一种LED双控式多电路处理型节能控制系统技术方案

本发明专利技术公开了一种LED双控式多电路处理型节能控制系统，其特征在于，主要由单片机，均与单片机相连接的蜂鸣器、电源、控制器、信号处理单元和亮度传感器，与控制器相连接的LED灯，以及与信号处理单元相连接的红外线探头HW组成；所述信号处理单元由处理芯片U，场效应管MOS1，三极管VT3，采样保持电路，相位差校正电路，二阶滤波放大电路，以及信号输出调理电路等组成。本发明专利技术能通过对LED灯使用范围内的人员流动情况和其使用范围内的亮度情况来对LED灯的开启与关闭进行控制，并且本发明专利技术能对采集的人员流动信息进行准确的分析处理，从而确保了本发明专利技术能准对LED进行控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子设备的
，具体是指一种LED双控式多电路处理型节能控制系统。
技术介绍
现在LED照明灯已经成为人们生活中必不可少的电器。但是，现有LED照明灯多采用手动控制的方式和声控的方式来实现对灯的开启或关闭，即手动控制的方式是通过弹片式机械开关来开启或关闭LED灯，由于这种控制方式无法实现自动开启或关闭LED灯，当人长时间离开房间，忘记关闭照明灯时，就会造成能源浪费；而声控的方式则是通过声音传感器对LED灯使用范围内的声音进行采集，当声音传感器采集到有声音时，LED等则会被点亮，这种控制方式使用时在白天和夜晚只要在其控制范围内有声音便会点亮LED灯，该控制方式不能根据LED灯使用的范围的亮度来控制LED灯的开启与关闭，这便造成能源极大浪费。因此，提供一种LED节能控制系统便是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的LED灯控制系统不能根据环境亮度和人员流动情况来控制LED灯的开启与关闭的缺陷，本专利技术提供一种LED双控式多电路处理型节能控制系统。本专利技术通过以下技术方案来实现：一种LED双控式多电路处理型节能控制系统，主要由单片机，均与单片机相连接的蜂鸣器、电源、控制器、信号处理单元和亮度传感器，与控制器相连接的LED灯，以及与信号处理单元相连接的红外线探头HW组成。所述信号处理单元由处理芯片U，场效应管MOS1，三极管VT3，正极与场效应管MOS1的源极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C6，一端与场效应管MOS1的源极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R7，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R8后与处理芯片U的COM管脚相连接的二极管D3，一端与三极管VT3的集电极相连接后接地、另一端与处理芯片U的COM管脚相连接的电感L2，负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极与处理芯片U的CF管脚相连接的极性电容C7，分别与处理芯片U的CM管脚和红外线探头HW相连接的二阶滤波放大电路，串接在二阶滤波放大电路与处理芯片U的IN管脚之间的采样保持电路，分别与处理芯片U的PWM管脚和OUT管脚相连接的信号输出调理电路，以及串接在处理芯片U的COM管脚与信号输出调理电路之间的相位差校正电路组成；所述场效应管MOS1的栅极与处理芯片U的CC管脚相连接、其漏极还与处理芯片U的CM管脚相连接；所述三极管VT3的集电极接地；所述处理芯片U的GND管脚接地、其VS管脚则与外部12V直流电源相连接；所述信号输出调理电路与单片机相连接。所述采样保持电路由放大器P4，三极管VT7，三极管VT8，正极经电阻R28后与三极管VT7的基极相连接、负极与二阶滤波放大电路相连接的极性电容C18，一端与极性电容C18的正极相连接、另一端接地的电阻R29，正极经电阻R30后与三极管VT7的集电极相连接、负极接地的极性电容C21，负极与三极管VT7的发射极相连接后接地、正极经电阻R25后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C19，正极与场效应管MOS2的栅极相连接、负极经电阻R31后与放大器P4的正极相连接的极性电容C20，P极与极性电容C18的正极相连接、N极经电阻R26后与场效应管MOS2的源极相连接的二极管D9，一端与三极管VT8的基极相连接、另一端与场效应管MOS2的漏极相连接的可调电阻R27，一端与三极管VT8的发射极相连接、另一端与放大器P4的输出端相连接的电阻R32，P极与放大器P4的正极相连接、N极经电阻R33后与放大器P4的输出端相连接的二极管D10，以及负极与放大器P4的负极相连接后接地、正极经电阻R34后与放大器P4的输出端相连接的极性电容C22组成；所述放大器P4的输出端还与处理芯片U的IN管脚相连接。