硅基三维立体集成接收前端制造技术

本发明专利技术是三维立体接收前端，包括上层集成辐射单元的MEMS天线，中层具有微屏蔽结构的MEMS滤波器，下层实现接收通道功能及性能的硅基转接板；上、中、下三层通过TSV技术实现信号互连。本发明专利技术优点：1）采用MEMS加工工艺，可实现天线和滤波器小型化；2）采用MEMS加工工艺，可与传统集成电路工艺集成兼容；3）采用高阻硅基基板结构，内部可集成无源元件，实现多种功能，集成度高；4）所用滤波器采用微电子工艺加工克服传统滤波器由于加工精度导致的频飘问题；5）所用天线、滤波器、接收通道通过TSV技术实现垂直互连，减小体积；6）实现40GHz以内的硅基立体接收前端，微波性能优良，实现接收前端的小型化和低成本化。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是三维立体接收前端，包括上层集成辐射单元的MEMS天线，中层具有微屏蔽结构的MEMS滤波器，下层实现接收通道功能及性能的硅基转接板；上、中、下三层通过TSV技术实现信号互连。本专利技术优点：1）采用MEMS加工工艺，可实现天线和滤波器小型化；2）采用MEMS加工工艺，可与传统集成电路工艺集成兼容；3）采用高阻硅基基板结构，内部可集成无源元件，实现多种功能，集成度高；4）所用滤波器采用微电子工艺加工克服传统滤波器由于加工精度导致的频飘问题；5）所用天线、滤波器、接收通道通过TSV技术实现垂直互连，减小体积；6）实现40GHz以内的硅基立体接收前端，微波性能优良，实现接收前端的小型化和低成本化。【专利说明】硅基三维立体集成接收前端
本专利技术涉及的是一种涉及微波、毫米波频段的硅基三维立体接收前端，属于微波、微电子、MEMS交叉

技术介绍
随着现代通信及雷达系统技术发展，系统中需要大量高可靠性、小型化、低成本的集成模块。三维立体集成技术为电子产品性能的提高、功能的丰富与完善、成本的降低创造了有利条件，所谓三维立体集成是指通过采用三维(X，Y, z方向)结本文档来自技高网...

【技术保护点】
三维立体接收前端，其特征在于：包括集成辐射单元的MEMS天线（1），具有微屏蔽结构的MEMS滤波器（2），实现接收通道功能及性能的硅基转接板（3）；所述MEMS天线（1）包含辐射单元贴片，贴片表面金属采用铜（Cu）材料，通过TSV过孔对辐射单元进行激励，贴片单元底部硅基材料通过MEMS工艺挖腔处理；所述具有微屏蔽结构的MEMS滤波器（2）包括上下两层衬底，通过键合工艺形成一体，下层衬底包含耦合线谐振器和传输结构，上层衬底对滤波器形成密闭；所述硅基转接板（3）至少包括三层金属布线，金属采用铜（Cu）材料，硅基表面使用多层低介电常数的介质材料进行金属层之间的隔离和表面钝化保护，基板表面利用多层技术...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周骏，郁元卫，沈国策，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32