【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及成像装置和处理盒。
技术介绍
电子照相型成像装置通常包括电子照相感光体(其可被称为“感光体”)、充电单元、静电潜像形成单元、显影单元、转印单元、清洁单元、定影单元等。专利文献1公开了一种成像装置，其包括感光体和充电装置。在专利文献1公开的成像装置中，以这样的方式获得感光体：利用浸涂法在基材上形成感光膜并使其旋转，并且在利用浸涂形成感光膜时，充电装置使得接触充电部件沿着感光体的轴向与起始于对接起始位置的区域接触并对感光体进行充电，该对接起始位置设定为从位于上方侧的感光体的上端部直至内部。在专利文献1公开的成像装置中，当将感光体的寿命预定旋转数设为A(转)、感光体每旋转一转的感光膜磨损量设为B(μm)、感光体的充电装置产生的充电电势(绝对值)设为C(V)、以及感光体的充电电压施加期间的介电击穿场强度设为D(V/μm)时，接触充电部件的对接起始位置设定在以下部位：在该部位处，感光体中的感光膜的膜厚度为由式“C÷D+A×B”获得的值至成像区域中的感光膜的平均膜厚减去2μm所得的值。专利文献2公开了一种电子照相装置，其至少包括电子照相感光体和清洁部件。在该电...
【技术保护点】
一种成像装置，包括：电子照相感光体，其包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含感光层的有机层；充电部件，其接触所述电子照相感光体的表面并且对所述电子照相感光体的表面进行充电；静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像；显影单元，其利用包含调色剂的显影剂将形成于所述电子照相感光体的表面上的静电潜像显影，以形成调色剂图像；转印单元，其将所述调色剂图像转印到记录介质的表面上；以及清洁部件，其接触所述电子照相感光体的表面从而在所述电子照相感光体的表面上进行清洁，其中在所述电子照相感光体的轴向上，所述电子照相感光体和所述清洁部件的接触区域比所述电子照相感光体和...
【技术特征摘要】
2015.03.18 JP 2015-0550421.一种成像装置，包括：电子照相感光体，其包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含感光层的有机层；充电部件，其接触所述电子照相感光体的表面并且对所述电子照相感光体的表面进行充电；静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像；显影单元，其利用包含调色剂的显影剂将形成于所述电子照相感光体的表面上的静电潜像显影，以形成调色剂图像；转印单元，其将所述调色剂图像转印到记录介质的表面上；以及清洁部件，其接触所述电子照相感光体的表面从而在所述电子照相感光体的表面上进行清洁，其中在所述电子照相感光体的轴向上，所述电子照相感光体和所述清洁部件的接触区域比所述电子照相感光体和所述充电部件的接触区域宽，在所述电子照相感光体的轴向上的两个端部处的最大总膜厚部分别被包括在不与所述清洁部件接触的区域中，其中在所述最大总膜厚部，所述有机层的总膜厚变为最大，并且在将位于与所述充电部件接触的区域中的所述有机层的平均总膜厚设为d，将位于不与所述充电部件接触的区域中且从所述电子照相感光体的轴向上的与所述充电部件接触的区域的端部至与所述清洁部件接触的区域的端部的区域A中的所述有机层的总膜厚设为d’，将位于不与所述清洁部件接触的区域中且从所述电子照相感光体轴向上的与所述清洁部件接触的区域的端部至所述最大总膜厚部的区域B中的所述有机层的总膜厚设为d”，并且将所述有机层的所述最大总膜厚部的总膜厚设为d”max时，在所述电子照相感光体的轴向上的两个端部均满足以下所有的关系式(1)至(3)：0.97≤d’/d≤1.03 (1)0.97≤d”/d≤1.1 (2)1.03≤d”max/d≤1.1 (3)。2.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述关系式(1)满足以下关系：0.98≤d’/d≤1.02。3.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述关系式(2)满足以下关系：0.98≤d”/d≤1.05。4.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述关系式(3)满足以下关系：1.03≤d”max/d≤1.05。5.根据权利要求1所述的成像装置，其中当将所述区域A在所述电子照相感光体的轴向上的长度设为a时，满足以下关系：1mm≤a≤5mm。6.根据权利要求1所述的成像装置，其中当将所述区域A在所述电子照相感光体的轴向上的长度设为a时，满足以下关系：1mm≤a≤3mm。7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：多田一幸，牧浦伸哉，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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