进一步的，所述相位差校正电路由放大器P3，三极管VT5，三极管VT6，P极与三极管VT5的基极相连接、N极经电阻R20后与三极管VT6的基极相连接的二极管D8，负极与三极管VT5的发射极相连接、正极顺次经电阻R15和电阻R18后与二极管D8的N极相连接的极性电容C13，P极与电阻R15与电阻R18的连接点相连接、N极经电阻R16后与三极管VT6的发射极相连接的二极管D7，一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端接地的电阻R17，一端与二极管D7的N极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的可调电阻R19，正极经电阻R21后与三极管VT5的集电极相连接、负极顺次经电阻R23和电阻R24后与放大器P3的输出端相连接的极性电容C14，正极与放大器P3的负极相连接、负极接地的极性电容C15，正极经电阻R22后与三极管VT6的集电极相连接、负极接地的极性电容C17，以及正极与三极管VT6的集电极相连接、负极与信号输出调理电路相连接的极性电容C16组成；所述极性电容C13的负极还与处理芯片U的COM管脚相连接；所述三极管VT5的集电极还与放大器P3的正极相连接；所述极性电容C14的负极还与二极管D8的N极相连接。所述二阶滤波放大电路由放大器P1，三极管VT1，三极管VT2，正极经电阻R3后与放大器P1的正极相连接、负极与红外线探头HW相连接的极性电容C2，正极与放大器P1的负极相连接、负极与三极管VT1的基极相连接的极性电容C4，一端与放大器P1的负极相连接、另一端与三极管VT1的基极相连接的电阻R4，正极与三极管VT2的基极相连接、负极经电感L1后与放大器P1的负极相连接的极性电容C5，P极经电阻R6后与极性电容C5的负极相连接、N极经电阻R5后与放大器P1的负极相连接的二极管D2，正极与放大器P1的输出端相连接、负极与极性电容C18的负极相连接的极性电容C3，P极经电阻R2后与放大器P1的正极相连接、N极与极性电容C3的负极相连接的二极管D1，以及负极与放大器P1的正极相连接、正极经可调电阻R1后与二极管D1的N极相连接的极性电容C1组成；所述三极管VT1的集电极接地、其发射极与二极管D2的N极相连接；所述三极管VT2的集电极与处理芯片U的CM管脚相连接后接地、其发射极与极性电容C3的负极相连接。所述信号输出调理电路由放大器P2，三极管VT4，正极与处理芯片U的OUT管脚相连接、负极经电阻R11后与放大器P2的正极相连接的极性电容C9，P极经电阻R9后与三极管VT4的发射极相连接、N极经可调电阻R10后与放大器P2的输出端相连接的二极管D4，正极与的三极管VT4的发射极相连接、负极与二极管D4的P极相连接后接地的极性电容C8，P极与处理芯片U的PWM管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D5，正极经电阻R13后与三极管VT4的集电极相连接、负极接地的极性电容C11，P极经电阻R12后与放大器P2的负极相连接、N极放大器P2的输出端相连接的二极管D6，正极与放大器P2的输出端相连接、负极与单片机相连接的极性电容C10，以及正极经电阻R14后与放大器P2输出端相连接、负极与放大器P2的负极相连接后接地的极性电容C12组成；所述极性电容C9的负极还分别与极性电容C16的负极和三极管VT4的发射极相连接。为确保本专利技术的实际使用效果，所述处理芯片U则优先采用了为AD736集成芯片来实现。同时所述红外线探头HW为KR-P900广角红外线探头。本专利技术与现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED双控式多电路处理型节能控制系统，其特征在于，主要由单片机，均与单片机相连接的蜂鸣器、电源、控制器、信号处理单元和亮度传感器，与控制器相连接的LED灯，以及与信号处理单元相连接的红外线探头HW组成；所述信号处理单元由处理芯片U，场效应管MOS1，三极管VT3，正极与场效应管MOS1的源极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C6，一端与场效应管MOS1的源极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R7，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R8后与处理芯片U的COM管脚相连接的二极管D