电子装置和电磁辐射抑制方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种电子装置和电磁辐射抑制方法，该电子装置包含一电磁辐射源结构及一电磁辐射抑制结构。该电磁辐射源结构形成于至少一第一半导体晶粒中。该电磁辐射抑制结构形成于一第二半导体晶粒中，用以感应该电磁辐射源结构所发出的电磁辐射来产生一反向电磁辐射，以抑制该电磁辐射源结构所发出的电磁辐射穿过该电磁辐射抑制结构。本发明专利技术另揭露一种包含一电磁辐射抑制结构及一电磁辐射源结构的电子装置。该电磁辐射抑制结构形成于一印刷电路板中。该电磁辐射源结构形成于一半导体晶粒中。除此之外，本发明专利技术还揭露了相关的电磁辐射抑制方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术所揭露的实施例相关于电磁辐射抑制方法，尤指一种抑制电感电容共振腔(LC tank)的电磁辐射的方法以及相关装置。
技术介绍
电子产品于运作时会产生电磁辐射，可能会干扰其它装置的正常运作甚至影响人体健康，因此多数国家均针对电子产品的电磁辐射立下规范，以防止电磁干扰(Electromagnetic Interference, EU)带来危害。电子产品的组件的一“集成电路(Integrated Circuit, IC) ”是电磁辐射的主要来源之一，其中集成电路中的“电感”所产生的电磁辐射除可能干扰外部装置，在某些应用上亦可能干扰内部组件的运作。特别是在差动模式的电感电容共振腔(LC tank)中，若是正负端的电感部分的等效感值互不对称时，便会从正负端电感的交界处出现共模信号，所述共模信号会存在于与所述交界处电气连接的金属走线之上，并造成电磁辐射。因此，如何降低电感电容共振腔的差动和共模电磁辐射，又不会影响原本的电感电容共振腔的效能，甚至是降低差动模式的电感电容共振腔的正负端电感部分的实质不对称程度，已成为本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，包含：一电磁辐射源结构，形成于至少一第一半导体晶粒中；以及一电磁辐射抑制结构，形成于一第二半导体晶粒中，用以感应该电磁辐射源结构所发出的电磁辐射来产生一反向电磁辐射，以抑制该电磁辐射源结构所发出的电磁辐射穿过该电磁辐射抑制结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜孝璁，简育生，叶达勋，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71