一种具有发射区短路点的晶闸管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有发射区短路点的晶闸管，包括硅片，门极，扇形发射区短路点，所述硅片的中心位置上设置有所述门极，所述硅片上还设置有一组所述扇形发射区短路点，所述扇形发射区短路点以所述门极为圆心均布在所述硅片上，所述扇形发射区短路点采用扇形结构，所述扇形发射区短路点从所述门极到所述硅片边缘共分布有四圈，从内圈到外圈分布的所述扇形发射区短路点的数量依次递增。该具有发射区短路点的晶闸管的扇形发射区短路点与传统遍布于整个发射区的圆形短路点相比，具有增加导通面积，减小晶闸管通态压降，降低晶闸管发热量，从而节省晶闸管散热器的使用成本，避免短路点对等离子扩展有过大的阻滞，提高晶闸管最大的di／dt耐量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶闸管领域，具体为一种具有发射区短路点的晶闸管。
技术介绍
晶闸管发射区短路点是为旁路晶闸管发射结而设计的电阻性连接。发射区短路点的运用，是作为一种工艺方法以提高正向阻断电压和器件的di／dt耐量，发射区短路点不仅能有效地控制电压的转折，而且也能够提高晶闸管最大的di／dt耐量。但发射区短路点的存在，也会造成发射区的损失，而且也是导通面积的损失。由于导通面积的损失，造成晶闸管的通态压降变大，从而使晶闸管发热现象严重，间接加大了晶闸管散热器的使用成本。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有发射区短路点的晶闸管，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种具有发射区短路点的晶闸管，包括硅片，门极，扇形发射区短路点，所述硅片的中心位置上设置有所述门极，所述硅片上还设置有一组所述扇形发射区短路点，所述扇形发射区短路点以所述门极为圆心均布在所述硅片上。优选的，所述扇形发射区短路点采用扇形结构。优选的，所述扇形发射区短路点从所述门极到所述硅片边缘共分布有四圈，从内圈到外圈分布的所述扇形发射区短路点的数量依次递增。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该具有发射区短路点的晶闸管的扇形发射区短路点取代传统遍布于整个发射区的圆形短路点，扇形发射区短路点与传统遍布于整个发射区的圆形短路点相比，具有增加导通面积，减小晶闸管通态压降，降低晶闸管发热量，从而节省晶闸管散热器的使用成本，避免短路点对等离子扩展有过大的阻滞，提高晶闸管最大的di／dt耐量。附图说明图1为本技术结构示意图。图中：1、硅片，2、门极，3、扇形发射区短路点。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种具有发射区短路点的晶闸管，包括硅片1，门极2，扇形发射区短路点3，所述硅片1的中心位置上设置有所述门极2，所述硅片1上还设置有一组所述扇形发射区短路点3，所述扇形发射区短路点3以所述门极2为圆心均布在所述硅片1上，所述扇形发射区短路点3采用扇形结构，所述扇形发射区短路点3从所述门极2到所述硅片1边缘共分布有四圈，从内圈到外圈分布的所述扇形发射区短路点3的数量依次递增。工作原理：在使用该具有发射区短路点的晶闸管时，扇形发射区短路点取代传统遍布于整个发射区的圆形短路点，扇形发射区短路点与传统遍布于整个发射区的圆形短路点相比，具有增加导通面积，减小晶闸管通态压降，降低晶闸管发热量，从而节省晶闸管散热器的使用成本，避免短路点对等离子扩展有过大的阻滞，提高晶闸管最大的di／dt耐量。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有发射区短路点的晶闸管，包括硅片（1），门极（2），扇形发射区短路点（3），其特征在于：所述硅片（1）的中心位置上设置有所述门极（2），所述硅片（1）上还设置有一组所述扇形发射区短路点（3），所述扇形发射区短路点（3）以所述门极（2）为圆心均布在所述硅片（1）上。

【技术特征摘要】
1.一种具有发射区短路点的晶闸管，包括硅片（1），门极（2），扇形发射区短路点（3），其特征在于：所述硅片（1）的中心位置上设置有所述门极（2），所述硅片（1）上还设置有一组所述扇形发射区短路点（3），所述扇形发射区短路点（3）以所述门极（2）为圆心均布在所述硅片（1）上。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王连彬，
申请(专利权)人：广州市晶泰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44