【技术实现步骤摘要】
201610261324
【技术保护点】
一种局部背场N型光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、对N型晶体硅基体的正表面进行掺杂处理，形成p+掺杂区域；(2)、在N型晶体硅基体的背表面设置掩膜夹具，所述掩膜夹具具有背面副栅图案形状的开口，在N型晶体硅基体的背表面注入磷并进行退火处理，形成局部n+掺杂区域；(3)、在N型晶体硅基体的正表面制备钝化减反膜并在背表面制备钝化膜，然后在N型晶体硅基体的背表面使用金属浆料印刷背面电极，背面电极的背面副栅与局部n+掺杂区域连接；在N型晶体硅基体的正表面使用金属丝制备与p+掺杂区域欧姆接触的正面电极，烧结后完成局部背场N型太阳能电池的制备。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林建伟，季根华，刘志锋，孙玉海，张育政，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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