一种智能卡的解决7816/SWP双接口同步NVM数据的方法和装置制造方法及图纸

技术编号:13977900 阅读:47 留言:0更新日期:2016-11-11 21:47
本发明专利技术提供了一种智能卡的解决7816/SWP双接口同步NVM数据的方法和装置,包括:SWP接口的应用命令的快速响应;基于NVM数据访问状态机、NVM擦写流程等设计,来保证双接口下NVM数据同步的方法。本发明专利技术可以保证SWP端专用应用命令的快速响应,使安全单元芯片的COS支持更多的应用种类。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及智能卡的
,特别是涉及NFC移动支付应用中安全单元芯片的双接口同步NVM的方法。
技术介绍
智能卡是一种集成电路芯片,集成了微控制器CPU、随机存储器RAM、非易失存储器NVM(Non-Volatile Memory)和操作系统COS(Chip Operating System),可支持多种通信接口。其中非易失存储器NVM中存储的数据掉电不丢失,本专利技术中提到的“NVM数据”特指与应用相关的数据。7816和SWP(Single Wire Protocol)是智能卡中常见的接触式通信接口,两个接口相互独立,互不影响。安全单元(Secure Element)芯片是一种智能卡,简称SE,应用于基于近场通信NFC(Near Field Communication)技术的移动支付(Mobile Payment)系统中,支持7816、SWP等通信接口。SE的常见形式是SIM卡。在NFC-SIM移动支付系统中,射频前端芯片CLF(Contactless Front)与SE芯片以SWP接口连接,CLF芯片集成了非接触天线,负责实现多种非接触通信协议;手机终端与SE芯片以7816接口连接。手机终端可以通过7816接口与SE交互APDU(Application Protocol Data Unit)命令,来读写SE芯片中的NVM数据。非接触读卡器可以通过非接触通信协议与CLF芯片交互APDU或其他专用格式的应用命令,CLF芯片再通过SWP接口向SE芯片透传应用命令,从而实现非接触读卡器读写SE芯片中的NVM数据。当非接触读卡器通过专用格式的应用命令与CLF芯片交互时,为保证应用命令的执行性能满足特定要求,需要SE芯片尽快响应应用命令。当SE芯片中的部分NVM数据,可能被7816和SWP两个接口中的应用命令同时读写时,SE芯片上的COS必须保证NVM数据的同步。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种智能卡设计方案,在保证SWP接口的专用应 用命令的快速响应的同时,保证双接口下NVM数据的同步。本专利技术还提供了一种智能卡COS,用以保证上述方案在实际中的应用。为了解决上述问题,本专利技术公开了一种SWP接口的专用应用命令处理机制、NVM数据访问状态机和NVM擦写流程,包括:当CLF芯片通过SWP接口透传给SE芯片专用应用命令后,SE芯片产生SWP帧接收中断,为尽快响应应用命令,COS在SWP帧接收中断处理函数中实现专用应用命令的处理,处理完成后退出中断处理函数。当手机终端通过7816接口传给SE芯片应用命令后,COS仅在中断中接收7816接口数据,不进行应用命令处理,而在COS的主流程中处理此应用命令。当芯片正在进行NVM数据擦写时,芯片接收到了承载专用应用命令的SWP数据帧,则芯片终止当前的NVM擦写,并通过寄存器给出NVM擦写被打断的标志,表示当前NVM擦写操作被打断了。SWP接口的专用应用命令在COS的中断处理函数中被处理,芯片保证不会被打断或终止。行业内技术规范约定,承载专用应用命令的SWP数据帧交互必须成对出现,即一收一发,SE芯片不会连续接收到两帧承载专用应用命令的SWP数据帧。COS维护一个标志FlagA,上电初始状态为0,接收到第一条SWP接口的专用应用命令时设置为非0;根据行业内技术规范约定,COS可以获取专用应用命令交互完成或退出的事件,COS应在此事件发生后立即清除FlagA为0。芯片设计支持COS的FlagA清零操作是在中断处理函数中进行。COS优选的处理方式是:7816接口的应用命令访问NVM数据前,都要确认FlagA标志。当FlagA为非0时,可以选择等待直至FlagA为0,也可以选择通过7816接口的命令响应,通知手机终端应用命令执行失败且NVM数据可能被SWP接口改写。