3，一端与三极管VT3的集电极相连接后接地、另一端与处理芯片U的COM管脚相连接的电感L2，负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极与处理芯片U的CF管脚相连接的极性电容C7，分别与处理芯片U的CM管脚和红外线探头HW相连接的二阶滤波放大电路，串接在二阶滤波放大电路与处理芯片U的IN管脚之间的采样保持电路，分别与处理芯片U的PWM管脚和OUT管脚相连接的信号输出调理电路，以及串接在处理芯片U的COM管脚与信号输出调理电路之间的相位差校正电路组成；所述场效应管MOS1的栅极与处理芯片U的CC管脚相连接、其漏极还与处理芯片U的CM管脚相连接；所述三极管VT3的集电极接地；所述处理芯片U的GND管脚接地、其VS管脚则与外部12V直流电源相连接；所述信号输出调理电路与单片机相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种LED双控式多电路处理型节能控制系统，其特征在于，主要由单片机，均与单片机相连接的蜂鸣器、电源、控制器、信号处理单元和亮度传感器，与控制器相连接的LED灯，以及与信号处理单元相连接的红外线探头HW组成；所述信号处理单元由处理芯片U，场效应管MOS1，三极管VT3，正极与场效应管MOS1的源极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C6，一端与场效应管MOS1的源极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R7，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极经电阻R8后与处理芯片U的COM管脚相连接的二极管D3，一端与三极管VT3的集电极相连接后接地、另一端与处理芯片U的COM管脚相连接的电感L2，负极与场效应管MOS1的漏极相连接、正极与处理芯片U的CF管脚相连接的极性电容C7，分别与处理芯片U的CM管脚和红外线探头HW相连接的二阶滤波放大电路，串接在二阶滤波放大电路与处理芯片U的IN管脚之间的采样保持电路，分别与处理芯片U的PWM管脚和OUT管脚相连接的信号输出调理电路，以及串接在处理芯片U的COM管脚与信号输出调理电路之间的相位差校正电路组成；所述场效应管MOS1的栅极与处理芯片U的CC管脚相连接、其漏极还与处理芯片U的CM管脚相连接；所述三极管VT3的集电极接地；所述处理芯片U的GND管脚接地、其VS管脚则与外部12V直流电源相连接；所述信号输出调理电路与单片机相连接。2.根据权利要求1所述的一种LED双控式多电路处理型节能控制系统，其特征在于，所述采样保持电路由放大器P4，三极管VT7，三极管VT8，正极经电阻R28后与三极管VT7的基极相连接、负极与二阶滤波放大电路相连接的极性电容C18，一端与极性电容C18的正极相连接、另一端接地的电阻R29，正极经电阻R30后与三极管VT7的集电极相连接、负极接地的极性电容C21，负极与三极管VT7的发射极相连接后接地、正极经电阻R25后与三极管VT8的集电极相连接的极性电容C19，正极与场效应管MOS2的栅极相连接、负极经电阻R31后与放大器P4的正极相连接的极性电容C20，P极与极性电容C18的正极相连接、N极经电阻R26后与场效应管MOS2的源极相连接的二极管D9，一端与三极管VT8的基极相连接、另一端与场效应管MOS2的漏极相连接的可调电阻R27，一端与三极管VT8的发射极相连接、另一端与放大器P4的输出端相连接的电阻R32，P极与放大器P4的正极相连接、N极经电阻R33后与放大器P4的输出端相连接的二极管D10，以及负极与放大器P4的负极相连接后接地、正极经电阻R34后与放大器P4的输出端相连接的极性电容C22组成；所述放大器P4的输出端还与处理芯片U的IN管脚相连接。3.根据权利要求2所述的一种LED双控式多电路处理型节能控制系统，其特征在于，所述相位差校正电路由放大器P3，三极管VT5，三极管VT6，P极与三极管VT5的基极相连接、N极经电阻R20后与三极管VT6的基极相连接的二极管D8，负极与三极管VT5的发射极相连接、正极顺次经电阻R15和电阻R18后与二极管D8的N极相连接的极性电容C13，P极与电阻R15与电阻R18的连接点相连接、N极经电阻R16后与三极管VT6的发射极相连接的二极管D7，一端与三极管VT6的发射极相...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛鸿雁，
申请(专利权)人：成都东创精英科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51