一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，属于滤波器技术领域，包括4个空腔区域和数个金属柱，实现了增加滤波器工作曲线中过渡带的陡峭程度，具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好和造价低等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于滤波器

技术介绍
近年来，随着移动通信、卫星通信及国防电子系统的微型化的迅速发展，高性能、低成本和小型化已经成为目前微波/射频领域的发展方向，对微波功率放大器的性能、尺寸、可靠性和成本均提出了更高的要求。描述这种部件性能的主要指标有：工作频率范围、输出功率增益、增益噪声指数、输入输出三阶截取点、电压驻波比等。低温共烧陶瓷是一种电子封装技术，采用多层陶瓷技术，能够将无源元件内置于介质基板内部，同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。LTCC技术在成本、集成封装、布线线宽和线间距、低阻抗金属化、设计多样性和灵活性及高频性能等方面都显现出众多优点，已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值，便于内嵌无源器件，散热性好，可靠性高，耐高温，冲震等优点，利用LTCC技术，可以很好的加工出尺寸小，精度高，紧密型好，损耗小的微波器件。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，增加了滤波器工作曲线中过渡带的陡峭程度，具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好和造价低等优点。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，包括上接地板G5，下接地板G6的上边间隔设有上接地板G5，下接地板的前边设有接地边框G1，下接地板的左边设有接地边框G3，下接地板的后边设有接地边框G2，下接地板的右边设有接地边框G4，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均设于下接地板G6和上接地板G5之间，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与下接地板G6连接，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与上接地板G5连接；接地边框G3的前侧框边设有输入端P1，接地边框G4的前侧框边设有输出端P2；接地边框G1的中间的后边从前至后依次间隔设有金属柱C1、金属柱C2、金属柱C3、金属柱C4、金属柱C5、金属柱C6和金属柱C7，金属柱C7的左边设有金属柱C8，金属柱C7的右边设有金属柱C10，金属柱C7的后边设有金属柱C11；上接地板G5上设有Z形缺陷Z1，下接地板G6上设有Z形缺陷Z2，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上为交叉设置，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上的交叉点位于金属柱C3和金属柱C4之间；金属柱C8的前边的空腔区域1为第一级滤波器，金属柱C8的后边的空腔区域2为第二级滤波器，金属柱C10的前边的空腔区域4为第四级滤波器，金属柱C10的后边的空腔区域3为第三级滤波器。所述Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2均为Z形开孔结构。所述输入端口P1和输出端口P2均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。所述一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器由多层低温共烧陶瓷工艺制成。本专利技术所述的一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，增加了滤波器工作曲线中过渡带的陡峭程度，具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好和造价低等优点，适用于相应微波频段的通信、卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；图2是本专利技术的俯视图；图3是本专利技术的工作曲线图。具体实施方式如图1-3所示的一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，包括上接地板G5，下接地板G6的上边间隔设有上接地板G5，下接地板的前边设有接地边框G1，下接地板的左边设有接地边框G3，下接地板的后边设有接地边框G2，下接地板的右边设有接地边框G4，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均设于下接地板G6和上接地板G5之间，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与下接地板G6连接，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与上接地板G5连接；接地边框G3的前侧框边设有输入端P1，接地边框G4的前侧框边设有输出端P2；接地边框G1的中间的后边从前至后依次间隔设有金属柱C1、金属柱C2、金属柱C3、金属柱C4、金属柱C5、金属柱C6和金属柱C7，金属柱C7的左边设有金属柱C8，金属柱C7的右边设有金属柱C10，金属柱C7的后边设有金属柱C11；上接地板G5上设有Z形缺陷Z1，下接地板G6上设有Z形缺陷Z2，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上为交叉设置，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上的交叉点位于金属柱C3和金属柱C4之间；金属柱C8的前边的空腔区域1为第一级滤波器，金属柱C8的后边的空腔区域2为第二级滤波器，金属柱C10的前边的空腔区域4为第四级滤波器，金属柱C10的后边的空腔区域3为第三级滤波器。所述Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2均为Z形开孔结构。所述输入端口P1和输出端口P2均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。所述一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器由多层低温共烧陶瓷工艺制成。工作时，本专利技术分为为4级滤波器，图2中所示的空腔区域1、空腔区域2、空腔区域3和空腔区域4即为滤波器的4级，金属柱C1～C11用来隔离级间能量，其中第一级滤波器和第四级滤波器级几乎被完全隔开，信号能量从输入端口P1进入，依次经过第一级滤波器、第二级滤波器、第三级滤波器和第四级滤波器，最后到输出端口P2输出，从上接地板G5和下接地板G6挖出的两块z形缺陷是为引入交叉耦合产生阻带传输零点以增加滤波器过渡带的陡峭。本专利技术所述的一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，增加了滤波器工作曲线中过渡带的陡峭程度，具有体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、使用方便、适用范围广、成品率高、批量一致性好和造价低等优点，适用于相应微波频段的通信、卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，其特征在于：包括上接地板G5，下接地板G6的上边间隔设有上接地板G5，下接地板的前边设有接地边框G1，下接地板的左边设有接地边框G3，下接地板的后边设有接地边框G2，下接地板的右边设有接地边框G4，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均设于下接地板G6和上接地板G5之间，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与下接地板G6连接，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与上接地板G5连接；接地边框G3的前侧框边设有输入端P1，接地边框G4的前侧框边设有输出端P2；接地边框G1的中间的后边从前至后依次间隔设有金属柱C1、金属柱C2、金属柱C3、金属柱C4、金属柱C5、金属柱C6和金属柱C7，金属柱C7的左边设有金属柱C8，金属柱C7的右边设有金属柱C10，金属柱C7的后边设有金属柱C11；上接地板G5上设有Z形缺陷Z1，下接地板G6上设有Z形缺陷Z2，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上为交叉设置，Z形缺陷Z1和Z形缺陷Z2在垂直投影上的交叉点位于金属柱C3和金属柱C4之间；金属柱C8的前边的空腔区域1为第一级滤波器，金属柱C8的后边的空腔区域2为第二级滤波器，金属柱C10的前边的空腔区域4为第四级滤波器，金属柱C10的后边的空腔区域3为第三级滤波器。...

【技术特征摘要】
1.一种极高频SIW交叉耦合带通滤波器，其特征在于：包括上接地板G5，下接地板G6的上边间隔设有上接地板G5，下接地板的前边设有接地边框G1，下接地板的左边设有接地边框G3，下接地板的后边设有接地边框G2，下接地板的右边设有接地边框G4，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均设于下接地板G6和上接地板G5之间，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与下接地板G6连接，接地边框G1、接地边框G2、接地边框G3和接地边框G4均与上接地板G5连接；接地边框G3的前侧框边设有输入端P1，接地边框G4的前侧框边设有输出端P2；接地边框G1的中间的后边从前至后依次间隔设有金属柱C1、金属柱C2、金属柱C3、金属柱C4、金属柱C5、金属柱C6和金属柱C7，金属柱C7的左边设有金属柱C8，金属柱C7的右边设有金属柱C10，金属柱C7的后边设有金...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴永胜，陈相治，杨茂雅，
申请(专利权)人：戴永胜，陈相治，杨茂雅，
类型：发明
国别省市：江苏;32