测试键结构与测试键群组制造技术

一种测试键结构与测试键群组，该测试键结构包含有多个晶体管，设置在一晶圆的一切割道内，且排列成一2×N阵列，该2×N阵列包含有二直行与N横列。该等晶体管分别包含一栅极、一源极、一漏极与一基体，且该等晶体管的该等源极全部彼此电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测试键结构与测试键群组，尤其涉及一种排列成矩阵的测试键结构与测试键群组。
技术介绍
在半导体工艺中，为维持产品质量的稳定，须针对所生产的半导体元件不断地进行测试。一般说来，可以利用各项半导体工艺在晶粒上制作元件的同时，在晶圆的切割道或一控片晶圆(monitor wafer)采用相同的步骤制作测试元件与测试键结构,来模拟晶粒上的相同工艺。随后，再利用探针等测试装置接触测试键，测量测试元件的各项参数，藉以检视工艺是否正常，而得以有效控制产品质量。请参阅图1，图1为一已知测试键结构的示意图。如图1所示，已知测试键结构100设置在晶圆102的切割道104内。测试键结构100包含多个待测元件110，例如晶体管元件，且每一待侧元件110与四个连接垫122、124、126、128电性连接。这四个连接垫122、124、126、128藉由金属连线130依序与待测元件110的源极、漏极、栅极与基底(图皆未示)电性连接。且如图1所示，测试键结构100的待测元件110与其连接垫122、124、126、128呈单行排列，而设置在切割道104之内。请继续参阅图1。由此可知，已知测试键结构100面临下述问题:已知测试键结构100中，任一待测元件110皆要求必须搭配四个容许探针接触而庞大的连接垫122、124、126、128，故已知测试键结构100将占据晶圆珍贵且有限的空间。更重要的是，由于切割道104的空间必须用以放置大面积的连接垫，使得已知测试键结构100可取得的样本数(sample size) 一直无法提升。因此，目前仍需要一种可增加样本数的测试键结构。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的即在于提供一种可增加样本数的测试键结构。根据本专利技术的权利要求书，提供一种测试键结构，该测试键结构包含有多个晶体管，设置在一晶圆的一切割道内，且排列成一 2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列。该等晶体管分别包含一栅极、一源极、一漏极与一基体，且该等晶体管的该等源极全部彼此电性连接。根据本专利技术的权利要求书，还提供一种测试键结构，该测试键结构包含有多个排列成一第一直行的第一晶体管，以及多个排列成一第二直行的第二晶体管。该等第一晶体管分别包含有一第一栅极、一第一源极、一第一漏极与一第一基体，而该等第二晶体管分别包含有一第二栅极、一第二源极、一第二漏极与一第二基体。另外，该等第二晶体管的尺寸不同于该等第一晶体管的尺寸，且该等第一晶体管的该等第一源极与该等第二晶体管的第二源极全部彼此电性连接。根据本专利技术的权利要求书，还提供一种测试键群组，该测试键群组包含有多组测试键结构，设置在一晶圆的一切割道内，以及多个设置在该切割道内的连接垫。各该组测试键结构分别包含有多个晶体管，且排列成一 2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列。该等晶体管分别包含一栅极、一源极、一漏极与一基体，且各该组测试键结构组内的该等晶体管的该等源极全部彼此电性连接。根据本专利技术所提供的测试键结构，任一测试键结构包含2*N个提供测试的晶体管，且该等晶体管的该等源极彼此电性连接，因而可共享一连接垫。并且该等测试键结构可以呈单行排列，而设置在切割道之内，形成测试键群组。更重要的是，本专利技术所提供的测试键结构与测试键群组可以以更经济的方式充分使用切割道中有限的面积，而在相同面积中容纳足够的连接垫以及更多的测试元件，故可有效提升样本数，更改善测试结果的可靠度。【附图说明】图1为一已知测试键结构的示意图。图2为本专利技术提供的一测试键结构的一优选实施例的电路布局示意图。图3为本专利技术提供的测试键群组的一优选实施例的示意图。