透光性导电构件及其布图方法技术

本发明专利技术提供能够将包含银纳米线的导电层布图成导电区域和非导电区域、且非导电区域的光学特性得以改善的透光性导电构件及其布图方法。使用在透光性基材薄膜(11)的表面形成有将银纳米线(13a)埋设于外涂层(14)中的导电层(12)的透光性层叠材；其具有以下工序：对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面用碘液进行处理，从而使银纳米线(13a)的至少一部分发生碘化的工序；以及对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面给以硫代硫酸盐溶液，从而将在外涂层(14)的表面露出的银碘化物除去的工序。通过除去白色浑浊的或者白色化的银碘化物，便可以提高非导电区域的光透射性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及对导电区域和非导电区域进行了区分的透光性导电构件及其布图方法。
技术介绍
配置于显示面板前方的透光性导电构件可以用作静电式触摸面板等。在以前的透光性导电构件中，形成于基材表面的透光性电极层用铟-锡氧化物(ITO)形成，但这种金属氧化物具有弯曲应力等较弱的缺点。在专利文献1中，公开了一种在树脂层的内部埋设有导电性纳米线网络的透光性导电层。该导电层由于对弯曲应力等物理的外力有抵抗力，因而适合使用于以能够进行弯曲变形的树脂薄膜为基材的透光性导电构件等。在包含导电性纳米线的导电层中，可以通过蚀刻工序进行使导电性纳米线溶解而部分地形成非导电区域的布图。但是，布图后存在的问题是：导电性纳米线残存下来的导电区域和导电性纳米线得以除去的非导电区域在光透射特性等光学特性上产生显著的差别。于是，在专利文献1中，记载着使导电性纳米线的一部分化学转化为非导电纳米线或者高电阻率的纳米线的步骤。在该步骤中，对应该非导电化的区域给以氧化剂，使银纳米线变换成不溶性金属盐，从而改质为非导电性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-507199号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在包含导电性纳米线网络的导电层中，为了确保与在其上形成的金属层等的导电性，使纳米线的一部分在导电层的表面露出。因此，如果对应该非导电化的区域给以氧化剂，则存在的课题是在导电层的表面露出的纳米线成为金属氧化化合物而以白浊物的形式残留下来，从而使应该非导电化的区域的光学特性劣化。另外，在专利文献1中，作为氧化剂例示出了次氯酸盐等氧化盐、和四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)等有机氧化剂。但是，这些氧化剂向埋设有银纳米线网络的树脂层即外涂层(overcoatlayer)的渗透程度是不适当的，从而难以精密地控制用于区别导电区域和非导电区域的布图。另外，如果在包含银纳米线的导电层上用铜和银等金属层形成引线层等，则产生容易对该金属层造成损害的问题。本专利技术的目的在于：解决上述以前的课题，提供一种在将导电层的一部分改质成非导电区域时，可以降低导电区域和非导电区域的光学特性之差的透光性导电构件。另外，本专利技术的目的还在于：提供一种可以高精度地进行改质导电层的一部分而区分导电区域和非导电区域的处理的透光性导电构件的布图方法。用于解决课题的手段本专利技术涉及一种透光性导电构件，其在透光性基材的表面形成有将银纳米线埋设于外涂层中的导电层，其特征在于：所述导电层被区分为导电区域、和表面电阻率比所述导电区域更高的非导电区域，而且在所述非导电区域中，埋设于所述外涂层中的银纳米线的至少一部分被碘化；在所述非导电区域中，银碘化物不会从所述外涂层的表面露出，或者所述非导电区域的在所述外涂层的表面露出的银碘化物的量比所述导电区域的在所述外涂层的表面露出的银纳米线的量更少。本专利技术的透光性导电构件通过使非导电区域的银纳米线转化为银碘化物，不会使相对于导电区域的光透射率大大变化而同导电区域相比较，可以更加提高表面电阻率。在非导电区域，银碘化物不存在于外涂层的表面，或者即使存在也很微小，所以使非导电层的表面变浑浊的银碘化物几乎不存在，非导电区域的雾度较小，从而可以将透明性维持在较高的水平。此外，在本说明书中，所谓在外涂层的表面露出的纳米线的量，是指在表面露出的纳米线的质量相对于每单位面积的总计。或者是指在表面露出的纳米线于单位面积内所占的面积比。