一种电机低频驱动控制算法制造技术

技术编号:13124328 阅读:74 留言:0更新日期:2016-04-06 11:59
一种电机低频驱动控制算法,首先构建可控硅驱动控制电机装置,即通过反向并联的第一可控硅VT1和第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控硅组、第三可控硅组,A相线通过第一可控硅组同电机的A相端子相连接,B相线通过第二可控硅组同电机的B相端子相连接,C相线通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接,另外用Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相电压。这样的结构避免了现有技术的电流也均不连续、在低频时电机发热较严重的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于供水、排水、灌溉和污水处理的变频
,具体涉及一种电机低频 驱动控制算法。
技术介绍
软起动器通常采用通过可控硅的调压方式,电机电压逐渐升高,从而电机转速逐 渐升高,达到软起动电机目的,降低电机起动电流,但是常采用调压方式,电机力矩变小,电 机曲线特性变软,起动电流在3~4倍,对电网还有一定的冲击。在不改变硬件可控硅结构的 情况下,如常采用变频控制算法,电机力矩变大,起动电流在2倍,减少对电网冲击,如电机 是重载起动的话,调压控制不合适,不能重载起动,而变频控制能更好发挥电机性能,带动 重载电机。
技术实现思路
本专利技术的目的提供,首先构建可控硅驱动控制电机装 置,即通过反向并联的第一可控硅VTl和第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四 可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控 硅组、第三可控硅组,A相线通过第一可控硅组同电机的A相端子相连接,B相线通过第二可 控硅组同电机的B相端子相连接,C相线通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接,另外用 Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相电压。这样的结构避免了现有技术的电流也均不连 续、在低频时电机发热较严重的缺陷。 为了克服现有技术中的不足,本专利技术提供了的解决方 案,具体如下: -种电机低频驱动控制算法,步骤如下: 步骤1:首先构建可控硅驱动控制电机装置,即通过反向并联的第一可控硅VTl和 第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5 和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控硅组、第三可控硅组,A相线通过第一可 控硅组同电机的A相端子相连接,B相线通过第二可控硅组同电机的B相端子相连接,C相线 通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接,另外用Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相 电压; 步骤2:根据电机等效数学模型,得到如公式(1)所示的等式: 其中:Te:转矩,Pe:电机功率,Ω ::电源角速度,R1:电机定子阻抗X1。:电机定子漏 抗,< :电机转子等效阻抗,:电机转子等效感抗,S:转差率,U1为定子绕组端电压,由公 式(1)计算得出:转矩与电压,转差率关系,根据此关系进行软起动器变频控制,具体如下: 当需要输出设定频率时,通过采集外部的电压相位信号,电流信号,功率因数角, 进入内部所述的电机等效数学模型,通过模糊计算,得出在该相位点应该触发几号硅(ντι ~VT6),根据等式U1 ? E1 = 4.44 X fi X N1 X Φ i X Kwl,其中Π 为电源频率,Nl为定子绕组每相 串联匝数,Kwl为基波绕组系数,Φ1为电机每极磁通量,凭借频率下降,El也要下降,即Ε1/Π =常数,否则电机会过磁,引起震动和发热,由该公式计算电机在该相位需要多大的起动电 压,从而转化成可控硅的触发角,Eg:设定频率触发,El也因减半,满足El/Π =常数,实测电 压,功率因数角,触发等效波形的面积也应减半,满足El也因减半。 所述的设定频率数值是50/n. .. .50/3,50/2,50。 所述的电极低频驱动算法采用分级变频,且电流、电压不连续。 本专利技术结合了变频器和软起动器两者的优点,如软起动器的成本低和变频器的变 频控制,在一些不需要变频精确的应用行业或场合,又需要电机低频运行,如消防行业。达 到同样的目的,但成本大大降低了。成本下降50%以上【附图说明】 图1为本专利技术的可控硅的连接示意图。 图2为本专利技术的电机的等效电路图。 图3为本专利技术的效果图。【具体实施方式】 软起动器变频控制,只能将交流进行η分频,频率不连续,如50/n. .. .50/3,50/2, 50.方法是将η个周期交流合并,其正半周只让正向半波导通,负半周只让反向半波导通。这 样软起动器变频控制,只能将交流进行η分频,频率不连续,如50/n. .. .50/3,50/2,50,电 压,电流也均不连续,在低频时,电机发热较严重。 下面结合附图对
技术实现思路