图4为本专利技术提供的测试键结构的一另一优选实施例的电路布局示意图。【主要元件符号说明】100测试键结构102晶圆104切割道110待测元件122、124、126、128连接垫130金属导线20测试键群组200、300测试键结构202晶圆204>304切割道210,310晶体管210a,310a第一晶体管210b,310b第二晶体管210Ga、310Ga第一栅极210Gb、310Gb第二栅极210Sa、310Sa第一源极210Sb、310Sb第二源极210Da>310Da第一漏极210Db>310Db第二漏极210Ba>310Ba第一基体210Bb>310Bb第二基体220、320源极连接垫230、330基体连接垫240a、340a第一漏极连接垫240b、340b第二漏极连接垫250a ?250g、350a ?350g 栅极连接垫【具体实施方式】请参阅图2与图3，图2为本专利技术提供的一测试键结构的一电路布局示意图，图3为本专利技术所提供的一测试键群组的一优选实施例的示意图。如图2所示，本优选实施例所提供的测试键结构200包含有多个晶体管210，设置在一晶圆202的一切割道204内。值得注意的是，晶体管210排列成一 2*N阵列，而此2*N阵列包含有二直行与N横列。在本优选实施例中，N等于7，也就是说本优选实施例共包含14个晶体管，这14个晶体管以二直行与7横列的方式排列成一 2*7阵列。然而，本领域技术人员应知，本优选实施例提供者仅为一例示，本专利技术所提供的测试键结构200并不限于此，也就是说本专利技术所提供的测试键结构200的横列数N值可依产品需要而等于任何正整数。如图2与图3所示，本优选实施例所提供的测试键结构200中，晶体管210排列成二直行，其中排列于此二直行其中一行(第一行)的晶体管210又可分类并定义为多个第一晶体管210a，而排列于此二直行另外一行(第二行)的晶体管210又可分类并定义为多个第二晶体管210b。如图2与图3所示，第一晶体管210a形成的第一行与第二晶体管210b形成的第二行彼此平行。且在本优选实施例中，第一晶体管210a第二晶体管210b具有相同的尺寸。请继续参阅图2与图3。根据本优选实施例，测试键结构200的第一晶体管210a分别包含一第一栅极210Ga、一第一源极210Sa、一第一漏极210Da与一第一基体210Ba,而第二晶体管210b则分别包含一第二栅极210Gb、一第二源极210Sb、一第二漏极210Db与一第二基体210Bb。值得注意的是，本优选实施例所提供的测试键结构200中，所有第一晶体管210a的第一源极210Sa与所有第二晶体管210b的第二源极210Sb全部彼此电性连接。另外，这些彼此电性连接的第一源极210Sa与第二源极210Sb又还电性连接至一设置在切割道204内的源极连接垫220。如图2与图3所示，源极连接垫220设置在第一晶体管210a排列的第一行与第二晶体管210b排列的第二行之间，因此第一晶体管210a的各第一源极210Sa与源极连接垫220的距离与第二晶体管210b的各第二源极210Sb与源极连接垫220的距离大致相等。第一晶体管210a的第一基体210Ba与第二晶体管的第二基体210Bb亦全部彼此电性连接，且这些彼此电性连接的第一基体210Ba与第二基体210Bb又还电性连接至一设置在切割道204内的基体连接垫230，如图2所示。请继续参阅图2与图3。第一晶体管210a的第一漏极210Da彼此电性连接，并且还电性连接至一设置在切割道204内的第一漏极连接垫240a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试键结构，包含有：多个晶体管，设置在晶圆的切割道内，且排列成2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列，且所述晶体管分别包含栅极、源极、漏极与基体，其中所述晶体管的所述源极全部彼此电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王建国，侯俊良，廖文荣，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71