一种核辐射探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种核辐射探测器。其中，核辐射探测器包括：高阻半导体层，具有上部表面和下部表面；位于高阻半导体层的上部表面的P型浅注入区；位于高阻半导体层的上部表面的P型深注入区；以及位于高阻半导体层的下部表面的N型注入区和N型电极层，其中，P型浅注入区在器件的中部，P型深注入区在P型浅注入区外部包围一圈；位于P型浅注入区上方的可见光吸收层；以可见光吸收层为中心，外围依次包围着场板层、钝化层、场限环层、钝化层；其中场限环层在P型深注入区上方；其中N型电极层在N型注入区下面。该核辐射探测器接收核辐射并产生感测电信号。该核辐射探测器可以实现高探测效率，进而实现高灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
201620252515

【技术保护点】
一种核辐射探测器，其特征在于包括：高阻半导体层，具有上部表面和下部表面；位于高阻半导体层的上部表面的P型浅注入区；位于高阻半导体层的上部表面的P 型深注入区；以及位于高阻半导体层的下部表面的N 型注入区和N型电极层，其中，P 型浅注入区在器件的中部，P 型深注入区在P 型浅注入区外部包围一圈；位于P 型浅注入区上方的可见光吸收层；以可见光吸收层为中心，外围依次包围着场板层、钝化层、场限环层、钝化层；其中场限环层在P 型深注入区上方；其中N型电极层在N 型注入区下面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆敏，郭杰，
申请(专利权)人：成都晶威科技有限公司，陆敏，
类型：新型
国别省市：四川;51