COS在当7816接口已经启动擦写一块NVM数据,但发生了擦写过程被终止的事件时,COS优选的处理方式是:重复执行NVM擦写流程,或者通过7816接口的命令响应,通知手机终端应用命令执行失败且NVM数据可能被SWP接口改写。为了简化NVM模块的设计,使NVM模块不考虑中断处理函数中的NVM擦写流程与主流程中的NVM擦写流程的交叉影响,芯片的NVM擦写流程中,优选的处理方式是,在第一步骤先关闭所有中断使能,在NVM擦写完成或被打断后,恢复中断使能配置。本专利技术提出的方案,不增加芯片设计的复杂度,通过COS中状态机和NVM操作流程的设计,兼顾了SWP 接口专用应用命令的快速响应和NVM数据在双接口下的同步,使安全单元(SE)芯片的COS可以支持更多的应用种类。附图说明图1是本专利技术的一种SWP/7816双接口命令处理的基本流程图图2是本专利技术的一种NVM擦写流程图图3是本专利技术的一种7816接口NVM数据访问状态机流转图具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术实施例的核心构思在于,通过将SWP接口的专用应用命令放在中断服务程序中处理,来保证专用应用的快速响应;同时依靠NVM数据访问状态机、NVM擦写流程的设计,保证SWP/7816双接口访问的NVM数据的同步。参考图1,步骤102用于接收不要求快速响应的应用命令,但不处理命令步骤103是处理需要快速响应的SWP接口专用应用命令步骤104置位FlagA标志。在7816接口NVM操作前须查询此标志;另外,COS在上电初始化时,以及退出SWP接口专用应用时,须清零FlagA标志步骤105/108代表COS主流程中的不断循环执行的一些关键操作步骤107是处理7816接口应用命令参考图2,是本专利技术典型的NVM擦写流程,其中SWP接口专用应用命令中的NVM擦写,直接实施此流程步骤201保证NVM擦写流程不会嵌套,可极大简化硬件NVM模块的设计步骤202/203/204代表NVM擦写流程的一些关键操作步骤205用于恢复中断使能,及时响应可能发生的外设中断信号步骤205执行之前,如果NVM擦写未被打断,正常执行一般需要几ms的时间;如果被打断,只需100us左右的时间,即可响应外设中断信号参考图3,步骤302即图1所示的典型NVM擦写流程作为优选实施方案,步骤301保证了7816接口NVM擦写之前,优先完成SWP接口的NVM擦写操作;步骤303是一种优选实施方式,用于保证7816端的NVM擦写成功执行,实施场景是,7816接口NVM擦写操作先一步处理,随后发生的SWP接口的专用应用命令会打断7816接口NVM擦写。为使本领域技术人员更好地理解本专利技术,以下通过具体例子对本专利技术实施方式更进一步说明。例如,7816端在步骤201执行之前,SWP端未完成应用命令交互,COS可以根据FlagA标志进行审计,或者7816端操作等待,直至SWP端命令交互完成后再执行;或者通过命令响应通知手机。例如,7816端执行步骤201和步骤205之间的操作,SWP端接收到应用命令的事件会打断NVM擦写流程,在步骤205执行完成后,快速优先响应SWP端命令;SWP端命令处理完成后,COS在步骤303中进行审计,决定7816端NVM擦写是否重试或通过命令响应通知手机。以上对本专利技术所提供的一种智能卡的解决7816/本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种智能卡的解决7816/SWP双接口同步NVM数据的方法和装置,其特征在于,包括:在SWP帧接收中断处理函数中处理专用应用命令;维护一标志位,用于表征专用应用命令的交互流程是否完成。

【技术特征摘要】
1.一种智能卡的解决7816/SWP双接口同步NVM数据的方法和装置,其特征在于,包括:在SWP帧接收中断处理函数中处理专用应用命令;维护一标志位,用于表征专用应用命令的交互流程是否完成。2.一种智能卡的解决7816/SWP双接口同步NV...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛万树
申请(专利权)人:北京中电华大电子设计有限责任公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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