AMOLED的像素测试电路的量测方法技术

本发明专利技术提供一种利用具有4个独立探针的TEG量测机台对AMOLED的nTmC结构的像素测试电路进行量测的量测方法，通过分成补偿步骤，缓冲步骤，发光步骤等多个阶段地进行量测，能够无需另外配置探针，也无需选购配置有足够多的独立探针的量测机台，即能够对像素测试电路进行量测，从而能够实现一般的TEG量测机台的通用性，节约用于测试的配套设备成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于对AMOLED产品中的像素测试电路(testkey)进行量测的量测方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)由于具有低成本、低功耗、高亮度、自发光、全彩色、宽视角和易于制作在柔性衬底上等的优点，引起人们广泛的兴趣。在有机发光二极管显示器中，AMOLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode：有源矩阵有机发光二极体面板)产品采用薄膜场效应晶体管(TFT，以下简称为晶体管)形成像素电路，来实现有机发光二极管的画面显示。在现行的AMOLED产品设计中，AA区(ActiveArea：有效显示区域)的像素电路采用nTmC(n≥4，m≥1，m、n均为正整数)的结构，例如，一般采用4T1C/4T2C/5T1C/6T1C/6T2C/7T1C等的电路设计，其中，T表示晶体管，C表示电容，因此，在进行高解析度产品设计时，对制造工艺的要求比较严格。为了更加及时、准确地监控产品，通常在AMOLED产品中设置与各元件相对应的具有测试点的测试电路(testkey)，通过对各个测试电路(testkey)进行量测，来获取各元件的参数。图1示出了一个较为复杂的6T1C结构的像素测试电路为例子，该像素测试电路包括：有机发光二极管OLED、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、电容C，这些晶体管均为PMOS晶体管。其中，第一晶体管T1的源极连接数据信号输入端DM，其栅极连接当前扫描信号输入端SN以及第五晶体管T5的栅极，其漏极连接第三晶体管T3的漏极以及第二晶体管T2的源极；第二晶体管T2的漏极连接第四晶体管T4的源极以及第五晶体管T5的漏极，其栅极连接第五晶体管T5的源极、第六晶体管T6的源极以及电容的一端；电容的另一端连接电源端VDD以及第三晶体管T3的源极；第三晶体管T3的栅极连接发光控制信号输入端EN以及第四晶体管T4的栅极；第四晶体管T4的漏极连极连接有机发光二极管OLED的阳极，该有机发光二极管OLED的阴极连接信号输出端Output；第六晶体管T6的栅极连接前排扫描信号输入端SN-1，其漏极连接预设电压端VIN。图2示出了模拟AA区的像素电路的发光控制信号和扫描信号的时序波形图。随着发光控制信号和扫描信号的迁移，通过从数据信号输入端DM写入数据，改变驱动有机发光二极管OLED发光的亮度控制晶体管(图中为第二晶体管T2)的栅源电压，来使该亮度控制晶体管导通，从而进行画面显示。在利用TEG(testelementgoup：测试元件组)量测机台对上述6T1C结构的像素测试电路进行量测时，为了同时检测(监视)数据信号、当前扫描信号、前排扫描信号、电源电压、预设电压、发光控制信号以及输出信号，需要7个独立的探针来完成量测工作。而且，随着电路复杂程度的升高，所需的独立探针数有随之增加的可能性。然而，通常，大部分液晶面板厂或者研究机构所使用的TEG量测机台为具有4个独立探针的量测机台，因此，若要使用这种一般的TED量测机台来量测nTmC结构(例如，6T1C结构)的像素测试电路，则需要另外配备必要数目(在为6T1C的情况下，需要另外配置3个)的探针，或者，需要选购配置有足够多的独立探针的量测机台。由此一来，需要针对不同的像素测试电路准备相应数量的探针或相应的TEG量测机台，从而增加配套设备的成本。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，本专利技术的目的在于，提供一种不用额外增加探针即能够对nTmC结构的像素测试电路进行量测的量测方法。