节能的动态DRAM缓存调整制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
除非本文中另外指示，在本部分中所描述的方法对于本申请中的权利要求不是现有技术，并且不因包括在本部分中而被承认为是现有技术。大规模芯片多处理器存在如下一种趋势：包括相当大量的处理器核的、具有在不久的将来中设想的高达数百或数千的核数。这样的处理器可以显著地降低具有高级别的并发的应用的处理时间，例如在应用中计算可以同时地执行或彼此并行地执行。然而，随着该趋势继续，在高核数芯片多处理器中的所有处理器核的有效使用或许变得更加困难，因为在没有指数地增加由于芯片多处理器中的泄露电流招致的静态功率消耗的情况下，阈值电压不再是按比例缩小的。结果，在将来的技术年代中高核数芯片多处理器中的每个核可用的功率预算或许降低。该情况或许导致被称作为“功率墙”、“实用墙”、或“暗硅”的现象，其中高核数芯片多处理器的越来越多的部分或许不以全频率供电或根本不通电。因此，这样的芯片多处理器的性能改进可以强有力地视能力效率、例如性能/瓦特或操作/焦耳而定。高容量片上缓存已经被开发为提高芯片性能的方法。例如，在多核裸片(die)上的末级缓存已经在动态随机存取存储器(DRAM)而不是静态随机存取存储器...
【技术保护点】
一种易失性或半易失性存储设备中的动态缓存调整的方法，所述方法包括：接收目标存储容量；选择用于所述易失性存储设备的刷新间隔；以及以所选择的刷新间隔来操作所述易失性存储设备，使得所述易失性存储设备具有经修改的数据存储容量，所述经修改的数据存储容量等于或大于接收到的所述目标存储容量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种易失性或半易失性存储设备中的动态缓存调整的方法，所述方法包括：接收目标存储容量；选择用于所述易失性存储设备的刷新间隔；以及以所选择的刷新间隔来操作所述易失性存储设备，使得所述易失性存储设备具有经修改的数据存储容量，所述经修改的数据存储容量等于或大于接收到的所述目标存储容量。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在接收所述目标存储容量之前，针对所述刷新间隔确定所述经修改的数据存储容量。3.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述易失性存储设备的所述刷新间隔包括基于所述易失性存储设备的经测量的数据存储容量选择先前测试的刷新间隔，所述易失性存储设备的所述经测量的数据存储容量是在所述易失性存储设备以所述先前测试的刷新间隔进行操作的情况下测量的。4.根据权利要求1所述的方法，还包括结合以所选择的刷新间隔来操作所述易失性存储设备来功率控制所述易失性存储设备的部分。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在功率控制所述易失性存储设备的所述部分之前：确定与结合以所选择的刷新间隔来操作所述易失性存储设备来功率控制所述易失性存储设备的所述部分相关联的、所述易失性存储设备的第一节能，确定与以所选择的所述刷新间隔来操作所述易失性存储设备相关联的、所述易失性存储设备的第二节能，以及确定所述第一节能大于所述第二节能。6.根据权利要求4所述的方法，还包括：在功率控制所述易失性存储设备的所述部分之前，基于所述目标存储容量来确定所述部分的大小。7.根据权利要求4所述的方法，其中所述经修改的数据存储容量是结合以所选择的刷新间隔来操作所述易失性存储设备来功率控制所述易失性存储设备的所述部分的结果。8.一种易失性存储设备中的动态缓存调整的方法，所述方法包括：接收目标存储容量；确定与功率控制所述易失性存储设备的部分相关联的、所述易失性存储设备的第一节能，所述易失性存储设备的剩余部分包括等于或大于所接收的目标存储容量的数据存储容量；确定与以选择的刷新间隔来操作所述易失性存储设备相关联的、所述易失性存储设备的第二节能，与以所选择的刷新间隔的操作有关的、所述易失性存储设备的所述数据存储容量等于或大于所接收的目标存储容量；以及基于所述第一节能大于所述第二节能，功率控制所述易失性存储设备的所述部分。9.如权利要求8所述的方法，还包括：在接收所述目标存储容量之前，确定与以所选择的刷新间隔的操作有关的、所述易失性存储设备的所述数据存储容量。10.如权利要求8所述的方法，还包括：在接收所述目标存储容量之前，测量和记录针对多个刷新间隔中的每一个的所述易失性存储设备的相应的数据存储容量。11.一种处理器，包括：处理器单元；易失性存储设备，其配置为缓存存储器且耦接到所述处理器单元；以及缓存存储控制器，其耦接到所述易失性存储设备且配置为：选择用于所述易失性存储设备的刷新...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·索林因，
申请(专利权)人：英派尔科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。