一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方组成比例

技术编号:12997655 阅读:73 留言:0更新日期:2016-03-10 11:46
本发明专利技术旨在提供一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方制成的氧传感器灵敏度及精确度更高且反应速度更快,从而保证尾气的充分燃烧。该粉体配方包括氧化锆85-90mol%,氧化钇5-8mol%,氧化钼3-7mol%。氧化钆2-7mol%。本发明专利技术主要应用于氧传感器领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方
技术介绍
目前汽车氧传感器的材料主要使用氧化锆陶瓷材料,氧化锆陶瓷材料在高温条件下具有氧离子传导性能,可以实现氧离子浓度由高到低的迀移,从而产生电势,EOT通过检测产生的电势信号判定空燃比的变化情况,从而调整喷油或者进气量,使空燃比在14.7:1左右,实现汽车尾气的充分燃烧,从而减少耗油量和尾气有害物质的排放。但目前汽车氧传感器使用氧化锆陶瓷材料的粉体配方由氧化锆和氧化钇两种成分组成,该粉体配方制成的氧传感器在350°C温度条件下的启动时间为10S,灵敏度较低。随着汽车排放标准的日益严格,氧传感器的灵敏度要求越来越高,现有的氧化锆陶,瓷材料制成的氧传感器的灵敏度已经不能满足ECU控制的精确度及快速反馈的要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方制成的氧传感器灵敏度及精确度更高且反应速度更快,从而保证尾气的充分燃烧。本专利技术所采用的技术方案是:一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方包括氧化错85_90mol%,氧化乾5_8mol%,氧化钼3_7mol%。进一步地,该粉体配方还包括氧化IL 2_7mol%。更近一步地,该粉体配方包括氧化错85mol%,氧化乾8mol%,氧化钼3mol%,氧化IL4mol%。更近一步地,该粉体配方包括氧化错90mol%,氧化乾5mol%,氧化钼3mol%,氧化IL2mol%0更近一步地,该粉体配方包括氧化错85mol%,氧化乾5mol%,氧化钼7mol%,氧化IL3mol%0更近一步地,该粉体配方包括氧化错85mol%,氧化乾5mol%,氧化钼3mol%,氧化IL7mol%。本专利技术的有益效果是:由于该氧化锆陶瓷粉体配方包括氧化锆85-90mol%,氧化钇5-8mol%,氧化钼3-7mol%,由于氧化钼具有更大的比表面积,更强的吸附性,有利于氧传感器中铂电极的催化反应,从而提高氧传感器性能;同时,氧化钼可减少离子与氧空位之间的复合几率,从而提升离子的导通能力。因此,本专利技术提供的用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方制成的氧传感器灵敏度及精确度更高且反应速度更快,从而保证尾气的充分燃烧。【具体实施方式】一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方包括氧化锆85-90mol%,氧化?乙 5_8mol%,氧化钼 3_7mol%。一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方包括还包括氧化钆2_7mol%o实施例一: 一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方包括氧化锆85mol%,氧化钇8mol%,氧化钼3mol%,氧化IL 4mol%。将此粉体配方制成的氧传感器进行性能试验测试,抗弯强度为420MPa,350°C温度条件下的启动时间约为8.5S,启动时间约缩短15%,且可通过2IV耐压测试。实施例二: 一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方包括氧化锆90mol%,氧化钇5mol%,氧化钼3mol%,氧化IL 2mol%。将此粉体配方制成的氧传感器进行性能试验测试,抗弯强度为550MPa,350°C温度条件下的启动时间约为9.2S,启动时间约缩短8%,且可通过2IV耐压测试。实施例三: 一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方包括氧化锆85mol%,氧化钇5mol%,氧化钼7mol%,氧化IL 3mol%。将此粉体配方制成的氧传感器进行性能试验测试,抗弯强度为500MPa,350°C温度条件下的启动时间约为7.5S,启动时间约缩短25%,且可通过2IV耐压测试。实施例四: 一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方包括氧化锆85mol%,氧化钇5mol%,氧化钼3mol%,氧化IL 7mol%。将此粉体配方制成的氧传感器进行性能试验测试,抗弯强度为500MPa,350°C温度条件下的启动时间约为7.8S,启动时间约缩短22%,且可通过2IV耐压测试。从以上四个实施例的具体数据可以看出,本专利技术的粉体配方制成的氧传感器的启动时间大幅降低、启动效率更高,从而将信息快速精准地反馈给ECU,保证尾气的充分燃烧。能够进一步地达到节能环保的要求。本专利技术中加入了氧化钼,由于氧化钼具有更大的比表面积,更强的吸附性,有利于氧传感器中铂电极的催化反应,从而提高氧传感器性能;同时,氧化钼可减少离子与氧空位之间的复合几率,从而提升离子的导通能力。因此,本专利技术提供的用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方制成的氧传感器灵敏度及精确度更高且反应速度更快,从而进一步保证尾气的充分燃烧。【主权项】1.一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,其特征在于:该粉体配方包括氧化锆85-90mol%,氧化钇 5_8mol%,氧化钼 3_7mol%。2.根据权利要求1所述的一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,其特征在于:该粉体配方还包括氧化IL 2-7mol%。3.根据权利要求2所述的一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,其特征在于:该粉体配方包括氧化错85mol%,氧化乾8mol%,氧化钼3mol%,氧化IL 4mol%。4.根据权利要求2所述的一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,其特征在于:该粉体配方包括氧化错90mol%,氧化乾5mol%,氧化钼3mol%,氧化2mol%。5.根据权利要求2所述的一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,其特征在于:该粉体配方包括氧化错85mol%,氧化乾5mol%,氧化钼7mol%,氧化IL 3mol%。6.根据权利要求2所述的一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,其特征在于:该粉体配方包括氧化错85mol%,氧化乾5mol%,氧化钼3mol%,氧化IL 7mol%。【专利摘要】本专利技术旨在提供一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,该粉体配方制成的氧传感器灵敏度及精确度更高且反应速度更快,从而保证尾气的充分燃烧。该粉体配方包括氧化锆85-90mol%,氧化钇5-8mol%,氧化钼3-7mol%。氧化钆2-7mol%。本专利技术主要应用于氧传感器领域。【IPC分类】C04B35/48, C04B35/622【公开号】CN105384438【申请号】CN201510893502【专利技术人】吴崇隽, 王洋, 向军, 杜刚, 甘祺芳 【申请人】珠海市香之君科技股份有限公司【公开日】2016年3月9日【申请日】2015年12月8日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于氧传感器的氧化锆陶瓷粉体配方,其特征在于:该粉体配方包括氧化锆85‑90mol%,氧化钇5‑8mol%,氧化钼3‑7mol%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴崇隽王洋向军杜刚甘祺芳
申请(专利权)人:珠海市香之君科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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