一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，其特征在于，包括雷击信号前置取样电路、雷击次数信号处理电路和雷击强度信号处理电路，雷击信号前置取样电路分别与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接。本实用新型专利技术通过将雷击信号前置取样电路分别与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接，使其能够监测到防雷器所经受的雷击次数及每次雷击的强度，可以大致判断出该防雷器目前的劣化程度，预测出该防雷器余下的生命周期，本实用新型专利技术在雷电防护工程中有着十分重要的现实意义和广泛地前景。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，属于雷电防护工程

技术介绍
信息时代的到来，给我们的生活生产带来十分的便利，信息技术的普及也给我们的生产力带来极大的提高。目前，信息技术设备已在人类的各个领域广泛应用。然而，以微电子技术为基础的电子信息设备因其集成度高、工作电压低、运算速度快，其耐过电压、过电流和抗雷电电磁脉冲的能力差，极易遭受雷电的危害，特别是雷电电磁脉冲造成的损害更为严重。因此，国际电工委员会将雷电灾害称为“信息时代的公害”。为了消除这一公害，人们进行了深入的理论研究和广泛的实践探索，并从理论与实践的结合上不断完善电子信息系统的雷电防护的工程技术。防雷器是保护电子信息设备抗击雷电脉冲的保护器，防雷器在抗击不同的雷击强度时会受到不同的损伤，影响其生命周期，造成性能劣化。通过防雷器的雷击强度越大，防雷器所遭受的损伤就越大；防雷器抗击雷击次数越多，对防雷器的损伤就越多，防雷器的生命周期就会降低。当防雷器生命周期降低到一定程度时，由于防雷器性能的劣化，就起不到应有的雷电保护作用。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：提供了一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，解决了如何使得防雷器所经受的雷击次数及每次雷击的强度得到监测的问题。为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是提供了一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，其特征在于，包括雷击信号前置取样电路、雷击次数信号处理电路和雷击强度信号处理电路，雷击信号前置取样电路分别与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接。优选地，所述的雷击信号前置取样电路包括罗氏线圈互感器，罗氏线圈互感器与第一保护电路并接在整流桥BG2的输入端，整流桥BG2的输出正端与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接，整流桥BG2输出负端接地。优选地，所述的第一保护电路包括压敏电阻RV1、电容C10，压敏电阻RV1、电容C10均并接在整流桥BG2的输入端。优选地，所述的雷击次数信号处理电路包括电阻R30，电阻R30的一端与整流桥BG2输出正端连接，电阻R30的另一端接第二保护电路及三极管8050基极，第二保护电路的另一端接地；三极管8050发射极接地，三极管8050集电极接电阻R31和电阻R32，电阻R32的另一端接正电源+5V，电阻R31的另一端接电容C46和串联的两个施密特触发器的反相输入，电容C46另一端接地，串联的两个施密特触发器反相输出接作雷击次数计数的CPU外部中断输入端。优选地，所述的第二保护电路为由电阻R33和电容C45的并联回路，电阻R33和电容C45的并联回路与电阻R30的另一端连接，电阻R33和电容C45的并联回路的另一端接地。优选地，所述的雷击强度信号处理电路包括电阻R11，电阻R11的一端与整流桥BG2输出正端连接，电阻R11另一端接第三保护电路及电阻R1，第三保护电路的另一端接地；电阻R1的另一端接保值取样电路，保值取样电路接保护稳压管Z1负端和作AD处理的CPU，稳压管Z1正端接地。优选地，所述的保值取样电路包括LF356放大器U1，电阻R1的另一端接LF356放大器U1正端输入3脚，LF356放大器U1正电源7脚接正电源+12V，LF356放大器U1负电源4脚接负电源-12V，LF356放大器U1负端输入2脚接二极管Q1负端和电阻R4，LF356放大器U1输出6脚接二极管Q1正端和二极管Q2正端，二极管Q2负端接三极管9013集电极、接电容C3和电阻R2，电容C3的另一端接地，三极管9013发射极接地，三极管9013基极接电阻R3，电阻R3的另一端接控制信号复位的CPU输出口；电阻R2的另一端接LF356放大器U2正端输入3脚，LF356放大器U2正电源7脚接正电源+12V，LF356放大器U2负电源4脚接负电源-12V，LF356放大器U2负端输入2脚接LF356放大器U2输出和电阻R4的另一端，LF356放大器U2输出同时接保护稳压管Z1负端和作AD处理的CPU。优选地，所述的与LF356放大器U1连接的负电源-12V的另一端串联电容C1后接地，与LF356放大器U1连接的正电源+12V的另一端串联电容C2后接地，与LF356放大器U2连接的负电源-12V的另一端串联电容C4后接地，与LF356放大器U2连接的正电源+12V的另一端串联电容C5后接地。优选地，所述的第三保护电路为由电阻R16和电容C2的并联回路，电阻R16和电容C2的并联回路的一端与电阻R11的另一端连接，电阻R16和电容C2的并联回路的另一端接地。本技术通过将雷击信号前置取样电路分别与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接，使其能够监测到防雷器所经受的雷击次数及每次雷击的强度，可以大致判断出该防雷器目前的劣化程度，预测出该防雷器余下的生命周期，本技术在雷电防护工程中有着十分重要的现实意义和广泛地前景。附图说明图1为本技术雷击信号前置取样原理图；图2为本技术雷击次数信号处理原理图；图3为本技术雷击强度信号处理原理图。具体实施方式为使本技术更明显易懂，兹以优选实施例，并配合附图作详细说明如下。本技术为一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，其包括雷击信号前置取样、雷击次数信号处理和雷击强度信号处理，雷击信号前置取样电路分别与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接。经处理后的信号送CPU，由CPU雷击次数信号作脉冲计数和对雷击强度信号作AD转换，对数值处理，计算出雷击计数的次数和对本次雷击强度。CPU经RS-485总线传输给上位机处理或报警。如图1所示，雷击信号前置取样电路包括罗氏线圈互感器，从罗氏线圈互感器取样的感应雷击信号由压敏电阻RV1和电容C10并接在整流桥BG2输入端。整流桥BG2的输出正端与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接，整流桥BG2输出负端接地。如图2所示，雷击次数信号处理电路包括电阻R30，雷击次数信号整流桥BG2输出正端接电阻R30，整流桥BG2输出负端接地，电阻R30另一端接由电阻R33和电容C45的并联回路及三极管8050基极，电阻R33和电容C45的并联回路的另一端接地；三极管8050发射极接地，三极管8050集电极接电阻R31和电阻R32，电阻R32的另一端接正电源+5V，电阻R31的另一端接电容C46和施密特触发器反相输入，电容C46另一端接地，施密特触发器反相输出接另一施密特触发器反相输入，其输出接CPU外部中断输入端作雷击次数计数。如图3所示，雷击强度信号处理电路包括电阻R11，雷击强度信号整流桥BG2输出正端接电阻R11，电阻R11另一端接由电阻R16和电容C2的并联回路及电阻R1，电阻R16和电容C2的并联回路的另一端接地；电阻R1的另一端接LF356放大器U1正端输入3脚，LF356放大器U1正电源7脚接正电源+12V，LF356放大器U1负电源4脚接负电源-12V，LF356放大器U1负端输入2脚接二极管Q1负端和电阻R4，LF356放大器U1输出6脚接二极管Q1正端和二极管Q2正端，二极管Q2负端接三极管9013集电极、接电容C3和电阻R2，电容C3的另一端接地，三极管9013发射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，其特征在于，包括雷击信号前置取样电路、雷击次数信号处理电路和雷击强度信号处理电路，雷击信号前置取样电路分别与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接，所述的雷击信号前置取样电路包括罗氏线圈互感器，罗氏线圈互感器与第一保护电路并接在整流桥BG2的输入端，整流桥BG2的输出正端与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接，整流桥BG2输出负端接地，所述的雷击次数信号处理电路包括电阻R30，电阻R30的一端与整流桥BG2输出正端连接，电阻R30的另一端接第二保护电路及三极管8050基极，第二保护电路的另一端接地；三极管8050发射极接地，三极管8050集电极接电阻R31和电阻R32，电阻R32的另一端接正电源+5V，电阻R31的另一端接电容C46和串联的两个施密特触发器的反相输入，电容C46另一端接地，串联的两个施密特触发器反相输出接作雷击次数计数的CPU外部中断输入端，所述的雷击强度信号处理电路包括电阻R11，电阻R11的一端与整流桥BG2输出正端连接，电阻R11另一端接第三保护电路及电阻R1，第三保护电路的另一端接地；电阻R1的另一端接保值取样电路，保值取样电路接保护稳压管Z1负端和作AD处理的CPU，稳压管Z1正端接地。...

【技术特征摘要】
1.一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，其特征在于，包括雷击信号前置取样电路、雷击次数信号处理电路和雷击强度信号处理电路，雷击信号前置取样电路分别与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接，所述的雷击信号前置取样电路包括罗氏线圈互感器，罗氏线圈互感器与第一保护电路并接在整流桥BG2的输入端，整流桥BG2的输出正端与雷击次数信号处理电路、雷击强度信号处理电路连接，整流桥BG2输出负端接地，所述的雷击次数信号处理电路包括电阻R30，电阻R30的一端与整流桥BG2输出正端连接，电阻R30的另一端接第二保护电路及三极管8050基极，第二保护电路的另一端接地；三极管8050发射极接地，三极管8050集电极接电阻R31和电阻R32，电阻R32的另一端接正电源+5V，电阻R31的另一端接电容C46和串联的两个施密特触发器的反相输入，电容C46另一端接地，串联的两个施密特触发器反相输出接作雷击次数计数的CPU外部中断输入端，所述的雷击强度信号处理电路包括电阻R11，电阻R11的一端与整流桥BG2输出正端连接，电阻R11另一端接第三保护电路及电阻R1，第三保护电路的另一端接地；电阻R1的另一端接保值取样电路，保值取样电路接保护稳压管Z1负端和作AD处理的CPU，稳压管Z1正端接地。2.如权利要求1所述的一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，其特征在于，所述的第一保护电路包括压敏电阻RV1、电容C10，压敏电阻RV1、电容C10均并接在整流桥BG2的输入端。3.如权利要求1所述的一种监测防雷器雷击次数及雷击强度的检测设备，其特征在于，所述的第二保护电路为由电阻R33和电容C45的并联回路，电阻R33和电容C45的并联回路与电阻R30的另一端连接，电阻R33和电容C45的并...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘余平，李正元，毛协国，伍先德，龚静，陈伟，
申请(专利权)人：上海臻和防雷电气技术有限责任公司，
类型：新型
国别省市：上海;31