一种混合波长紫光LED及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种混合波长紫光LED及其制造方法，包括一基板，所述基板的中心设置有一凹槽，所述凹槽的底壁面上通过固晶胶固定有两颗并排布置的紫光芯片，两颗所述紫光芯片通过键合金丝并联形成回路，固定好两颗所述紫光芯片后，在所述凹槽中填充内胶，所述内胶充满整个凹槽，所述凹槽外封装有一固化后呈半球形的外胶。本发明专利技术将中功率的365nm紫光芯片和中功率的405nm紫光芯片共用置于一个封装体中，从而使得两个光源形成混波组合，通过在内胶中添加的荧光粉使得混波更加均匀，最后从外胶形成的凸顶透镜能使混波功率增强激发，至此，它含有的双波长紫外光能更加轻易使UV光疗胶发生高分子胶链反应。

【技术实现步骤摘要】
201610293878

【技术保护点】
一种混合波长紫光LED，包括一基板，其特征在于，所述基板的中心设置有一凹槽，所述凹槽的底壁面上通过固晶胶固定有两颗并排布置的紫光芯片，所述固晶胶的高度为每颗所述紫光芯片高度的1/3～1/2，两颗所述紫光芯片通过键合金丝并联形成回路，固定好两颗所述紫光芯片后，在所述凹槽中填充内胶，所述内胶充满整个凹槽，所述凹槽外封装有一固化后呈半球形的外胶。

【技术特征摘要】
1.一种混合波长紫光LED，包括一基板，其特征在于，所述基板的中心设置有一凹槽，所述凹槽的底壁面上通过固晶胶固定有两颗并排布置的紫光芯片，所述固晶胶的高度为每颗所述紫光芯片高度的1/3～1/2，两颗所述紫光芯片通过键合金丝并联形成回路，固定好两颗所述紫光芯片后，在所述凹槽中填充内胶，所述内胶充满整个凹槽，所述凹槽外封装有一固化后呈半球形的外胶。2.根据权利要求1所述混合波长紫光LED的制造方法，其特征在于，两颗所述紫光芯片中，一颗采用峰值波长为365nm的20mil垂直芯片，另一颗为峰值波长405nm的20mil垂直芯片。3.根据权利要求1或2所述混合波长紫光LED的制造方法，其特征在于，固晶胶为由银粉和有机胶搅拌制造的银胶，其中银粉10重量份，有机胶10重量份；内胶为硅胶和白光荧光粉混合物，其中硅胶50重量份，白光荧光粉1重量份，白光荧光粉的颗粒直径为7～15μm；外胶为硅胶。4.根据权利要求1至3任意一项所述混合波长紫光L...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱凡，汤文君，
申请(专利权)人：浙江单色电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33