【技术实现步骤摘要】
本专利技术系关于一种存储器装置的数据更新方法;特别是关于一种根据电压偏移所执行的数据更新方法。
技术介绍
快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置,系以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例,常用作存储卡(memory card)、通用序列总线闪存装置(USB flash device)、固态硬盘(SSD)、嵌入式快闪存储器模块(eMMC)…等使用。快闪存储器(如,NAND FLASH)的储存阵列包括多个区块(blocks),其中浮置栅极晶体管可用以构成快闪存储器。浮置栅极晶体管中的浮置栅极,可捕捉的电荷以储存数据。然而,储存于浮置栅极的电荷会由于快闪存储器的操作以及各种环境参数,自浮置栅极流失,造成数据保存(Data retention)的问题。
技术实现思路
数据储存装置可判断页面的电压分布是否向一既定方向偏移,以判断页面是否发生数据保存的问题。本专利技术提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。控制器被设置为用以判断快闪存储器中的一第一页面是否符合一既定条件。当第一页面符合既定条件时,控制器更新(refresh)相应于第一页面的一区块,其中既定条件包括第一页面的电压分布向一既定方向偏移,并且既定方向是左边。在一实施例中,控制器系被设置为借由一低密度奇偶检查(Low-density parity-check code,LDPC)错误校正,判断第一页面的电压分布是否向既定方向偏移。低密度奇偶检查错误校正包括多个阶段解码,并且控制器系被设置为当
阶段解码中的一者成功校正第一页面并回传 ...
【技术保护点】
一种数据储存装置,包括:一快闪存储器;以及一控制器,被设置为用以判断上述快闪存储器中的一第一页面是否符合一既定条件,以及当上述第一页面符合上述既定条件时,更新相应于上述第一页面的一区块,其中上述既定条件包括上述第一页面的电压分布向一既定方向偏移,并且上述既定方向是左边。
【技术特征摘要】
2015.02.04 TW 1041036741.一种数据储存装置,包括:一快闪存储器;以及一控制器,被设置为用以判断上述快闪存储器中的一第一页面是否符合一既定条件,以及当上述第一页面符合上述既定条件时,更新相应于上述第一页面的一区块,其中上述既定条件包括上述第一页面的电压分布向一既定方向偏移,并且上述既定方向是左边。2.根据权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于,上述控制器系被设置为借由一低密度奇偶检查错误校正,判断上述第一页面的电压分布是否向上述既定方向偏移。3.根据权利要求2所述的数据储存装置,其特征在于,上述低密度奇偶检查错误校正包括多个阶段解码,并且上述控制器系被设置为当上述阶段解码中的一者成功校正上述第一页面并回传相应于负值的一校正读取电压时,判断上述第一页面的电压分布向上述既定方向偏移。4.根据权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于,上述既定条件更包括上述第一页面的电压分布偏移超过一既定值。5.根据权利要求4所述的数据储存装置,其特征在于,上述控制器系被设置为借由具有多个阶段解码的一低密度奇偶检查错误校正,判断上述第一页面的电压分布偏移是否超过一既定值,其中上述控制器系被设置为当成功校正上述第一页面的上述阶段解码大于一既定阶段解码时,判断上述第一页面的电压分布偏移超过上述既定值。6.根据权利要求5所述的数据储存装置,其特征在于,上述既定阶段解码为第三阶段解码。7.根据权利要求4所述的数据储存装置,其特征在于,上述控制器更被设置为对上述第一页面进行一第一阶段解码,当上述第一阶段解码无法成功对上述第一页面进行解码时,对上述第一页面进行一第二阶段解码,当上述第二阶段解码无法成功对上述第一页面进行解码时,对上述第一页面进行一第三阶段解码,并且当上述第三阶段解码成功对上述第一页面进行解码并回传具有负值的一校正读取电压时,判断上述第一页面的电压分布超过上述既定值并且向上述既定方向偏移。8.根据权利要求7所述的数据储存装置,其特征在于,上述第一阶段解码是对上述第一页面重新读取三次,上述第二阶段解码是对上述第一页面重新读取五次,并且上述第三阶段解码是对上述第一页面重新读取七次。9.根据权利要求1所述的数据储存装置,其特征在于,上述控制器更被设置为根据一主机的一读取命令对上述第一页面进行一第一次读取动作,并且当上述第一次读取动作无法成功读取上述第一页面时,才进行上述判断上述第一页面是否符合上述既定条件的动作。10.根据权利要求9所述的数据储存装置,其特征在于,上述第一读取动作包括一错误校正程序用以在上述第一读取动作中校正上述第一页面中的至少一错误比特。11.一种数据更新方法,包括:判断一快闪...
【专利技术属性】
技术研发人员:周柏昇,
申请(专利权)人:慧荣科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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