接着，本专利技术涉及一种透光性导光构件的布图方法，其特征在于：其使用在透光性基材的表面形成有将银纳米线埋设于外涂层中的导电层的透光性层叠材；所述布图方法具有以下工序：用抗蚀剂层覆盖所述导电层的一部分的工序；对没有用抗蚀剂层覆盖的导电层的表面用碘液进行处理，从而使银纳米线的至少一部分发生碘化的工序；以及对没有用抗蚀剂层覆盖的导电层的表面给以硫代硫酸盐溶液，从而将在外涂层的表面露出的银碘化物除去的工序。所述碘液为碘-碘化钾溶液，优选溶液中碘的浓度为0.05～1.0质量％，碘化钾的浓度为0.1～5.0质量％。另外，硫代硫酸盐溶液优选为硫代硫酸钠溶液，硫代硫酸钠的浓度优选为1.0～25质量％。本专利技术的透光性导电构件的布图方法在使银纳米线碘化的处理工序之后，通过设置将银碘化物除去的工序，可以除去在外涂层的表面露出的被碘化过的银纳米线，可以减小绝缘层的雾度，从而可以提高透明性。碘-碘化盐溶液容易向外涂层渗透，容易使没有用抗蚀剂层覆盖的区域的导电层内的银纳米线转化为银碘化物，因此，可以高精度地对导电区域和非导电区域的边界进行布图。硫代硫酸盐溶液难以向丙烯酸系等外涂层中渗透，从而对在非导电区域的外涂层的内部存在的碘化过的银纳米线所产生的影响较少。因此，即使在进行了给与硫代硫酸盐溶液而将在外涂层的表面露出的银碘化物除去的处理之后，也可以在外涂层的内部残存表面电阻得以提高的银纳米线，从而可以减小非导电区域和导电区域的光学特性之差。另外，硫代硫酸盐溶液难以向外涂层渗透，在外涂层内部的液体的残留较少，进而硫代硫酸盐溶液的氧化力往往也较低，从而难以对在导电区域的表面形成为引线层的铜和银等造成损害。专利技术的效果本专利技术的透光性导电构件由于使一部分区域的银纳米线非导电化或者转化为高电阻的银碘化物，因而不完全除去银纳米线便可以区分导电区域和非导电区域。另外，在非导电区域，银碘化物几乎不会在外涂层的表面露出，因而可以抑制在非导电区域的表面白浊化或者白色化的金属化合物的残留，从而光透射性得以改善。除此以外，通过在非导电区域的外涂层的内部残存银纳米线，可以减小非导电区域和导电区域的光学特性差。本专利技术的透光性导电构件的布图方法由于使用容易向外涂层渗透的碘液而使银纳米线实质上非导体化，因而容易对划分导电区域和非导电区域的布图进行控制。另外，虽然用硫代硫酸盐溶液除去在外涂层的表面露出的银碘化物，但硫代硫酸盐溶液由于难以向外涂层中渗透，因而向外涂层中的液体的残留较少，进而硫代硫酸盐溶液的氧化力往往也较低，从而容易防止对外涂层上形成的金属层等造成损害。本专利技术的布图方法采用不同的工序进行使用碘液的银纳米线的碘化处理、和使用硫代硫酸盐溶液的银碘化物的除去处理。例如，如果欲使用碘液和硫代硫酸盐溶液的混合液一次进行处理，则外涂层内的银纳米线发生溶解，非导电区域的光学特性大大地发生变化。但是，本专利技术的方法通过使所述2个工序分离，便在被碘化的银纳米线残留于外涂层内部的状态下，可以除去外涂层表面的银碘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透光性导电构件，其在透光性基材的表面形成有将银纳米线埋设于外涂层中的导电层，其特征在于：所述导电层被区分为导电区域、和表面电阻率比所述导电区域更高的非导电区域，而且在所述非导电区域中，埋设于所述外涂层中的银纳米线的至少一部分被碘化；在所述非导电区域中，银碘化物不会从所述外涂层的表面露出；或者所述非导电区域的在所述外涂层的表面露出的银碘化物的量比所述导电区域的在所述外涂层的表面露出的银纳米线的量更少。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.05 JP 2013-1620201.一种透光性导电构件，其在透光性基材的表面形成有将银纳米线埋设于外涂层中的
导电层，其特征在于：
所述导电层被区分为导电区域、和表面电阻率比所述导电区域更高的非导电区域，而
且在所述非导电区域中，埋设于所述外涂层中的银纳米线的至少一部分被碘化；
在所述非导电区域中，银碘化物不会从所述外涂层的表面露出；或者所述非导电区域
的在所述外涂层的表面露出的银碘化物的量比所述导电区域的在所述外涂层的表面露出
的银纳米线的量更少。
2.一种透光性导电构件的布图方法，其特征在于：其使用在透光性基材的表面形成有
将银纳米线埋设于外涂层中的导电层的透光性层叠材；所述布图方法具有以下工序：
用抗蚀剂层覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：山井知行，尾藤三津雄，北村恭志，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP