一种背光基底的钙钛矿太阳电池及其制备方法技术

技术编号:14182497 阅读:125 留言:0更新日期:2016-12-14 11:50
本发明专利技术涉及一种背光基底的钙钛矿太阳电池及其制备方法。该钙钛矿太阳电池包括背光的基底,金属背反射层,电子传输层,钙钛矿吸收层,空穴传输层以及接受入射太阳光的透明导电膜。本发明专利技术钙钛矿太阳电池不仅结构简单,且能显著提升钙钛矿太阳电池的光学吸收,且能降低钙钛矿太阳电池的成本。

Perovskite solar cell with backlight substrate and preparation method thereof

The invention relates to a perovskite solar cell with a backlight substrate and a preparation method thereof. The perovskite solar cell comprises a backlight substrate, a metal back reflection layer, an electron transport layer, a perovskite absorption layer, a hole transport layer, and a transparent conductive film for incident sunlight. The perovskite solar cell of the invention has the advantages of simple structure, high optical absorption of the perovskite type solar cell and low cost of the perovskite solar cell.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于钛矿太阳电池
,具体涉及一种背光基底的钙钛矿太阳电池及其制备方法
技术介绍
钙钛矿太阳电池自2009年首次被报道以来,便吸引了大量科研工作者的兴趣。经过短短几年的发展,其器件效率便从3.8%提升到22%,被《科学》杂志评为2013年十大科学突破之一。钙钛矿太阳电池受到全世界光伏领域高度关注的原因,除了它在短时间内达到第一代晶体硅电池的高效率水平,更重要的是其低成本的制备方法,这为低迷中的光伏行业带来了曙光。在现有技术基础上,进一步提高效率和降低成本并推进其产业化,是其必然的发展趋势。到目前为止,钙钛矿太阳电池主要形成了两种结构,一种是n-i-p型结构,另一种是p-i-n型结构。其中n型层指的是电子传输层,i指的是钙钛矿吸收层或带介孔结构的钙钛矿吸收层,p指的是空穴传输层。这两种结构的主要区别是沉积n型层和p型层的顺序不同。对于n-i-p型结构,首先在透明导电基底上沉积n型层,而后顺序沉积i型层和p型层,最后沉积背电极;对于p-i-n型结构,则首先在透明导电基底上沉积p型层,而后顺序沉积i型层和n型层,最后沉积背电极。无论是n-i-p型还是p-i-n结构,二者有本文档来自技高网...
一种背光基底的钙钛矿太阳电池及其制备方法

【技术保护点】
一种背光基底的钙钛矿太阳电池,其特征在于,包括背光的基底,金属背反射层,电子传输层,钙钛矿吸收层,空穴传输层以及接受入射太阳光的透明导电膜;所述金属背反射层、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电膜的在所述基底表面的沉积顺序为金属背反射层、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电膜;或是金属背反射层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、透明导电膜。

【技术特征摘要】
1.一种背光基底的钙钛矿太阳电池,其特征在于,包括背光的基底,金属背反射层,电子传输层,钙钛矿吸收层,空穴传输层以及接受入射太阳光的透明导电膜;所述金属背反射层、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电膜的在所述基底表面的沉积顺序为金属背反射层、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电膜;或是金属背反射层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、透明导电膜。2.根据权利要求1所述背光基底的钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述金属背反射层为Au、Ag或Al中的一种或者两种的合金,厚度为10-500nm。3.根据权利要求1所述背光基底的钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述电子传输层为二氧化钛、氧化锌、Al或B或Ga掺杂氧化锌AZO或BZO或GZO、缓冲层修饰的氧化锌、缓冲层修饰的二氧化钛中的至少一种,厚度为30-300nm。4.根据权利要求1所述背光基底的钙钛矿太阳电池,其特征在于,所述钙钛矿吸收层为含有介孔结构或不含介孔结构的CH3NH3PbI3和CH3NH3PbI(3-x)Clx中的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈培专牛萍娟于莉媛张炜杜阳阳张建军
申请(专利权)人:天津工业大学
类型:发明
国别省市:天津;12

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