电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电子设备，包括：芯片组，包括第一芯片和第二芯片；和电源管理芯片，用于为第一芯片提供第一电源电压，为第二芯片提供第二电源电压，其中，第一电源电压高于第二电源电压。所述电子设备的设计灵活性以及信噪比较高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种包括芯片组的电子设备。
技术介绍
随着社会的发展，越来越多的电子设备(如:手机、平板电脑、穿戴式设备、以及智能家居等各种智能产品)一般都会设置一种或多种芯片，以芯片为传感装置为例，所述传感装置包括如感测用户触摸操作的触摸传感装置、感测人体生物信息的生物信息传感装置等等。目前，生物信息传感装置等多采用电容式传感装置来执行感测操作。电容式传感装置一般包括电容式传感器和控制电路。所述电容式传感器包括多个传感单元(sensor)。所述多个传感单元接收控制电路的驱动信号，并在用户触摸所述多个传感单元时对应输出感测信号给所述控制电路，以获得相应的感测信息。然，所述电容式传感器与所述控制电路通常采用相同工艺制作，形成一颗芯片，电子设备的电源管理芯片提供相同的电源电压给电容式传感器和控制电路，由此不仅导致电容式传感装置的设计灵活性不高，也导致电容式传感器的信噪比不高。类似地，除了传感装置外，其它类型的芯片也可能存在设计灵活性以及信噪比不高的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种设计灵活以及信噪比较高的电子设备。本技术提供了一种电子设备，包括:芯片组，包括第一芯片和第二芯片；和电源管理芯片，用于为第一芯片提供第一电源电压，为第二芯片提供第二电源电压，其中，第一电源电压高于第二电源电压。优选地，所述第一芯片与所述第二芯片均采用半导体基板上形成互补金属氧化物半导体晶体管工艺制成，其中，所述第一芯片中的晶体管的最小特征特征线宽大于所述第二芯片中的晶体管的最小特征线宽；或者，所述第一芯片采用绝缘基板上形成包括有薄膜晶体管的集成电路工艺制成，所述第二芯片采用半导体基板上形成包括有互补金属氧化物半导体晶体管的集成电路工艺制成。优选地，第一芯片包括绝缘基板和设置在所述绝缘基板上的第一集成电路；第二芯片包括半导体基板和设置在所述半导体基板上第二集成电路。优选地，所述第二芯片设置在所述第一芯片的绝缘基板上，并与所述第一芯片的第一集成电路相连接。优选地，所述第一集成电路包括多个薄膜晶体管；所述第二集成电路包括多个互补金属氧化物半导体晶体管。优选地，所述第一芯片包括第一电源输入端，所述第二芯片包括第二电源输入端，所述电源管理芯片包括第一电源输出端和第二电源输出端，其中，所述第一电源输出端与第一电源输入端连接，所述第二电源输出端与所述第一电源输入端连接，所述电源管理芯片通过第一电源输出端输出第一电源电压给所述第一电源输入端，以及通过第二电源输出端输出第二电源电压给所述第二电源输入端。优选地，所述第一芯片包括接地端，所述第二芯片包括接地端，所述电源管理芯片包括调制端，所述调制端与所述第一芯片的接地端和所述第二芯片的接地端分别连接，所述电源管理芯片通过所述调制端输出调制信号给所述二接地端，其中，所述第一电源电压和第二电源电压均随所述调制信号的升高而升高、随所述调制信号的降低而降低。优选地，所述第一电源电压经所述调制信号调制后成为一第三电源电压，所述第二电源电压经所述调制信号调制后成为一第四电源电压。优选地，所述电源管理芯片包括接地端，连接电子设备的设备地，所述电子设备进一步包括第一保护电路和第二保护电路，其中，所述第一保护电路设置在所述第一电源输出端和第一电源输入端之间，所述第一保护电路用于在第三电源电压高于第一电源输出端处的第一电源电压时，断开第一电源输出端与第一电源输入端之间的连接；所述第二保护电路设置在所述第二电源输出端和第二电源输入端之间，所述第二保护电路用于在第四电源电压高于第二电源输出端处的第二电源电压时，断开第二电源输出端与第二电源输入端之间的连接。