短路缓解设备制造技术

根据一实施例的设备包括换能器结构，具有：下部屏蔽体，在其上表面中具有凹槽；形成于该下部屏蔽体上方的上部屏蔽体；在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间的电流垂直于平面传感器，该凹槽位于该传感器的相反侧；以及在该下部屏蔽体的该上表面中的该凹槽中的第一绝缘层。根据另一实施例的设备包括换能器结构，具有：下部屏蔽体；形成于该下部屏蔽体上方的上部屏蔽体，该上部屏蔽体在其下表面中具有凹槽；在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间的电流垂直于平面传感器，该凹槽位于该传感器的相反侧；以及在该上部屏蔽体的该下表面中的该凹槽中的第一绝缘层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据存储系统，并且更具体地，本专利技术涉及隧穿磁阻(TMR)头中缓解短路的绝缘层。
技术介绍
在磁存储系统中，磁换能器(magnetictransducer)从磁记录介质读取数据以及对其写入数据。通过使磁记录换能器移动至介质上要存储数据的位置处，将该数据写在该磁记录介质上。然后，该磁记录换能器产生磁场，该磁场将该数据编码至该磁性介质中。类似地，通过定位磁读取换能器然后感测磁性介质的磁场而从该介质读取数据。读取和写入操作可独立地与该介质的运动同步，从而确保可从该介质上期望的位置处读取和写入该数据。数据存储领域中重要并且持续的目标在于增加介质上存储的数据的密度。对于磁带存储系统，该目标已使得存储磁带上的磁道和线位密度提高以及磁带介质的厚度减小。然而，具有小覆盖面积(footprint)以及更高性能的磁带驱动系统的发展在用于此类系统的磁带头组件的设计方面产生了各种各样的问题。在磁带驱动系统中，该驱动使磁带在磁带头表面上方高速移动。通常，磁带头被设计以最小化磁带头和磁带之间的间隔。磁带头和磁带之间的该间隔是关键性的，并且因此这些系统的目标在于使换能器的记录间隙(其是磁记录磁通源)与磁带近距离接触从而产生写锐转变(writingsharptransition)，以及使读取元件与磁带近距离接触从而提供从该磁带的磁场到该读取元件的有效耦合。
技术实现思路
根据一实施例的设备包括换能器结构，该换能器结构具有：下部屏蔽体，其上表面中具有凹槽；上部屏蔽体，其形成于该下部屏蔽体上方；电流垂直于平面(CPP)传感器，其在该上部屏蔽体和下部屏蔽体之间，该凹槽位于该传感器的相反侧；以及第一绝缘层，其在该下部屏蔽体的该上表面中的该凹槽中。根据另一实施例的设备包括换能器结构，该换能器结构具有：下部屏蔽体；上部屏蔽体，其形成于该下部屏蔽体上方，该上部屏蔽体在其下表面中具有凹槽；电流垂直于平面(CPP)传感器，其在该上部屏蔽体和下部屏蔽体之间，该凹槽位于该传感器的相反侧；以及第一绝缘层，其在该上部屏蔽体的该下表面中的该凹槽中。根据再一实施例的设备包括换能器结构，该换能器结构具有：下部屏蔽体；上部屏蔽体，其形成于该下部屏蔽体上方；以及电流垂直于平面(CPP)传感器，其在该上部屏蔽体和下部屏蔽体之间。在磁道方向上在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间该传感器的侧面位置处的间隔大于在磁道方向上在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间跨越该传感器的间隔。这些实施例中的任一实施例可在诸如磁带驱动系统的磁数据存储系统中实施，该磁带驱动系统可包括磁头、用于使磁性介质(例如，记录磁带)在该磁头之上通过的驱动机构以及电耦合至该磁头的控制器。本专利技术的其他方面和实施例将通过以下详细说明而变得明显易懂，该详细说明与附图相结合时、以举例方式例示出了本专利技术的原理。附图说明图1A是根据一实施例的简化的磁带驱动系统的示意图；图1B是根据一实施例的磁带盒的示意图；图2示出了根据一实施例的平面研磨(flat-lapped)的双向双模块磁带头的侧视图；图2A是从图2的线2A取的磁带支承面的视图；图2B是图2中圆圈2B的细节视图；图2C是一对模块的部分磁带支承面的细节视图；图3是具有写-读-写构型的磁头的部分磁带支承面视图；图4是具有读-写-读构型的磁头的部分磁带支承面视图；图5是根据一实施例的具有三个模块的磁带头的侧视图，其中该模块全部大体沿大致平行的平面设置；图6是相切(成角)构型的三个模块的磁带头的侧视图；图7是外包络(overwrap)构型的三个模块的磁带头的侧视图；图8是根据一实施例的换能器结构的侧视图；图9是根据一实施例的换能器结构的侧视图。具体实施方式以下说明书仅为例示本专利技术的一般原理的目的而做出，并非旨在限制在此声明的本专利技术的概念。而且，在此描述的具体的特征可与所描述的其他特征相结合而用于各种各样可能的组合和排列中的每一种中。除非在此另外明确限定，所有术语都应具有其可能最广泛的解释，包括说明书隐含的意思以及本领域技术人员所理解的意思和/或在词典、论文等中限定的意思。还应注意到的是，除非另外指明，在本说明书和随附权利要求书中使用的单数形式的“一”和“该”包括复数参照对象。以下说明书公开了磁存储系统的若干优选实施例及其操作和/或组件部分。在一通用实施例中，设备包括换能器结构，该换能器结构具有：下部屏蔽体，其上表面中具有凹槽；形成于该下部屏蔽体上方的上部屏蔽体；在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间的电流垂直于平面(current-perpendicular-to-plane，CPP)传感器，该凹槽位于该传感器的相反侧；以及在该下部屏蔽体的该上表面中的该凹槽中的第一绝缘层。在另一通用实施例中，根据另一实施例的设备包括换能器结构，该换能器结构具有：下部屏蔽体；形成于该下部屏蔽体上方的上部屏蔽体，该上部屏蔽体在其下表面具有凹槽；在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间的电流垂直于平面(CPP)传感器，该凹槽位于该传感器的相反侧；以及在该上部屏蔽体的该下表面中的该凹槽中的第一绝缘层。在又一通用实施例中，根据又一实施例的设备包括换能器结构，该换能器结构具有：下部屏蔽体；形成于该下部屏蔽体上方的上部屏蔽体；以及在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间的电流垂直于平面(CPP)传感器。在磁道方向上在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间该传感器的侧面位置处的间隔大于在磁道方向上在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间跨越该传感器的间隔。图1A例示了可用于本专利技术情况下的基于磁带的数据存储系统的简化的磁带驱动100。虽然在图1A中示出了磁带驱动的一个具体实施方式，但应注意的是，在此描述的该实施例可在任意类型的磁带驱动系统的情况下实施。如所示，磁带供给盒120和接带卷轴121设置为支撑磁带122。一个或多个该卷轴可构成可移动的盒的一部分并且不属于系统100的必要部件。诸如图1A示出的磁带驱动还可包括驱动马达，以驱动该磁带供给盒120和该接带卷轴121，从而使磁带122在任意类型的磁带头126上方移动。此磁带头可包括读取器、写入器或其二者的阵列。导向件125引导磁带122跨过该磁带头126。此磁带头126转而又经由缆线130耦接至控制器128。该控制器128可为或可包括处理器和/或任何逻辑器，以用于控制该驱动100的任意子系统。例如，该控制器128通常本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：换能器结构，具有：下部屏蔽体，在其上表面中具有凹槽；上部屏蔽体，形成于该下部屏蔽体的上方；电流垂直于平面传感器，在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间，该凹槽位于该传感器的相反侧；以及第一绝缘层，在该下部屏蔽体的该上表面中的该凹槽中。

