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一种两片矩阵式框架结构整流桥制造技术

技术编号:13237053 阅读:144 留言:0更新日期:2016-05-14 23:45
本实用新型专利技术公开了一种两片矩阵式框架结构整流桥,其特征在于:包括两层铜片和四个芯片,所述四个芯片处于一个平面上,所述四个芯片位于两层铜片之间。本实用新型专利技术的优点是:采用两片式、四个芯片工位结构,四个芯片设计在一个平面上,工作效率高、成本低、散热快,完全替代原结构的产品。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种两片矩阵式框架结构整流桥,属于半导体贴片二极管封装

技术介绍
整流桥是用于将交流电转换为直流电,效率最尚的电路是桥式整流电路,一般米用四个二极管在电路板上组成一个整流桥式电路以实现整流的目的。随着电子产品的小型化和集成化趋势,及LED照明的普及,现在将桥式电路的四个芯片集成封装在一个电子元器件内形成一个电子元件即为整流桥。目前的整流桥大多采用三层铜片,两个芯片叠加设置,这种整流桥的工作效率低、成本高、散热慢,不能满足现在电子产品的需求。
技术实现思路
本技术提供一种两片矩阵式框架结构整流桥,其采用两片式、四个芯片工位结构,四个芯片设计在一个平面上,增强散热性能,提高工作效率。本技术采用的技术方案是:—种两片矩阵式框架结构整流桥,包括两层铜片和四个芯片,所述四个芯片处于一个平面上,所述四个芯片位于两层铜片之间。本技术的优点是:采用两片式、四个芯片工位结构,四个芯片设计在一个平面上,工作效率高、成本低、散热快,完全替代原结构的产品。【附图说明】图1为本技术的整体结构示意图。图2为图1的侧视结构示意图。图3为本技术的电路图。其中:1、第一芯片位置,2、第二芯片位置,3、第三芯片位置,4、第四芯片位置,5、第一层铜片,6、第二层铜片。【具体实施方式】如图1、图2和图3所示,一种两片矩阵式框架结构整流桥,包括两层铜片(第一层铜片5和第二层铜片6)和四个芯片(第一芯片位置I,第二芯片位置2,第三芯片位置3,第四芯片位置4),四个芯片处于一个平面上,四个芯片位于两层铜片之间。这种结构设计,使得四个芯片均能得到很好的散热,提高工作性能和工作效率。【主权项】1.一种两片矩阵式框架结构整流桥,其特征在于:包括两层铜片和四个芯片,所述四个芯片处于一个平面上,所述四个芯片位于两层铜片之间。【专利摘要】本技术公开了一种两片矩阵式框架结构整流桥,其特征在于:包括两层铜片和四个芯片,所述四个芯片处于一个平面上,所述四个芯片位于两层铜片之间。本技术的优点是:采用两片式、四个芯片工位结构,四个芯片设计在一个平面上,工作效率高、成本低、散热快,完全替代原结构的产品。【IPC分类】H01L25/07, H02M7/00【公开号】CN205211743【申请号】CN201520844885【专利技术人】杨海林, 葛正林 【申请人】杨海林【公开日】2016年5月4日【申请日】2015年10月26日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种两片矩阵式框架结构整流桥,其特征在于:包括两层铜片和四个芯片,所述四个芯片处于一个平面上,所述四个芯片位于两层铜片之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨海林葛正林
申请(专利权)人:杨海林
类型:新型
国别省市:江苏;32

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