根据本专利技术的一个技术方案，提供一种AMOLED的像素测试电路的量测方法，其利用具有多个探针的量测机台进行量测，其包括：补偿步骤，将所述多个探针分别与位于亮度控制晶体管的栅极与电容之间的测试端、电源端、当前扫描信号输入端以及数据信号输入端连接，将与从所述数据信号输入端输入的灰阶数据对应的开启电压存储在电容中；缓冲步骤，将所述量测机台的探针分别与所述测试端、所述电源端、发光控制信号输入端以及信号输出端连接，从所述测试端输入与在补偿步骤中获得的开启电压相同的电压，以保持像素测试电路的稳定状态；以及发光步骤，保持所述缓冲步骤中的连接状态，通过使所述发光控制信号有效，来利用存储在所述电容内的所述开启电压使亮度控制晶体管导通，由此，驱动有机发光二极管发光，从而测量像素测试电路的元件册数。优选地，在所述补偿步骤之前，还包括重置步骤，将所述量测机台的探针分别与所述测试端、所述电源端、所述当前扫描信号输入端以及所述数据信号输入端连接，在使所述当前扫描信号有效的情况下，利用重置电压，经由所述测试端对所述电容进行预充电以将所述电容初始化。优选地，在所述重置步骤之前，还包括重置前置步骤，将所述量测机台的探针分别与所述测试端、所述电源端、所述前排扫描信号输入端以及所述预设电压端连接，通过使前排扫描信号有效，来对所述电容进行预充电以将所述电容初始化，并且，经由测试端获得对所述电容进行预充电的准确的重置电压。优选地，所述量测机台具有四个探针。优选地，所述像素测试电路具有六个薄膜场效应晶体管和一个电容。优选地，六个所述薄膜场效应晶体管为PMOS。根据本专利技术，无需另外配置必要数目的探针，也无需选购配置有足够多的独立探针的量测机台，仅利用通用的具有4个独立探针的TEG量测机台，就能够对该像素测试电路进行量测，能够实现一般的TEG量测机台的通用性，节约用于测试的配套设备成本。附图说明图1是表示一种现有技术中的有机发光二极管显示器的像素测试电路的电路图。图2是表示模拟AA区的像素电路的发光控制信号和扫描信号的时序波形图。图3是表示根据本实施方式的量测方法而在图1所示的像素测试电路中增加一个测试点的电路图。图4是表示本实施方式的量测方法的流程图。图5是表示在利用本实施方式的量测方法进行量测时，发光控制信号和扫描信号以及各个晶体管的工作状态的变化的图。图6是表示另一种现有技术中的有机发光二极管显示器的像素测试电路的电路图。其中，附图标记说明如下：VDD电源端，Output信号输出端，VIN预设电压端，OLED有机发光二极管，DM数据信号输入端，SN-1前排扫描信号输入端，SN当前扫描信号输入端，EN发光控制信号输入端，T测试点，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED的像素测试电路的量测方法，其利用具有多个探针的量测机台进行量测，其特征在于，包括：补偿步骤，将所述多个探针分别与位于亮度控制晶体管的栅极与电容之间的测试端、电源端、当前扫描信号输入端以及数据信号输入端连接，将与从所述数据信号输入端输入的灰阶数据对应的开启电压存储在电容中；缓冲步骤，将所述量测机台的探针分别与所述测试端、所述电源端、发光控制信号输入端以及信号输出端连接，从所述测试端输入与在补偿步骤中获得的开启电压相同的电压，以保持像素测试电路的稳定状态；以及发光步骤，保持所述缓冲步骤中的连接状态，通过使所述发光控制信号有效，来利用存储在所述电容内的所述开启电压使亮度控制晶体管开启，由此，驱动有机发光二极管发光，从而测量像素测试电路的元件参数。

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED的像素测试电路的量测方法，其利用具有多个探针的
量测机台进行量测，其特征在于，包括：
补偿步骤，将所述多个探针分别与位于亮度控制晶体管的栅极与电容之
间的测试端、电源端、当前扫描信号输入端以及数据信号输入端连接，将与
从所述数据信号输入端输入的灰阶数据对应的开启电压存储在电容中；
缓冲步骤，将所述量测机台的探针分别与所述测试端、所述电源端、发
光控制信号输入端以及信号输出端连接，从所述测试端输入与在补偿步骤中
获得的开启电压相同的电压，以保持像素测试电路的稳定状态；以及
发光步骤，保持所述缓冲步骤中的连接状态，通过使所述发光控制信号
有效，来利用存储在所述电容内的所述开启电压使亮度控制晶体管开启，由
此，驱动有机发光二极管发光，从而测量像素测试电路的元件参数。
2.如权利要求1所述的量测方法，其特征在于，
在所述补偿步骤之前，还包括重置步骤，将所述量测机台的探...

【专利技术属性】
技术研发人员：董杭，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31