【技术特征摘要】
2015.01.07 US 14/591,8611.一种设备，包括：
换能器结构，具有：
下部屏蔽体，在其上表面中具有凹槽；
上部屏蔽体，形成于该下部屏蔽体的上方；
电流垂直于平面传感器，在该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间，该
凹槽位于该传感器的相反侧；以及
第一绝缘层，在该下部屏蔽体的该上表面中的该凹槽中。
2.如权利要求1所述的设备，还包括在该上部屏蔽体的下表面中的凹槽
中的第二绝缘层。
3.如权利要求2所述的设备，还包括在该第一绝缘层和该第二绝缘层之
间的偏置层，该偏置层在磁道宽度方向上设置于该传感器的相反侧。
4.如权利要求1所述的设备，其中，在磁道方向上，该第一绝缘层的厚
度大于该上部屏蔽体和该下部屏蔽体之间在该传感器处的间隔。
5.如权利要求1所述的设备，其中，该第一绝缘层的厚度大于100纳米。
6.如权利要求1所述的设备，还包括在该第一绝缘层和该上部屏蔽体之
间的偏置层，该偏置层在磁道宽度方向上设置于该传感器的相反侧，其中，
该偏置层通过绝缘材料与该设备的所有其他部分电隔离。
7.如权利要求1所述的设备，其中，该传感器是隧穿磁阻传感器。
8.如权利要求1所述的设备，其中，至少八个该换能器结构设置于公共
基板上方。
9.如权利要求1所述的设备，还包括：
驱动机构，用于使磁性介质在该传感器上方通过；以及
控制器，电耦合至该传感器。
10.如权利要求9所述的设备，其中，该磁性介质是磁性记录带。
11.一种设备，包括：
换能器结构，具有：
下部屏蔽体；
上部屏蔽体，形...

【专利技术属性】
技术研发人员：RG比斯克博恩，小罗伯特E方塔纳，J梁，CS洛，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US