一种电机低频驱动控制算法制造技术

一种电机低频驱动控制算法，首先构建可控硅驱动控制电机装置，即通过反向并联的第一可控硅VT1和第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控硅组、第三可控硅组，A相线通过第一可控硅组同电机的A相端子相连接，B相线通过第二可控硅组同电机的B相端子相连接，C相线通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接，另外用Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相电压。这样的结构避免了现有技术的电流也均不连续、在低频时电机发热较严重的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于供水、排水、灌溉和污水处理的变频
，具体涉及一种电机低频 驱动控制算法。
技术介绍
软起动器通常采用通过可控硅的调压方式，电机电压逐渐升高，从而电机转速逐 渐升高，达到软起动电机目的，降低电机起动电流，但是常采用调压方式，电机力矩变小，电 机曲线特性变软，起动电流在3~4倍，对电网还有一定的冲击。在不改变硬件可控硅结构的 情况下，如常采用变频控制算法，电机力矩变大，起动电流在2倍，减少对电网冲击，如电机 是重载起动的话，调压控制不合适，不能重载起动，而变频控制能更好发挥电机性能，带动 重载电机。
技术实现思路
本专利技术的目的提供，首先构建可控硅驱动控制电机装 置，即通过反向并联的第一可控硅VTl和第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四 可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控 硅组、第三可控硅组，A相线通过第一可控硅组同电机的A相端子相连接，B相线通过第二可 控硅组同电机的B相端子相连接，C相线通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接，另外用 Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电机低频驱动控制算法，其特征在于，步骤如下：步骤1：首先构建可控硅驱动控制电机装置，即通过反向并联的第一可控硅VT1和第二可控硅VT4、反向并联的第三可控硅VT3和第四可控硅VT6、反向并联的第五可控硅VT5和第六可控硅VT2分别构成第一可控硅组、第二可控硅组、第三可控硅组，A相线通过第一可控硅组同电机的A相端子相连接，B相线通过第二可控硅组同电机的B相端子相连接，C相线通过第三可控硅组同电机的C相端子相连接，另外用Ua、Ub、Uc分别为A相电压、B相电压、C相电压；步骤2：根据电机等效数学模型，得到如公式(1)所示的等式：Te=PeΩ1=1Ω1*3U12*R2//...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卞光辉，
申请(专利权)人：苏州艾克威尔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32