【技术实现步骤摘要】
相关申请案的交叉引用本专利技术根据专利法主张于2015年4月17日申请的第10-2015-0054195号韩国专利申请案的优先权和权益,所述韩国专利申请案特此出于所有目的以引用的方式并入,如同在本文中完全阐述一般。
本专利技术涉及用于使用多个触控集成电路(touch Integrated Circuit,IC)辨识在触控面板(touch panel)上的触摸的技术,尤其涉及一种多芯片触控系统。
技术介绍
触摸辨识技术(touch recognizing technology)为用于通过感测在物体接近于或接触包含传感器的触控面板时产生的信号而辨识用户的输入操作的技术。在触摸辨识技术中,使用各种类型的方法,例如磁性方法、电阻方法和电容方法,并且最近,电容方法已成为通用趋势。多个传感器安置在触控面板中。触控面板的区域越宽或触摸的分辨率越高,安置在触控面板中的传感器越多。最近,安置在触控面板中的传感器的数目正持续增大。因此,触控面板的区域变得较大,并且触控面板的分辨率同时变得较高。当安置在触控面板中的传感器的数目增大时,感测信号可经分布以使用多个触控集成电路(IC)处理所述感测信号,而非使用一个触控IC处理所有感测信号。如上文所描述的使用多个触控IC分布并且处理感测信号的系统称为多芯片触控系统。同时,多芯片触控系统可能以差分方法处理感测信号。当差分方法应用于多芯片触控系统时,多个触控IC中的信号处理可能会引起问题。举例来说,在差分方法的情况下,两个触控IC一起连接到定位在边界区域中的接收电极。此时,两个触控IC感测边界区域接收电极而无相互干扰的方法可能会引 ...
【技术保护点】
一种触控系统,用于感测物体对划分了多个区域的触控面板的接近性或触摸,其特征在于,所述触控系统包括:第一触控集成电路,其经配置以依据从第一组接收电极和边界接收电极接收的感测信号而产生用于第一区域的触摸数据;以及第二触控集成电路,其经配置以依据从第二组接收电极和所述边界接收电极接收的感测信号而产生用于第二区域的触摸数据,其中,在所述第一触控集成电路从所述边界接收电极接收到所述感测信号时,所述第二触控集成电路解除与所述第二组接收电极当中的至少一个接收电极的连接并且解除与所述边界接收电极的连接。
【技术特征摘要】
2015.04.17 KR 10-2015-00541951.一种触控系统,用于感测物体对划分了多个区域的触控面板的接近性或触摸,其特征在于,所述触控系统包括:第一触控集成电路,其经配置以依据从第一组接收电极和边界接收电极接收的感测信号而产生用于第一区域的触摸数据;以及第二触控集成电路,其经配置以依据从第二组接收电极和所述边界接收电极接收的感测信号而产生用于第二区域的触摸数据,其中,在所述第一触控集成电路从所述边界接收电极接收到所述感测信号时,所述第二触控集成电路解除与所述第二组接收电极当中的至少一个接收电极的连接并且解除与所述边界接收电极的连接。2.根据权利要求1所述的触控系统,其特征在于,传感器是通过多个驱动电极与多个接收电极的相交点形成,所述第二触控集成电路经配置以将驱动信号提供到所述驱动电极,并且所述第一触控集成电路经配置以根据从所述第二触控集成电路接收的同步信号而从所述第一组接收电极和所述边界接收电极接收所述感测信号。3.根据权利要求2所述的触控系统,其特征在于,所述第二触控集成电路经配置以在第一时间周期期间将第一驱动信号提供到每一驱动电极,并且经配置以在第二时间周期期间将第二驱动信号提供到每一驱动电极,所述第一触控集成电路经配置以在所述第一时间周期期间解除与所述边界接收电极的所述连接,并且经配置以在所述第二时间周期期间从所述边界接收电极接收所述感测信号,并且所述第二触控集成电路经配置以在所述第一时间周期期间从所述第二组接收电极当中的至少一个接收电极和所述边界接收电极接收所述感测信号,并且经配置以在所述第二时间周期期间解除与所述接收电极和所述边界接收电极的所述连接。4.根据权利要求1所述的触控系统,其特征在于,所述第一组接收电极的数目为N,N为自然数,所述第二组接收电极的数目为M,M为奇数,个差分放大器定位在所述第一触控集成电路中,并且个差分放大器定位在所述第二触控集成电路中,其中意指不小于A的最小整数。5.根据权利要求4所述的触控系统,其特征在于,定位在所述第二触控
\t集成电路中的所述差分放大器当中的第一差分放大器连接到两个开关,并且其余的每一差分放大器连接到四个开关。6.根据权利要求5所述的触控系统,其特征在于,在所述第一触控集成电路从所述边界接收电极接收到所述感测信号时,连接到所述第一差分放大器的两个开关皆断开。7.根据权利要求5所述的触控系统,其特征在于,在所述第二触控集成电路从所述边界接收电极接收到所述感测信号时,连接到所述第一差分放大器的两个开关皆闭合。8.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:安容星,崔正珉,
申请(专利权)人:硅工厂股份有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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