【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力
,特别是涉及一种自耦电力电子变压器及其输出功率的控制方法和系统。
技术介绍
在输电系统中,主要起变压和功率输送作用的传统自耦电力变压器被广泛应用。传统自耦电力变压器具有效率高、成本低、可靠性高、结构简单等优点,但是它也具有明显的缺点,例如:体积和重量大、空载损耗大、输送功率不可控、电能质量不可控以及自身消耗无功等。随着电力电子技术的发展,电力电子变压器(PET,Power electronic transformer)或固态变压器(SST,Solid-state transformer)的概念被提出用来改善和解决传统电力变压器存在的问题。PET结构上一般可分为输入级、隔离级和输出级三级结构,其基本特点是输入输出之间经过高频DC/DC隔离,PET在电压等级较低、容量较小的配电网已逐步开展示范和应用,但在输电领域,由于电压等级高、容量大,目前尚未有适用于输电系统的PET,特别是能够替代高效率的传统自耦电力变压器的PET。
技术实现思路
基于此,为解决现有技术中的问题,本专利技术提供一种自耦电力电子变压器,效率高,有功和无功功率可控性强,且体积小、重量轻,适用于输电系统。为实现上述目的,本专利技术实施例采用以下技术方案:一种自耦电力电子变压器,包括公共直流电容和若干个相单元电路,所述相单元电路包括第一电感、第二电感、N个H桥模块以及N个隔离型双向DC/DC模块;各个所述隔离型双向DC/DC模块的第一直流端口均与公共直流电容并接,各个所述隔离型双向DC/DC模块的第二直流端口均与对应的所述H桥模块的直流端口连接;第1至第N个H桥模块的交流端 ...
【技术保护点】
一种自耦电力电子变压器,其特征在于,包括公共直流电容和若干个相单元电路,所述相单元电路包括第一电感、第二电感、N个H桥模块以及N个隔离型双向DC/DC模块;各个所述隔离型双向DC/DC模块的第一直流端口均与公共直流电容并接,各个所述隔离型双向DC/DC模块的第二直流端口均与对应的所述H桥模块的直流端口连接;第1至第N个H桥模块的交流端口依次级联,第1个H桥模块的交流端口的第一出线与所述第一电感的一端连接,所述第一电感的另一端与第N个H桥模块的交流端口的第二出线构成高压端口;第k个H桥模块的交流端口的第一出线与第二电感的一端连接,所述第二电感的另一端与第N个H桥模块的交流端口的第二出线构成低压端口,其中2≤k≤N。
【技术特征摘要】
1.一种自耦电力电子变压器,其特征在于,包括公共直流电容和若干个相单元电路,所述相单元电路包括第一电感、第二电感、N个H桥模块以及N个隔离型双向DC/DC模块;各个所述隔离型双向DC/DC模块的第一直流端口均与公共直流电容并接,各个所述隔离型双向DC/DC模块的第二直流端口均与对应的所述H桥模块的直流端口连接;第1至第N个H桥模块的交流端口依次级联,第1个H桥模块的交流端口的第一出线与所述第一电感的一端连接,所述第一电感的另一端与第N个H桥模块的交流端口的第二出线构成高压端口;第k个H桥模块的交流端口的第一出线与第二电感的一端连接,所述第二电感的另一端与第N个H桥模块的交流端口的第二出线构成低压端口,其中2≤k≤N。2.根据权利要求1所述的自耦电力电子变压器,其特征在于,所述隔离型双向DC/DC模块包括全控开关管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、Q7、Q8,二极管D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8,变压器T1以及电容C1;全控开关管Q1的源极分别与全控开关管Q3的漏极、二极管D1的阳极以及二极管D3的阴极连接;全控开关管Q2的源极分别与全控开关管Q4的漏极、二极管D2的阳极连接以及二极管D4的阴极连接,全控开关管Q2的漏极分别与全控开关管Q1的漏极、二极管D1的阴极连接;全控开关管Q3的源极分别与二极管D3的阳极、全控开关管Q4的源极以及二极管D4的阳极连接;变压器T1初级绕组的一端与全控开关管Q3的漏极连接,另一端与全控开关管Q4的漏极连接;全控开关管Q5的源极分别与全控开关管Q7的漏极、二极管D5的阳极以及二极管D7的阴极连接;全控开关管Q6的源极分别与全控开关管Q8的漏极、二极管D6的阳极以及二极管D8的阴极连接,全控开关管Q6的漏极分别与全控开关管Q5的漏极、二极管D5的阴极连接;全控开关管Q7的源极分别与二极管D7的阳极、全控开关管Q8的源极以及二极管D8的阳极连接;变压器T1次级绕组的一端与全控开关管Q7的漏极连接,另一端与全控开关管Q8的漏极连接;电容C1的一端与全控开关管Q6的漏极连接,另一端与全控开关管Q8的源极连接;全控开关管Q1的漏极以及全控开关管Q3的源极构成所述隔离型双向DC/DC模块的第一直流端口;全控开关管Q6的漏极以及全控开关管Q8的源极构成所述隔离型双向DC/DC模块的第二直流端口。3.根据权利要求2所述的自耦电力电子变压器,其特征在于,所述全控开关管为MOSFET或IGBT。4.根据权利要求1至3中任一项所述的自耦电力电子变压器,其特征在于,所述H桥模块包括全控开关管Q9、Q10、Q11、Q12以及二极管D9、D10、D11、D12;全控开关管Q9的源极分别与全控开关管Q11的漏极、二极管D9的阳极以及二极管D11的阴极连接;全控开关管Q10的源极分别与全控开关管Q12的漏极、二极管D10的阳极连接以及二极管D12的阴极连接,全控开关管Q10的漏极分别与全控开关管Q9的漏极、二极管D9的阴极连接;全控开关管Q11的源极分别与二极管D11的阳极、全控开关管Q12的源极以及二极管D12的阳极连接;全控开关管Q9的漏极和全控开关管Q11的源极构成所述H桥模块的直流端口,全控开关管Q11的漏极和全控开关管Q12的漏极构成所述H桥模块的交流端口。5.根据权利要求4所述的自耦...
【专利技术属性】
技术研发人员:田兵,雷金勇,郭晓斌,李鹏,喻磊,
申请(专利权)人:南方电网科学研究院有限责任公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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