一种盐碱地花生的沟作覆膜种植方式制造技术

技术编号:13421162 阅读:102 留言:0更新日期:2016-07-28 12:26
本发明专利技术涉及一种盐碱地花生的沟作覆膜种植方式,尤其适用于0‑20cm表层土壤含盐量在0.387%—0.503%中重度盐碱地花生种植,将淡水压盐、选择耐盐碱花生品种、开沟播种覆膜、合理施肥等生物避盐和农艺措施避盐技术相结合,使花生生长发育至结荚期后,表层0‑20cm土壤含盐量降低9.18%~60.85%,20‑40cm土壤含盐量降低7.64%~50.95%,相比于平播不覆膜的中重度盐碱地花生常规种植方式,其产量提高38.27%~60.32%,单株荚果数增加4.8~6.4个,单株饱果数3~5个,饱果率和出仁率分别提高3.8%~8.5%和2.8%~5.3%,实现了中重度盐碱地花生产量的大幅度提高;本发明专利技术的方法易于控制,简单易行,对于优化盐碱土地区农业种植结构,提高农业生产的经济效益和社会效益具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种盐碱地花生的沟作覆膜种植方式,其特征在于,包括如下步骤:(a)整地压盐:平整土地、修理垅沟,淡水灌溉,灌水量150‑170m3/亩,使地表保持1‑3cm水层2‑3天;(b)施肥:灌水压盐后,待水分蒸发至土壤水分含量为70%‑80%的土壤墒情时进行土壤耕翻、施肥;(c)整地开沟播种:开沟培土、修理畦梗和垄脊,形成沟播垄沟,沟深20cm,沟宽50~55cm,沟内播种覆膜,每沟内播种2行成1垄,行距30cm,垄距75~80cm,在0‑10cm土层地温达到16~17℃及以上时进行播种,单粒精播或双粒穴播,单粒精播种植密度保持在17500~21000穴/亩,双粒穴播播种密度为13500‑16000穴/亩;(d)覆膜:沟内播种行上覆膜,及时压土,保持覆膜严实和较高的覆膜质量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张智猛慈敦伟戴良香丁红杨吉顺秦斐斐宋文武
申请(专利权)人:山东省花生研究所
类型:发明
国别省市:山东;37

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