作进一步说明: 参照图1、图2和图3所示,电机低频驱动控制算法,步骤如下: 步骤1:首先构建可控硅驱动控制电机装置,即通过反向并联的第一可控硅VTl和 第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5 和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控硅组、第三可控硅组,A相线通过第一可 控硅组同电机的A相端子相连接,B相线通过第二可控硅组同电机的B相端子相连接,C相线 通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接,另外用Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相 电压; 步骤2:根据电机等效数学模型,得到如公式(1)所示的等式: 其中:Te:转矩,Pe:电机功率,Ω ::电源角速度,R1:电机定子阻抗X1。:电机定子漏 抗,<:电机转子等效阻抗,XL :电机转子等效感抗,S:转差率,U1为定子绕组端电压,由公 式(1)计算得出:转矩与电压,转差率关系,根据此关系进行软起动器变频控制,具体如下:当需要输出设定频率时,通过采集外部的电压相位信号,电流信号,功率因数角, 进入内部所述的电机等效数学模型,通过模糊计算,得出在该相位点应该触发几号硅(VT1 ~VT6),根据等式U1 ? E1 = 4.44 X f! X N1 X Φ ! X Kwl,其中Π 为电源频率,Nl为定子绕组每相 串联匝数,Kwl为基波绕组系数,φ 1为电机每极磁通量,凭借频率下降,El也要下降,即El/f I =常数,否则电机会过磁,引起震动和发热,由该公式计算电机在该相位需要多大的起动电 压,从而转化成可控硅的触发角,Eg:设定频率触发,El也因减半,满足El/Π =常数,实测电 压,功率因数角,触发等效波形的面积也应减半,满足El也因减半。所述的设定频率数值是 50/n....50/3,50/2,50〇 所述的电极低频驱动算法采用分级变频,且电流、电压不连续。 本专利技术根据软起动器通常采用通过可控硅的调压方式,电机电压逐渐升高,从而 电机转速逐渐升高,达到软起动电机目的,降低电机起动电流,但是常采用调压方式,电机 力矩变小,电机曲线特性变软,起动电流在3~4倍,对电网还有一定的冲击。而在不改变硬 件可控硅结构的情况下,如常采用变频控制算法,电机力矩变大,起动电流在2倍,减少对电 网冲击,如电机是重载起动的话,调压控制不合适,不能重载起动,而变频控制能更好发挥 电机性能,带动重载电机。 具体说来,本专利技术能够达到变频控制目的,将交流进行η分频,频率不连续,如50/ n. . . .50/3,50/2,50.方法是将η个周期交流合并,其正半周只让正向半波导通,负半周只让 反向半波导通。如图3所示:实线为外部实际电压信号,虚线为控制电机变频效果包络线。 以上所述,仅是本专利技术的较佳实施例而已,并非对本专利技术作任何形式上的限制,虽 然本专利技术已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本专利技术,任何熟悉本专业的技术人 员,在不脱离本专利技术技术方案范围内,当可利用上述揭示的
技术实现思路
做出些许更动或修饰 为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本专利技术技术方案内容,依据本专利技术的技术实质,本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种电机低频驱动控制算法,其特征在于,步骤如下:步骤1:首先构建可控硅驱动控制电机装置,即通过反向并联的第一可控硅VT1和第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控硅组、第三可控硅组,A相线通过第一可控硅组同电机的A相端子相连接,B相线通过第二可控硅组同电机的B相端子相连接,C相线通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接,另外用Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相电压;步骤2:根据电机等效数学模型,得到如公式(1)所示的等式:Te=PeΩ1=1Ω1*3U12*R2//s(R1+R2//s)2+(X1σ+X2σ/)2---(1)]]>其中:Te:转矩,Pe:电机功率,Ω1:电源角速度,R1:电机定子阻抗X1σ:电机定子漏抗,电机转子等效阻抗,电机转子等效感抗,S:转差率,U1为定子绕组端电压,由公式(1)计算得出:转矩与电压,转差率关系,根据此关系进行软起动器变频控制,具体如下:当需要输出设定频率时,通过采集外部的电压相位信号,电流信号,功率因数角,进入内部所述的电机等效数学模型,通过模糊计算,得出在该相位点应该触发几号硅(VT1~VT6),根据等式U1≈E1=4.44×f1×N1×φ1×Kw1,其中f1为电源频率,N1为定子绕组每相串联匝数,Kw1为基波绕组系数,Φ1为电机每极磁通量,凭借频率下降,E1也要下降,即E1/f1=常数,否则电机会过磁,引起震动和发热,由该公式计算电机在该相位需要多大的起动电压,从而转化成可控硅的触发角,Eg:设定频率触发,E1也因减半,满足E1/f1=常数,实测电压,功率因数角,触发等效波形的面积也应减半,满足E1也因减半。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:卞光辉
申请(专利权)人:苏州艾克威尔科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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