存储装置、存储系统和操作该装置的方法制造方法及图纸

提供了存储装置、存储系统和操作该装置的方法。一种操作包括多个随机存取存储器(RAM)芯片的存储装置的方法包括：输入读取命令；从所述多个随机存取存储器芯片中的每个随机存取存储器芯片读取包括与读取命令对应的第一块数据的多条块数据；通过组合从每个RAM芯片读取的多条块数据来产生二维(2D)数据；通过利用2D数据处理读取命令。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2015年1月5日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0000858号韩国专利申请的优先权，通过引用将该韩国专利申请的公开内容全部包含于此。
专利技术构思涉及一种存储装置、一种存储系统和一种操作存储装置的方法，更具体地说，涉及改善可靠性的一种存储装置、一种存储系统和一种操作存储装置的方法。
技术介绍
由于存储装置的集成度的增加和存储装置的尺寸的减小，所以更可能发生错误。这些错误的示例包括读取错误的数据(即，从存储器中的一个位置读取除了写入到该位置的实际数据之外的数据)或写入错误的数据(即，向存储器中的一个位置写入除了意图将要被写入到该位置的实际数据之外的数据)。纠错技术可以用来纠正这些错误。然而，纠错技术会使用存储器的过多的可用空间。因此，需要一种提高纠正错误的能力的方法。
技术实现思路
专利技术构思的至少一个实施例提供了改善可靠性的一种存储装置、一种存储系统和一种操作存储装置的方法。根据专利技术构思的示例性实施例，提供了一种操作包括多个随机存取存储器(RAM)芯片的存储装置的方法。所述方法包括：输入读取命令；从多个RAM芯片中的每个RAM芯片读取包括与读取命令对应的第一块数据的多条块数据；通过组合从RAM芯片中的每个RAM芯片读取的多条块数据来产生二维(2D)数据；通过利用2D数据处理读取命令。根据专利技术构思的示例性实施例，提供了一种操作包括存储控制器和存储装置的存储系统的方法。所述方法包括：通过存储控制器将读取命令发送到存储装置；响应于读取命令，产生包括从第一存储区域和第二存储区域读取的数据的第一组合数据；确定第一组合数据中是否包括M个错误，其中，N是正整数，M是大于N的正整数；当第一组合数据中包括M个错误时，读取包括从第一存储区域和第二存储区域读取的数据的多条数据；重建第二组合数据；通过利用第二组合数据处理第一组合数据中的错误。根据专利技术构思的示例性实施例，提供了一种包括多个存储区域和错误控制电路的存储装置，其中，多个存储区域被配置成响应于读取命令输出第一块数据，错误控制电路被配置成基于通过对1D数据执行单校双检(SEC-DED)操作而获得的结果，确定是否将产生包括第一组合块数据的2D数据，其中，1D数据通过组合分别从多个存储区域读取的多条第一块数据来产生。根据专利技术构思的示例性实施例，提供了一种包括存储控制器和存储装置的存储系统。所述存储装置包括多个存储器芯片和错误控制电路，其中，错误控制电路被配置成当第一组合数据中包括M个错误时，组合存储在多个存储器芯片中的至少一个中的多条用户数据，并且重建2D第二组合数据以执行ECC操作，其中，通过组合分别从多个存储器芯片接收到的多条用户数据来产生第一组合数据，其中，N是正整数，M是大于N的正整数。根据专利技术构思的示例性实施例，提供了一种操作包括多个随机存取存储器(RAM)芯片的存储装置的方法。所述方法包括：输入参考RAM芯片之中的第一RAM芯片的地址的读取命令；产生具有包括每个存储器芯片的地址处的字线的第一数据部分的单行的一维(1D)数据；对1D数据执行错误检测和纠正步骤以产生结果；当结果指示存在双错误时，利用二维(2D)数据处理读取命令，其中，2D数据的每列包括第一RAM芯片的字线的不同部分。附图说明从下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解专利技术构思的示例性实施例，在附图中：图1是根据专利技术构思的示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图；图2是根据专利技术构思的示例性实施例的存储装置的图；图3是图2中示出的随机存取存储器(RAM)芯片的读取操作的图；图4是根据专利技术构思的示例性实施例的二维(2D)读取数据的图；图5是根据专利技术构思的示例性实施例的存储系统的图；图6是根据专利技术构思的示例性实施例的存储装置的图；图7是根据专利技术构思的示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图；图8是根据专利技术构思的示例性实施例的一维(1D)读取数据的图；图9是根据专利技术构思的示例性实施例的操作存储装置的方法的流程图；图10是根据专利技术构思的示例性实施例的更新与2D写入数据相关的奇偶校验数据的方法的流程图；图11A、图11B、图11C和图11D是根据专利技术构思的示例性实施例的第一RAM芯片根据图10的方法的写入操作的图；图12是根据专利技术构思的示例性实施例的更新与2D写入数据相关的奇偶校验数据的方法的流程图；图13是根据专利技术构思的示例性实施例的根据图12的方法的第一RAM芯片的写入操作的图；图14是根据专利技术构思的示例性实施例的存储装置的图；图15是根据专利技术构思的示例性实施例的操作存储系统的方法的流程图；图16是根据专利技术构思的示例性实施例的存储系统的图；图17和图18是根据专利技术构思的示例性实施例的图16的存储装置的图；图19是根据专利技术构思的示例性实施例的存储系统的图；图20和图21是根据专利技术构思的示例性实施例的操作图19的存储系统的方法的流程图；图22和图23是根据专利技术构思的示例性实施例的处理第一组合数据中的错误的方法的流程图；图24是根据专利技术构思的示例性实施例的存储系统的图；图25是根据专利技术构思的示例性实施例的存储装置的框图。具体实施方式现在将在下文中参照附图更充分地描述本专利技术构思，附图中示出了示例性实施例。同样的附图标记始终指示同样的元件。在本专利技术构思的实施例中，提供了一种三维(3D)存储阵列。3D存储阵列整体地形成在使有源区设置在硅基底上的存储单元的阵列的一个或更多个物理级和与这些存储单元的操作相关的电路中，无论这样的相关电路在这样的基底之上或在这样的基底内。术语“整体的”意味着阵列的每一级的层直接沉积在阵列的每个基础级的层上。在本专利技术构思的实施例中，3D存储阵列包括竖直取向的竖直NAND串，使得至少一个存储单元位于另一个存储单元之上。所述至少一个存储单元可以包括电荷俘获层。下面的专利文件(通过引用包含于此)描述可适合三维存储阵列的构造，其中，三维存储阵列被配置为多个级，并且字线和/或位线在各个级之间被共享：U.S.专利号7,679,133、8,553,466、8,654,587、8,559,235以及US专利公布号2011/0233648。图1是根据专利技术构思的示例性实施例的操作存储装置的方法100的流程图。参照图1，根据示例性实施例的操作存储装置的方法100包括：输入读取命令(S120)；响应于读取命令从多个随机存取存储器(RAM)芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作包括多个随机存取存储器芯片的存储装置的方法，所述方法包括：输入读取命令；从所述多个随机存取存储器芯片中的每个随机存取存储器芯片读取包括与读取命令对应的第一块数据的多条块数据；通过组合从随机存取存储器芯片中的每个随机存取存储器芯片读取的所述多条块数据来产生二维数据；通过利用二维数据来处理读取命令。

