面打磨,得到坯片;(5)在1000-1200℃的温度下对所述坯片进行烧结,得到NTC热敏电阻芯片。进一步,所述粘合剂为苯二甲酸正丁酯和白乳胶的混合物。进一步,步骤(5)中在1000-1200℃的温度下对所述坯片进行烧结。 ...
【技术保护点】
一种用于集成系统的芯片,其特征在于,由如下重量份数的组分制成:Mn3O45‑10份、Co2O34‑10份、NiO 8‑12份、Fe2O3 4‑8份、MnO2 5‑9份、CuO6‑8份、SiO2 5‑9份和聚甲基丙烯酸甲酯3‑7份。
【技术特征摘要】
1.一种用于集成系统的芯片,其特征在于,由如下重量份数的组分制成:Mn3O45-10份、Co2O34-10份、NiO8-12份、Fe2O34-8份、MnO25-9份、CuO6-8份、SiO25-9份和聚甲基丙烯酸甲酯3-7份。2.一种用于集成系统的芯片的制作方法,其特征在于,包括如下的步骤:(1)分别称取如下重量份数的各组分:Mn3O45-10份、Co2O34-10份、NiO8-12份、Fe2O34-8份、MnO25-9份、CuO6-8份、SiO25-9份和聚甲基丙烯酸甲酯3-7份;(2)将步...
【专利技术属性】
技术研发人员:温九江,袁松平,
申请(专利权)人:广西小草信息产业有限责任公司,
类型:发明
国别省市:广西;45
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