利用查找表移位寄存器进行SRAM型FPGA刷新效果验证的方法技术

本发明专利技术涉及利用查找表移位寄存器进行SRAM型FPGA刷新效果验证的方法，包括步骤(1)、在FPGA中构建由查找表构成的移位寄存器组，并为移位寄存器组设置初始值；(2)、完成FPGA的上电配置，向移位寄存器组输入串行数据驱动移位寄存器组进行移位；(3)、当前移位寄存器内的保存值与移位寄存器的初始值不同时，可停止向移位寄存器组输入串行数据；(4)、刷新SRAM型FPGA，直至移位寄存器组的所有存储值均被刷新；(5)、再次向移位寄存器组输入串行数据驱动移位寄存器组进行移位，将移位寄存器组中的保存值全部移出；(6)、判断是否刷新成功，本发明专利技术方法不需要进行辐照试验，也不需要回读，具有成本低、操作简单、判断准确的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种利用查找表移位寄存器进行SRAM型FPGA刷新效果验证的方法，特别是利用查找表移位寄存器的特性来判断刷新是否成功，属于集成电路

技术介绍
SRAM型FPGA的基本结构如图1，其中主要的功能模块包括：四周一圈的输入输出模块(IOB)、边沿两列块存储器(BlockRAM)、内部的可编程逻辑块阵列(CLB)，除此以外，还有遍布整个电路连接各个模块的互联资源。上述逻辑资源和互联资源都由下层SRAM配置位控制。大量的遍布FPGA电路的SRAM配置位决定了FPGA电路的具体功能，这些配置位的码流集合即被称为码流(bitstream)。当SRAM型FPGA在空间环境应用时，空间高能粒子会穿透FPGA器件内部并在路径上产生电离，从而引起电路节点上瞬时电流干扰而导致电路错误。典型的6管SRAM单元由两个交叉连接的反相器以及两个用于读写控制的门控管组成，如图2所示为SRAM型FPGA的配置存储器单粒子翻转的原理。当高能粒子打在SRAM单元的灵敏区域时(以反本文档来自技高网...

【技术保护点】
利用查找表移位寄存器进行SRAM型FPGA刷新效果验证的方法，其特征在于：(1)、在SRAM型FPGA中构建由查找表构成的移位寄存器组，并为移位寄存器组设置初始值；(2)、完成SRAM型FPGA的上电配置，向移位寄存器组输入串行数据驱动移位寄存器组进行移位；(3)、当移位寄存器组新移入值后，当前移位寄存器内的保存值与移位寄存器的初始值不同时，可停止向移位寄存器组输入串行数据；(4)、刷新SRAM型FPGA，直至移位寄存器组的所有存储值均被刷新；(5)、再次向移位寄存器组输入串行数据驱动移位寄存器组进行移位，将移位寄存器组中的保存值全部移出；(6)、对比步骤(5)中的移出值与步骤(1)中设置的初...

【技术特征摘要】
1.利用查找表移位寄存器进行SRAM型FPGA刷新效果验证的方法，
其特征在于：
(1)、在SRAM型FPGA中构建由查找表构成的移位寄存器组，并为
移位寄存器组设置初始值；
(2)、完成SRAM型FPGA的上电配置，向移位寄存器组输入串行数
据驱动移位寄存器组进行移位；
(3)、当移位寄存器组新移入值后，当前移位寄存器内的保存值与移位
寄存器的初始值不同时，可停止向移位寄存器组输入串行数据；
(4)、刷新SRAM型FPGA，直至移位寄存器组的所有存储值均被刷
新；
(5)、再次向移位寄存器组输入串行数据驱动移位寄存器组进行移位，
将移位寄存器组中的保存值全部移出；
(6)、对比步骤(5)中的移出值与步骤(1)中设置的初始值是否相同，
若相同则判断刷新成功，若不同则判断刷新未成功。
2.利用查找表移位寄存器进行SRAM型FPGA刷新效果验证的方法，
通过FPGA刷新验证系统实现，所述FPGA刷新验证系统包括待刷新的
SRAM型FPGA、刷新模块、PROM和外围信号模块，其中PROM用于存
储SRAM型FPGA码流，具体实现方法如下：
(1)、在SRAM型FPGA中构建由查找表构成的移位寄存器组，并为
移位寄存器组设置初始值；
(2)、完成SRAM型FPGA的上电，通过PROM为SRAM型FPGA
进行码流配置，外围信号模块向移位寄存器组输入串行数据驱动移位寄存
器组进行移位；
(3)、当移位寄存器组新移入值后，当前移位寄存器内的保存值与移位

\t寄存器的初始值不同时，外围信号模块可停止向移位寄存器组输入串行数
据；
(4)、刷新模块对SRAM型FPGA进行刷新，直至当移位寄存器组的
所有存储值均被刷新；
(5)、外围信号模块再次向移位寄存器组输...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵元富，李学武，张帆，姜爽，陈雷，李琦，祁逸，刘进，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11