【技术特征摘要】
2015.01.05 KR 10-2015-00008581.一种操作包括多个随机存取存储器芯片的存储装置的方法，所述方法
包括：
输入读取命令；
从所述多个随机存取存储器芯片中的每个随机存取存储器芯片读取包括
与读取命令对应的第一块数据的多条块数据；
通过组合从随机存取存储器芯片中的每个随机存取存储器芯片读取的所
述多条块数据来产生二维数据；
通过利用二维数据来处理读取命令。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，多条块数据的读取包括输出具有
与存储单元的存储有多条块数据的行地址相同的行地址的数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，二维数据的产生包括产生二维数
据使得多条块数据分别形成不同的行。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括对二维数据执行
二维错误检测和纠正解码操作以产生错误检测和纠正解码的二维数据，
其中，对读取命令的处理包括输出从错误检测和纠正解码的二维数据提
取的第一块数据作为对读取命令的响应。
5.根据权利要求1所述的方法，在执行二维数据的产生之前，所述方法
还包括：
通过组合所述多个随机存取存储器芯片中的每个随机存取存储器芯片的
第一块数据来产生一维数据；
确认通过对一维数据执行单校双检操作而获得的第一结果；
确定是否将执行二维数据的产生。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，对是否将执行二维数据的产生的
确定包括：
当第一结果指示一维数据包括双错误时，将执行控制二维数据的产生；
当第一结果指示一维数据没有错误，或者纠正了一维数据中的错误时，
将不执行控制二维数据的产生。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，当第一结果指示一维数据没有错
误，或者纠正了一维数据中的错误时，对读取命令的处理包括产生对读取命

\t令的响应为一维数据或错误被纠正的一维数据。
8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
输入写入命令以写入第一写入块数据；
响应于写入命令将写入到所述多个随机存取存储器芯片中的每个随机存
取存储器芯片的第二写入块数据更新成第一写入块数据；
将与包括第二写入块数据的二维写入数据有关的奇偶校验数据更新成与
包括第一写入块数据的二维写入数据有关的奇偶校验数据。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，与包括第一写入块数据的二维写
入数据有关的奇偶校验数据的产生包括：
读取存储在与存储单元的将存储有第一写入块数据的行地址相同的行地
址处的多条写入块数据；
通过组合包括读取的第一写入块数据的多条写入块数据来产生包括第一
写入块数据的二维写入数据；
对包括第一写入块数据的二维写入数据执行错误检测和纠正编码操作。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，与包括第二写入块数据的二维
写入数据有关的奇偶校验数据向与包括第一写入块数据的二维写入数据有关
的奇偶校验数据的更新包括；
比较第一写入块数据与第二写入块数据；
通过将第一写入块数据与第二写入块数据之间的差施加到与包括第二写
入块数据的二维写入数据有关的奇偶校验数据来产生与包括第一写入块数据
的二维写入数据有关的奇偶校验数据。
11.一种操作包括存储控制器和存储装置的存储系统的方法，所述方法
包括：
通过存储控制器将读取命令发送到存储装置；
响应于读取命令，产生包括从第一存储区域和第二存储区域读取的数据
的第一组合数据；
确定第一组合数据中是否包括M个错误，其中，N是正整数，M是大于
N的正整数；
当第一组合数据中包括M个错误时，读取包括从第一存储区域和第二存
储区域读取的数据的多条数据；
重建第二组合数据；
通过利用第二组合数据来处理第一组合数据中的错误。
12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：
通过存储控制器检测第一组合数据中的错误；
当第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东昱，李珍浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR