NandFlash的扫描方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种NandFlash的扫描方法，所述NandFlash的扫描方法包括以下步骤：当上位机扫描到当前连接的NandFlash设备中的NandFlash存在预置数量的可用储存块时，所述上位机将预设的第一扫描程序写入到扫描到的可用储存块中；当所述NandFlash设备再次上电时，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash中的所有储存块进行扫描。本发明专利技术还公开了一种NandFlash的扫描系统。本发明专利技术减少上位机对NandFlash的扫描时间，提高NandFlash设备的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及闪存检测
，尤其涉及一种NandFlash的扫描方法及系统。
技术介绍
众所周知，在NandFlash设备生产时，通常需要对NandFlash进行扫描。然而现有的扫描方式中通常将NandFlash设备与计算机连接，通过计算机对NandFlash设备中的NandFlash的可用储存块进行扫描。由于对NandFlash的全部储存块进行扫描的周期较长，且一台计算机一次可以扫描的NandFlash设备的数量有限，因此无法提高NandFlash设备的生成效率。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种NandFlash的扫描方法及系统，旨在减少上位机对NandFlash的扫描时间，提高NandFlash设备的生产效率。为实现上述目的，本专利技术提供的一种NandFlash的扫描方法包括以下步骤：当上位机扫描到当前连接的NandFlash设备中的NandFlash存在预置数量的可用储存块时，所述上位机将预设的第一扫描程序写入到扫描到的可用储存块中；当所述NandFlash设备再次上电时，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash中的所有储存块进行扫描。优选地，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash设备中的所有储存块进行扫描之后还包括：当所述上位机再次与所述NandFlash设备连接时，所述上位机读取所述NandFlash设备的扫描结果。优选地，所述上位机读取所述NandFlash设备的扫描结果之后还包括：所述上位机根据所述扫描结果对NandFlash进行重新编程算法管理程序。优选地，所述NandFlash的扫描方法还包括：当NandFlash中的所有储存块被扫描完成后，所述NandFlash设备输出相应的提示信息。此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种NandFlash的扫描系统，所述NandFlash的扫描系统包括上位机和NandFlash设备，其中，所述上位机，用于当上位机扫描到当前连接的NandFlash设备中的NandFlash存在预置数量的可用储存块时，将预设的第一扫描程序写入到扫描到的可用储存块中；所述NandFlash设备，用于当所述NandFlash设备再次上电时，根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash中的所有储存块进行扫描。优选地，所述上位机还用于，当所述上位机再次与所述NandFlash设备连接时，读取所述NandFlash设备的扫描结果。优选地，所述上位机还用于，根据所述扫描结果对NandFlash进行重新编程算法管理程序。优选地，所述NandFlash设备还用于，当NandFlash中的所有储存块被扫描完成后，输出相应的提示信息。本专利技术实施例通过当上位机扫描到当前连接的NandFlash设备中的NandFlash存在预置数量的可用储存块时，所述上位机将预设的第一扫描程序写入到扫描到的可用储存块中；当所述NandFlash设备再次上电时，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash中的所有储存块进行扫描。由于在NandFlash设备与上位机连接时，仅对NandFlash中的若干个储存块进行扫描后，即可将上述第一扫描程序写入到NandFlash中，并在NandFlash设备再次经过简单的供电方式上电后，通过NandFlash中存储的第一扫描程序对NandFlash中的储存块进行扫描；因此减少了上位机对NandFlash的扫描时间，提高了NandFlash设备的生产效率。附图说明图1为本专利技术NandFlash的扫描方法第一实施例的流程示意图；图2为本专利技术NandFlash的扫描方法第二实施例的流程示意图；图3为本专利技术NandFlash的扫描方法第三实施例的流程示意图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种NandFlash的扫描方法，参照图1，在一实施例中，该NandFlash的扫描方法包括以下步骤：步骤S10，当上位机扫描到当前连接的NandFlash设备中的NandFlash存在预置数量的可用储存块时，所述上位机将预设的第一扫描程序写入到扫描到的可用储存块中；本专利技术实施例提供的NandFlash的扫描方法主要应用在NandFlash设备的生成中，用于实现对NandFlash设备中的NandFlash进行扫描。