大脑神经诱导仪制造技术

本发明专利技术涉及一种大脑神经诱导仪，具体是一种可产生模拟正常人脑电活动规律的正弦磁场及光脉冲，并将其耦合到患者的中枢以消除神经系统障碍的装置。它主要由模拟脑电波发生器、磁耦合器、光诱导器组成。模拟脑电波发生器产生模拟正常人在一些特定状态下的脑电活活动规律的模拟信号，经磁耦合器和光诱导器将模信号转换成正弦磁场和光脉冲，并以非接触方式耦合至患者的中枢，以诱导、调节其中枢的电位活动，从而改变患者的神经状态，达到治疗、缓解神经疾患的目的。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可产生模拟正常人的脑电活动规律的正弦磁场及与之同步的光脉冲，并通过非接触方式将其耦合入患者的中枢神经，以改善、调节神经状态，进而消除神经疲劳的装置。研究证实，伴随人的生活活动过程，其神经电活动呈现明显的规律性。正常人神经活动可由脑电图获得，根据频率及波幅不同，一般可分为α波频率为8-13Hz，波幅为10-100μV的正弦波；β波频率为14-25Hz，波幅为5-20μV之间。此外还有θ波频率为4-7Hz，波幅20-40μV的正弦波；δ波频率为0.5-3Hz，波幅为100μV的正弦波。正常的成年人的脑电频率的变化，随着人的神经系统的状态而不同，当脑电变化规律与其所进行的活动不相符时，就会表现为神经不适的症状。如人欲睡眠时脑电的变化为从α波的10Hz逐渐降至8Hz，然后出现θ波，当出现δ波，人就进入深睡期。如人在主观想入眠时，而α波不能在一定时间内过渡到θ波，则表现为入眠困难。再如嗜睡患者，其脑电频率变慢，θ波及α波混杂。本专利技术的目的在于提供一种可产生模拟正常人在所需要的环境下脑电活动规律的正弦磁场及与之同步的光脉冲，并将其通过磁耦合及视神经作用于患者的中枢神经的装置，借以调节、诱导患者的中枢神经系统，使之恢复正常。临床实验证明，正常人在受到闪光或正弦磁场的刺激后，脑电出现频率同化现象，即脑电的主频率与刺激频率相同。其中，闪光刺激的同化频率在3-25Hz时最易出现，而正弦磁场的刺激在0.5-40Hz均有较好的同化现象，但作用的时间较闪光刺激长一些。本专利技术的基本构思是通过电路装置产生模拟正常人在所需要的环境下脑电活动规律的模拟信号，同时利用耦合器(包括磁、光耦合)将模拟信号转换为正弦交变磁场及与其同步的诱导光，耦合入患者中枢神经，以达到调节神经紧张、增强记忆力、消除失眠等效果。本专利技术的技术方案是它由定时器、模拟脑电波选择器、模拟脑电波发生器、磁耦合器和光诱导器所组成。其中模拟脑电波发生器分别为NE556、LM324组成的多谐振荡器，电阻、电容组成的积分器。定时器由CD4060组成的基本时间设定，经打码开关、及由LM324、二极管组成的时间合成所构成。模拟脑电波选择器选用联动功能选择开关。磁耦合器由电磁线圈与电容器构成低频滤波，使所产生的磁场为正弦交变磁场；光诱导器为发光二极管，模拟的脑电信号以光脉冲刺激视神经。大脑神经诱导仪工作时，首先经联动开关选择时间和所需模拟的脑电波，经由LM324、及NE556组成的压控振荡器，输出脉宽恒定、疏密相间的脉冲，再经三极管驱动，分别由磁耦合器和光诱导器经磁耦合和视神经诱导脑电活动。所述磁耦合器和光诱导器均由挠性片基制成。附图说明图1本专利技术电路原理图。图2本专利技术电路框图。图3本专利技术中光诱导器的结构示意图。图4本专利技术中磁耦合器的结构示意图。图5是脑电波发生器为单程渐进时的模拟信号频率变化时序图。图6是脑电波发生器为单程持续时的模拟信号频率变化时序图。图7是脑电波发生器为循环交替时的模拟信号频率变化时序图。以下结合附图对本专利技术作详细说明图3中的①为光诱导器中的诱导光源，即发光二极管；图4中的②为磁耦合器中的电磁线圈；①和②均由挠性片基制成。本专利技术电路选用集成芯片振荡器—分频器CD4060、运放LM324、C-M0S双时基电路NE7556及其他外围电子元件组成。如图1所示S1、S2为联动的功能选择开关，分三档，其中S1决定本装置的作用时间，即治疗时间，S2决定选择不同的脑电波发生器所产生的波形及频率。CD4060为和C1、R1、R2组成时间发生器，IC3C和D1、D2为时间合成，由C1、R1、R2的数值，CD4060的输出Q14的半周期为十五分钟，因此D2与Q端的连接为基本时间设定。