【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种扫描靶，所述扫描靶是用于加速器中子源的扫描靶。在加速器完成氘或氘氚混合离子束的加速之后，利用扫描磁场将离子束快速均匀地展开成直线型长条束斑，展开长度超过束斑直径几十倍，然后轰击到一个移动靶上，在平行于中子靶的方向产生具有点源特性的等效出射中子束。由于扫描后束斑的位移速度快，在每个点上的停留时间短，引起的瞬态温升低。同时，靶面上轰击区域均匀展宽了几十倍，平均束流密度降低几十倍，平均温升大幅降低，靶寿命延长。适合在需要方向性及点源特性的中子源上应用。【专利说明】一种扫描革巴
本专利技术属于核技术及应用领域，具体涉及一种扫描靶。
技术介绍
加速器中子源是利用离子源产生的氘离子或氘氚混合离子，经过加速电场的加速，获得一定的能量，在靶上发生D/D或D/T聚变反应，并在4JT方向上放出中子。加速器中子源产额高，关断电源后没有中子产生，使用方便，可控性好，安全性较高。加速器中子源的高能离子束轰击靶时产生很高的能量沉积，即使在通水冷却的条件下，靶上能够承受的功率密度也必须控制在一个合理的范围，保证靶的正常使用。通常情况下，为了加快成像速度，提高...
【技术保护点】
一种扫描靶，其特征在于，所述的扫描靶包括扫描磁铁（2）、移动靶（3），入射离子束（1）穿过扫描磁铁（2），在Y方向来回偏转，形成扇形展开的扫描离子束，扫描离子束轰击到移动靶（3），产生与等效焦斑（4）相同特性的出射方向中子束（5）；所述的移动靶（3）的轰击面为斜面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李彦，何小海，唐君，娄本超，薛小明，牟云峰，李小飞，胡永宏，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51
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