本实施例中，上述NandFlash设备为具有闪存功能的存储设备，例如该NandFlash设备可以为U盘等储存设备。具体地，在现有的NandFlash设备中通常包括NandFlash和主控芯片，由主控芯片建立NandFlash与外部的设备的连接桥梁，且主控芯片中具有启动程序，该启动程序可以自行启动NandFlash中的可运行程序，也可以接收外部输入的程序指令。具体地，上述上位机可以为计算机，在计算机中安装有第二扫描程序，用于对当前与计算机连接的NandFlash设备中NandFlash进行扫描，以获取NandFlash中可用储存块(即为可以储存数据的好块)。在第二扫描程序扫描的过程中，判断NandFlash中是否存在预置数量的可用储存快，当存在预置数量的可用储存块时，可以将上述预设的第一扫描程序写入到扫描获得的可用储存块中。可以理解的是，上述预置数量的大小可以根据实际需要进行设置，在本实施例中，上述预置数量的可用储存块用于储存上述第一扫描程序。因此在上述上位机对NandFlash的若干个储存块进行扫描后，即可将上述第一扫描程
序(可以命名为Scan)写入到NandFlash中。步骤S20，当所述NandFlash设备再次上电时，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash中的所有储存块进行扫描。本实施例中，若上述第一扫描程序被成功写入到上述NandFlash设备的NandFlash内后，当NandFlash设备再次上电时，NandFlash设备通过主控芯片启动，从而寻找NandFlash中可运行程序。此时将会调用NandFlash中的第一扫描程序进行运行，通过读取NandFlash、编程NandFlash和擦除NandFlash等操作获取对NandFlash检测的结果数据，然后完成对结果数据的分析后，统计甄选出可用的储存块(好块)和不可用的储存块(坏块)；从而得到各NandFlash中的储存块的扫描结果。本专利技术实施例通过当上位机扫描到当前连接的NandFlash设备中的NandFlash存在预置数量的可用储存块时，所述上位机将预设的第一扫描程序写入到扫描到的可用储存块中；当所述NandFlash设备再次上电时，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash中的所有储存块进行扫描。由于在NandFlash设备与上位机连接时，仅对NandFlash中的若干个储存块进行扫描后，即可将上述第一扫描程序写入到NandFlash中，并在NandFlash设备再次经过简单的供电方式上电后，通过NandFlash中存储的第一扫描程序对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NandFlash的扫描方法，其特征在于，所述NandFlash的扫描方法包括以下步骤：当上位机扫描到当前连接的NandFlash设备中的NandFlash存在预置数量的可用储存块时，所述上位机将预设的第一扫描程序写入到扫描到的可用储存块中；当所述NandFlash设备再次上电时，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash中的所有储存块进行扫描。

【技术特征摘要】
1.一种NandFlash的扫描方法，其特征在于，所述NandFlash的扫描方法包括以下步骤：当上位机扫描到当前连接的NandFlash设备中的NandFlash存在预置数量的可用储存块时，所述上位机将预设的第一扫描程序写入到扫描到的可用储存块中；当所述NandFlash设备再次上电时，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash中的所有储存块进行扫描。2.如权利要求1所述的NandFlash的扫描方法，其特征在于，所述NandFlash设备根据可用储存块中所述第一扫描程序对所述NandFlash设备中的所有储存块进行扫描之后还包括：当所述上位机再次与所述NandFlash设备连接时，所述上位机读取所述NandFlash设备的扫描结果。3.如权利要求2所述的NandFlash的扫描方法，其特征在于，所述上位机读取所述NandFlash设备的扫描结果之后还包括：所述上位机根据所述扫描结果对NandFlash进行重新编程算法管理程序。4.如权利要求1至3中任一项所述的NandFlash的扫描方法，其特征在于，所述NandFlash的扫描方法还包括：当NandFlash...

【专利技术属性】
技术研发人员：张高信，李发生，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：深圳市硅格半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44