SW1、SW2为打码开关，经SW1或SW2中任一跳线短路时，则Q端输出经S1加至D1，此时IC3C的输出时间(即治疗时间)为基本时间加上对应SW的Q端时间，由此可设定不同的时间。模拟脑电波发生器的输出分别至S2的一、二三档，经S2作为压控振荡器中IC3D的负向输入。其中IC2A及IC3B构成多谐振荡器，由IC3B端输出，其波形如图7所示，调节R4、R5的阻值可改变三角波的上升、下降时间，改变C5可调节波形的整个周期；C3、R6、IC3A为单程渐进发生器，其波形如图5、图6所示，C3、R6为积分，IC3A为阻抗变换，调节C3、R6可改变渐进的曲线，IC3A的输出，对应图5的波形，经R7至S2的输出，对应图6的单程持续的波形频率变化时序图。图5-图7中的虚、实线表示不同频率变化。IC2B及IC3D组成VCO(压控振荡器)。IC2B的Q端输出频率由IC3D的负向输入端电压决定，Q端输出的脉冲宽度由R3.C2决定，输出为脉宽恒定、疏密相间的恒强度刺激，以防止过强光对病人视神经的损伤。压控振荡器的输出经三极管T1-T3驱动，输出，分别至由发光二极管LED组成的光诱导器、及由C4.L组成的磁耦合器。如图3-4所示，为方便使用，将电磁线圈和发光二极管置于挠性片基上，分别固定于镜架，或经条形宽带固定于脑后枕部。使用本诱导仪，对应循环反复发生器，可消除疲劳；对应单程渐进发生器，可促进睡眠单程持续则可作集中、诱导等需要。权利要求1.一种可产生模拟正常人脑电活动规律的正弦磁场及与之同步的光脉冲并通过非接触方式将其耦合至患者中枢的大脑神经诱导仪，其特征在于它是由定时器、模拟脑电波选择器、模拟脑电波发生器、磁耦合器和光诱导器所组成，其中模拟脑电波发生器分别为NE556、LM324组成的多谐振荡器，电阻、电容组成的积分器；定时器由CD4060组成的基本时间经打码开关、及由LM324、二极管组成的时间合成所构成；模拟脑电波选择器选用联动功能选择开关；磁耦合器由电磁线圈与电容器构成低频滤波，使所产生的磁场为正弦交变磁场；光诱导器为发光二极管，模拟的脑电信号以光脉冲刺激视神经；该诱导仪工作时，首先经联动开关选择时间和所需模拟的脑电波，经由LM324、及NE556组成的压控振荡器，输出脉宽恒定，疏密相间的脉冲，再经三极管驱动，分别由磁耦合器和光诱导器经磁耦合和视神经诱导脑电活动。2.如权利要求1所述的大脑神经诱导仪，其特征在于磁耦合器和光诱导器均由挠性片基制成。全文摘要本专利技术涉及一种大脑神经诱导仪,具体是一种可产生模拟正常人脑电活动规律的正弦磁场及光脉冲,并将其耦合到患者的中枢以消除神经系统障碍的装置。它主要由模拟脑电波发生器、磁耦合器、光诱导器组成。模拟脑电波发生器产生模拟正常人在一些特定状态下的脑电活动规律的模拟信号,经磁耦合器和光诱导器将模拟信号转换成正弦磁场和光脉冲,并以非接触方式耦合至患者的中枢,以诱导、调节其中枢的电位活动,从而改变患者的神经状态,达到治疗、缓解神经疾患的目。文档编号A61N2/04GK1181276SQ9612045公开日1998年5月13日 申请日期1996年11月5日 优先权日1996年11月5日专利技术者解小平 申请人:解小平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可产生模拟正常人脑电活动规律的正弦磁场及与之同步的光脉冲并通过非接触方式将其耦合至患者中枢的大脑神经诱导仪，其特征在于它是由定时器、模拟脑电波选择器、模拟脑电波发生器、磁耦合器和光诱导器所组成，其中模拟脑电波发生器分别为ＮＥ５５６、ＬＭ３２４组成的多谐振荡器，电阻、电容组成的积分器；定时器由ＣＤ４０６０组成的基本时间经打码开关、及由ＬＭ３２４、二极管组成的时间合成所构成；模拟脑电波选择器选用联动功能选择开关；磁耦合器由电磁线圈与电容器构成低频滤波，使所产生的磁场为正弦交变磁场；光诱导器为发光二极管，模拟的脑电信号以光脉冲刺激视神经；该诱导仪工作时，首先经联动开关选择时间和所需模拟的脑电波，经由ＬＭ３２４、及ＮＥ５５６组成的压控振荡器，输出脉宽恒定，疏密相间的脉冲，再经三极管驱动，分别由磁耦合器和光诱导器 经磁耦合和视神经诱导脑电活动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：解小平，
申请(专利权)人：解小平，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]