优选地，所述第一保护电路包括第一二极管，所述第一二极管串联于所述第一电源输出端与第一电源输入端之间；所述第二保护电路包括第二二极管，所述第二二极管串联于所述第二电源输出端与所述第二电源输入端之间。优选地，所述第一二极管的阳极通过一第一电容连接电源管理芯片的接地端，第一二极管的阴极通过一第二电容连接调制端；所述第二二极管的阳极通过一第三电容连接电源管理芯片的接地端，第二二极管的阴极通过一第四电容连接调制端。优选地，所述第一保护电路包括第九晶体管和第一控制单元，所述第九晶体管包第九控制电极、第十七传输电极、和第十八传输电极；所述第九控制电极连接所述第一控制单元，第十七传输电极连接第一电源输出端，第十八传输电极连接第一电源输入端；在第三电源电压高于第一电源输出端处的第一电源电压时，所述第一控制单元控制第九晶体管截止；所述第二保护电路包括第十晶体管和第二控制单元，所述第十晶体管包第十控制电极、第十九传输电极、和第二十传输电极；所述第十控制电极连接所述第二控制单元，第十九传输电极连接第二电源输出端，第二十传输电极连接第二电源输入端；在第四电源电压高于第二电源输出端处的第二电源电压时，所述第二控制单元控制第十晶体管截止。优选地，所述第一芯片与第二芯片连接，所述第一芯片为传感器，所述第二芯片为控制芯片，所述第二芯片用于控制所述第一芯片执行相应功能。由于本技术的电子设备的芯片组包括两颗芯片，电源管理芯片提供不同的电源电压给所述两颗芯片，从而可以提高产品的设计灵活性，另外，也可提高第一芯片的信噪比。尽管公开了多个实施例，包括其变化，但是通过示出并描述了本技术公开的说明性实施例的下列详细描述，本技术公开的其他实施例将对所属领域的技术人员显而易见。将认识到，本技术公开能够在各种显而易见的方面修改，所有修改都不会偏离本技术的精神和范围。相应地，附图和详细描述本质上应被视为说明性的，而不是限制性的。【附图说明】通过参照附图详细描述其示例实施方式，本技术的特征及优点将变得更加明显。图1为本技术电容式传感装置的第一实施方式的示意图。图2为图1所示电容式传感装置的电路结构示意图。图3为图2所示电容式传感器的部分电路结构示意图。图4为图2所示电容式传感装置的部分电路结构示意图。图5与图6为图3所示传感电路的其它变更实施方式的示意图。图7为图1所示电容式传感器的示意图。图8至图11中主要示出电容式传感器的一传感单元的第三晶体管与感测电极的剖面结构示意图。图12为图2所示的电容式传感装置的工作时序图。图13为图1所示电容式传感器的部分方框示意图。图14为本技术电容式传感装置的第二实施方式的示意图。图15为图14所示一行方向上相邻二传感单元的电路结构示意图。图16为图14的电容式传感装置的部分电路结构示意图。图17为图14所示电容式传感器的方框结构示意图。图18为本技术电容式传感装置的其它变更实施方式的示意图。图19为在一片玻璃基板上形成多个电容式传感装置的示意图。图20为图19所示的一电容式传感装置的侧视示意图。图21和图22为电容式传感装置的其它变更实施方式的侧视图。图23为本技术芯片组的一较佳实施方式的示意图。图24为本技术电容式感测系统的第一实施方式的结构示意图。图25为本技术电容式感测系统的第二实施方式的结构示意图。图26为本技术电容式传感装置的封装结构第一实施方式的示意图。图27与图28为本技术电容式传感装置的封装结构其它实施方式的示意图。图29为本技术电容式感测模组的一较佳实施方式的示意图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备，包括：芯片组，包括第一芯片和第二芯片；和电源管理芯片，用于为第一芯片提供第一电源电压，为第二芯片提供第二电源电压，其中，第一电源电压高于第二电源电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雪春，
申请(专利权)人：深圳信炜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44