【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及垃圾处理领域,具体涉及一种有机垃圾处理机。
技术介绍
垃圾指不需要或无用的固体、流体物质。在人口密集的大城市,垃圾处理是一个令人头痛的问题。常见的做法是收集后送往堆填区,或是用焚化炉焚化。有机垃圾处理机是专门处理有机垃圾的装置,主要工作场所有厨房、学校、餐饮单位等。然而,现有垃圾处理机一般不具备湿度检测功能,当其工作环境湿度过大时,会对设备造成损害,同时大大限制了其应用范围。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术中的上述不足之处而提供一种有机垃圾处理机。本专利技术的目的通过以下技术方案实现:本专利技术提供了一种有机垃圾处理机,其特征在于:所述垃圾处理机(1)的外部安装有ZnO基湿敏传感器模块(2),其可以对垃圾处理机工作环境湿度进行检测;所述ZnO基湿敏传感器模块(2)主要由湿敏敏感元件和数据读取元件组成,所述湿敏敏感元件为叉指电极型,包括硅片衬底(10)、Si-NPA(20)、氧化锌纳米线(30)和石墨烯层(40);所述垃圾处理机(1)上还设置有微处理器、LED显示灯条和无线通信模块;所述微处理器的输入端与所述ZnO湿敏传感器模块(2)的输出端连接,所述ZnO湿敏传感器模块(2)检测值达到预设值,所述微处理器控制LED显示灯条发出闪光,所述LED显示灯条连接有一个蜂鸣器,LED显示灯条闪烁的同时触动蜂鸣器发出警报;所述无线通信模块为CC2420无线通信模块,所述ZnO湿敏传感器模块( ...
【技术保护点】
一种有机垃圾处理机,其特征在于:所述垃圾处理机(1)的外部安装有ZnO基湿敏传感器模块(2);所述ZnO基湿敏传感器模块(2)主要由湿敏敏感元件和数据读取元件组成,所述湿敏敏感元件为叉指电极型,包括硅片衬底(10)、Si‐NPA(20)、氧化锌纳米线(30)和石墨烯层(40);所述垃圾处理机(1)上还设置有微处理器、LED显示灯条和无线通信模块;所述微处理器的输入端与所述ZnO湿敏传感器模块(2)的输出端连接,所述ZnO湿敏传感器模块(2)检测值达到预设值,所述微处理器控制LED显示灯条发出闪光,所述LED显示灯条连接有一个蜂鸣器,LED显示灯条闪烁的同时触动蜂鸣器发出警报;所述无线通信模块为CC2420无线通信模块,所述ZnO湿敏传感器模块(2)可通过所述CC2420无线通信模块发送检测数据至数据基站,移动用户终端可通过互联网查看检测结果或将检测数据上传至云存储中心,形成检测和监测网络;所述垃圾处理机(1)的输出电线侧壁上设置有一个用于脱湿的聚乙烯醇‐乙二胺四甲叉磷酸‐聚砜基膜中空纤维复合膜组件,该膜组件将聚乙烯醇‐乙二胺四甲叉磷酸‐聚砜基膜中空纤维复合膜固定在玻璃电极上,玻璃电极与 ...
【技术特征摘要】
1.一种有机垃圾处理机,其特征在于:所述垃圾处理机(1)的外部安装有ZnO基湿敏
传感器模块(2);所述ZnO基湿敏传感器模块(2)主要由湿敏敏感元件和数据读取元件组
成,所述湿敏敏感元件为叉指电极型,包括硅片衬底(10)、Si‐NPA(20)、氧化锌纳米线(30)
和石墨烯层(40);所述垃圾处理机(1)上还设置有微处理器、LED显示灯条和无线通信模
块;所述微处理器的输入端与所述ZnO湿敏传感器模块(2)的输出端连接,所述ZnO湿敏
传感器模块(2)检测值达到预设值,所述微处理器控制LED显示灯条发出闪光,所述LED显
示灯条连接有一个蜂鸣器,LED显示灯条闪烁的同时触动蜂鸣器发出警报;所述无线通信模
块为CC2420无线通信模块,所述ZnO湿敏传感器模块(2)可通过所述CC2420无线通信模
块发送检测数据至数据基站,移动用户终端可通过互联网查看检测结果或将检测数据上传至
云存储中心,形成检测和监测网络;所述垃圾处理机(1)的输出电线侧壁上设置有一个用于
脱湿的聚乙烯醇‐乙二胺四甲叉磷酸‐聚砜基膜中空纤维复合膜组件,该膜组件将聚乙烯醇‐乙
二胺四甲叉磷酸‐聚砜基膜中空纤维复合膜固定在玻璃电极上,玻璃电极与湿敏传感器连接;
所述氧化锌纳米线(30)长度约13μm。
2.根据权利要求1所述的垃圾处理机,其特征在于,所述湿敏敏感元件的制备方法如下:
步骤一,制备Si‐NPA衬底:对3cm×3cm的硅片衬底(10)进行包括清洗去污、水热法
腐蚀制备Si‐NPA衬底;①取3cm×3cm的硅片,将硅片置于硫酸和双氧水体积比4:1的混
合溶液中,超声处理20min,取出用去离子水清洗,以去除硅片表面的有机杂质;将硅片放
置于体积比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1的混合溶液中,超声清洗20min,随后取出用去
离子水清洗,以去除硅片表面的有机物和金属络合物;②利用水热法腐蚀制备Si‐NPA:称取
1.0g的Fe(NO3)·9H2O倒入聚四氟乙烯中,随后向其中加入20ml去离子水和30ml40%的
HF溶液;将上步清洗的硅片放入溶液中,加盖放入水热釜中,随后将水热釜放入干燥箱中,
180℃恒温保持30min,自然冷却后,取出硅片清洗即得Si‐NPA衬底;
步骤二,生长氧化锌纳米线:采用磁控溅射结合热氧化法制备...
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